英諾賽科或?qū)⒏案凵鲜?/h1>
英諾賽科，這家成立于2015年12月的高新技術(shù)企業(yè)，近日傳出計(jì)劃今年內(nèi)在香港進(jìn)行IPO的消息，預(yù)計(jì)融資規(guī)模將達(dá)到3億美元。
作為第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵領(lǐng)域的佼佼者，英諾賽科采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，將芯片設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、芯片制造、測(cè)試與失效分析等多個(gè)環(huán)節(jié)融為一體，展現(xiàn)出強(qiáng)大的綜合實(shí)力。
值得一提的是，公司還擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力，進(jìn)一步鞏固了其在行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先地位。此次計(jì)劃在香港進(jìn)行IPO，不僅為公司的未來(lái)發(fā)展提供了強(qiáng)大的資金支持，也將為其在國(guó)際舞臺(tái)上展示更多的可能性。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
463文章
53904瀏覽量
463784 -
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
338文章
30469瀏覽量
262285 -
英諾賽科
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
58瀏覽量
10909
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
6.6kW GaN OBC來(lái)襲！聯(lián)合動(dòng)力攜手英諾賽科，有何殺手锏重塑車充新標(biāo)桿？
近日，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商英諾賽科再傳好消息。12月9日，中國(guó)智能電動(dòng)汽車部件及解決方案提供商蘇州匯川聯(lián)合動(dòng)力系統(tǒng)股份有限公司與英
安森美與英諾賽科達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議
安森美（onsemi）宣布已與英諾賽科（Innoscience）簽署諒解備忘錄，雙方將探索利用英
安森美聯(lián)手英諾賽科！中低壓GaN器件滲透加速
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）12月3日，安森美宣布與英諾賽科簽署了諒解備忘錄，雙方將評(píng)估加速40V-200V氮化鎵功率器件部署的合作機(jī)會(huì)，
納芯微與聯(lián)合電子、英諾賽科簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
近日，蘇州納芯微電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：納芯微）、聯(lián)合汽車電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱：聯(lián)合電子）與英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：英
第三代700V GaN上市！英諾賽科上半年?duì)I收大增43.4%，機(jī)器人和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用破局
8月28日，英諾賽科發(fā)布2025年半年報(bào)，英諾賽
慕尼黑法院判決英飛凌控告英諾賽科專利侵權(quán)案勝訴
）控告英諾賽科（Innoscience）關(guān)于氮化鎵（GaN）技術(shù)專利侵權(quán)的一審判決中，判定英飛凌勝訴。該案的核心是英
英諾賽科與聯(lián)合電子成立 GaN 技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室
近日，氮化鎵領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科與全球領(lǐng)先的汽車電子系統(tǒng)供應(yīng)商聯(lián)合電子宣布，雙方攜手成立氮化鎵（GaN）技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。這一合作旨在充分發(fā)揮氮化鎵器件在高功率密度、低導(dǎo)通電阻、高轉(zhuǎn)換
54%關(guān)稅之后，我們才看懂ST和英諾賽科這場(chǎng)GaN合作的真正價(jià)值
制造成本被再次推上臺(tái)面。 對(duì)于高度依賴全球制造網(wǎng)絡(luò)的半導(dǎo)體行業(yè)而言，這一輪政策調(diào)整不僅抬高了成本，也將“在哪里制造”成為影響定價(jià)結(jié)構(gòu)與交付路徑的核心變量。 ?就在政策正式公布前三天，意法半導(dǎo)體(以下簡(jiǎn)稱“ST”)與英諾
英諾賽科產(chǎn)能再擴(kuò)張：年底8英寸晶圓月產(chǎn)將破2萬(wàn)片
近日，氮化鎵行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科正式對(duì)外宣布，將進(jìn)一步擴(kuò)大其 8 英寸晶圓的產(chǎn)能。這一消息在半導(dǎo)體領(lǐng)域引發(fā)了廣泛關(guān)注，標(biāo)志著
7月直播預(yù)告 | 英諾賽科、恩智浦、羅姆、英飛凌、廣閎科技與您相約大大通直播間
大大通直播專區(qū)攜手英諾賽科、恩智浦、羅姆、英飛凌、廣閎科技等原廠，推出5場(chǎng)精彩線上直播，為您帶來(lái)最新技術(shù)分享與行業(yè)洞察。
英諾賽科推出基于InnoGaN ISG6121TD的4kW雙向PFC電源方案，助力智能電網(wǎng)高效發(fā)展
英諾賽科推出基于InnoGaN ISG6121TD的4kW雙向PFC電源方案，以其高效、節(jié)能的特性，為智能電網(wǎng)提供突破性支持。
該方案采用AC-DC無(wú)橋圖騰柱PFC拓?fù)洌O(shè)計(jì)緊湊，支持
傳：又一國(guó)產(chǎn)激光雷達(dá)巨頭禾賽科技擬秘密赴港上市
據(jù)彭博社報(bào)道，知情人士表示，中國(guó)激光雷達(dá)制造商禾賽科技(Hesai Technology，HSAI.NASDAQ)將秘密申請(qǐng)赴港上市。 知情
意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議 借力雙方制造產(chǎn)能
科在中國(guó)的制造產(chǎn)能。 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司 意法半導(dǎo)體 （簡(jiǎn)稱ST）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領(lǐng)軍企業(yè) 英諾賽
GaN芯片出貨6.6億顆！英諾賽科2024年?duì)I收超8.2億，車規(guī)GaN猛增9倍
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 3月28日，功率半導(dǎo)體廠商英諾賽科發(fā)布2024年業(yè)績(jī)報(bào)告，本年度營(yíng)收達(dá)到8.285億元，同比增長(zhǎng)39.8%。作為全球首家大規(guī)模量產(chǎn)8英寸晶圓的氮化鎵IDM企業(yè)，
EPC專利被判決無(wú)效，英諾賽科獲ITC案件終極勝利
2025 年3月19日 - 英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（香港聯(lián)交所代碼：2577）是一家致力于高性能、低成本的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）芯片制造及電源解決方案企業(yè)。 今日，
發(fā)表于 03-19 13:57
?1526次閱讀
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論