（電子發(fā)燒友網(wǎng)報道 文/章鷹）8月28日，英諾賽科發(fā)布2025年半年報，英諾賽科營收達(dá)到5.53億元，比去年同期增長43.4%；毛利達(dá)到3780萬元，從上年的同期虧損轉(zhuǎn)為盈利；毛利率也從之前的負(fù)數(shù)變成了6.8%，經(jīng)營虧損收窄。財報披露，英諾賽科營收增長，主要是氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)拓展，從數(shù)據(jù)來看在氮化鎵（GaN）市場拓展和成本控制上都有了進展。

加大研發(fā)投入，公司重磅推出兩款低壓GaN電機驅(qū)動方案

2025年上半年，英諾賽科的研發(fā)成本達(dá)到1.623億元，較上年同期增長11.5%，主要投入在產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域拓展和新品開發(fā)。

9月5日，英諾賽科全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者宣布其第三代(Gen3) 700V 增強型氮化鎵功率器件系列正式全面上市！該系列憑借更小尺寸、更快開關(guān)速度、更高效率的顯著優(yōu)勢，在關(guān)鍵性能指標(biāo)上實現(xiàn)突破性進展，為電源系統(tǒng)設(shè)計樹立新標(biāo)桿。

9月10日，英諾賽科官宣兩款低壓GaN電機驅(qū)動方案。INNDMD48V25A1 (分立方案) 和 INNDMD48V22A1 (集成方案) ，為機器人、無人機、電動工具等低壓電機應(yīng)用帶來革命性突破。

圖來自英諾賽科官網(wǎng)

這兩款低壓電機驅(qū)動方案，各有什么亮點？一顆分立方案，一顆是集成方案。

首先，INNDMD48V25A1 (分立方案)：采用 6顆INN100EA035A分立器件+3顆INS2003FQ專用驅(qū)動IC，更好地發(fā)揮了分立方案靈活性。

INNDMD48V22A1(集成方案)：采用3顆ISG3204LA半橋合封GaN（內(nèi)置驅(qū)動），集成度高，布局更簡潔。

圖來自英諾賽科官網(wǎng)

這兩款方案有四大優(yōu)勢：一、損耗大幅降低，能效顯著提升在40kHz開關(guān)頻率、20A相電流條件下：分立方案 (INN100EA035A) 總損耗為11.6W，對標(biāo)的Si方案為19W，降幅達(dá)39%；合封方案 (ISG3204LA) 總損耗為12.3W，對標(biāo)的Si方案為16.3W，降幅達(dá)24.5%。

二、高頻性能優(yōu)異，助力小型化設(shè)計GaN器件開關(guān)速度快，死區(qū)時間可縮短至100ns。當(dāng)開關(guān)頻率從20kHz提升至40kHz：INS2003FQ+INN100EA035A分立器件方案中的GaN系統(tǒng)損耗僅增加0.7W，而Si方案增加了4.1W，GaN損耗增量降低83%；頻率提升帶來的溫升僅10℃，為系統(tǒng)繼續(xù)提升頻率、縮小電感與電容體積預(yù)留了空間。

三、電流輸出能力更強，功率密度更高分立GaN方案最大輸出電流有效值比Si方案提升3.5A；在相同溫升條件下，可支持更高負(fù)載電流，輕松實現(xiàn)更高功率密度。

四、溫度表現(xiàn)卓越，系統(tǒng)更可靠在相同散熱條件下，GaN器件溫度比Si方案低23℃以上；在18A以下相電流時，合封GaN方案可無需散熱器，極大減小系統(tǒng)體積。

英諾賽科優(yōu)化成本結(jié)構(gòu)，機器人和數(shù)據(jù)中心客戶需求大增

英諾賽科2025年上半年銷售及營銷開支為5390萬元，較上年同期的5070萬元增加6.4%，主要由于銷售人員隊伍的擴充，薪酬支出相應(yīng)增加；行政開支為2.46億元，較上年同期的2億元增加21.5%，主要由于報告期內(nèi)專業(yè)咨詢服務(wù)相關(guān)的費用增加。

英諾賽科2025年上半年財務(wù)成本為5250萬元，較上年同期的4410萬元增加19.0%，主要由于報告期內(nèi)新增貸款利息的增加。

截至2025年6月30日，英諾賽科的現(xiàn)金及現(xiàn)金等價物為14.25億元，而截至2024年12月31日為15.25億元。

截至2025年6月30日，英諾賽科的貸款及借款總額為24.95億元，較截至2024年12月31日增加5.71億元，主要由于支持?jǐn)U大生產(chǎn)規(guī)模，增加貸款。

從英諾賽科方面獲悉，目前，公司已與機器人領(lǐng)域頭部企業(yè)合作，并成功推出全球首款氮化鎵機器人。“今年，由公司提供芯片的氮化鎵機器人出貨數(shù)量有望突破萬級規(guī)模，單臺機器人所需氮化鎵芯片約300顆，而隨著技術(shù)的持續(xù)迭代，人形機器人對氮化鎵芯片的需求將顯著攀升，單臺機器人的氮化鎵芯片使用量有望增長至1000顆，以實現(xiàn)手指、腰部等關(guān)鍵部位完成難度更高、更復(fù)雜的動作?！庇⒅Z賽科方面表示。

2025年8月初，英諾賽科宣布公司與英偉達(dá)達(dá)成合作，聯(lián)合推動800 VDC（800伏直流）電源架構(gòu)在AI數(shù)據(jù)中心的規(guī)?；涞?。

該架構(gòu)是英偉達(dá)針對未來高效供電兆瓦級計算基礎(chǔ)設(shè)施而專門設(shè)計的新一代電源系統(tǒng)，相比傳統(tǒng)54V電源，在系統(tǒng)效率、熱損耗和可靠性方面具有顯著優(yōu)勢，可支持AI算力100-1000倍的提升。

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