電子發(fā)燒友網報道（文/黃晶晶）智能手機終于迎來了一個創(chuàng)新性亮點功能，那就是生成式AI。將生成式AI裝入手機，必將從旗艦機型開始逐漸向下滲透，再加上平板電腦等智能終端設備的AI化，設備的存儲性能將隨之進行升級。UFS4.0首先應用于旗艦智能手機，UFS3.1也因其性價比滿足中低階智能設備的需求。在最近，我們看到許多存儲主控芯片廠商都推出了UFS解決方案，布局智能手機等市場。

群聯

群聯電子在1月一口氣發(fā)布了四款全新的UFS存儲解決方案，旨在滿足不同手機市場的需求。從入門級到中高端再到旗艦手機，看樣子是要將各價段的手機普及AI一網打盡。

PS8327是一款22nm工藝的UFS 2.2主控芯片，主要面向入門級5G手機市場。其最大閃存容量可達256GB，并配備了第六代4KB LDPC ECC糾錯技術，即使在單通道64GB的情況下，也能實現UFS 2.2規(guī)格的滿速1000MB/s傳輸。

圖：群聯UFS存儲解決方案 電子發(fā)燒友網拍攝

PS8329主控芯片針對追求高性價比的中端手機市場。這款22nm UFS 3.1主控支持4KB LDPC糾錯，單通道下順序讀寫速度可達2000MB/s，計劃于今年6月開始提供樣品給合作伙伴。

PS8325主控芯片針對高端手機市場。這款12nm UFS 3.1主控采用雙通道設計，支持1Tb NAND顆粒，最大閃存容量高達1TB。同時，它還搭載了第六代4KB LDPC ECC糾錯技術，預計將在本季度開始量產，為高端手機提供更強大的存儲性能。

PS8361主控芯片針對旗艦手機市場。這款12nm UFS 4.0主控采用四通道設計，最大閃存容量同樣為1TB。它搭載了第六代LDPC+RAID ECC糾錯技術，順序讀寫速度可超過4000MB/s，預計將在今年下半年開始出貨，為旗艦手機帶來極致的存儲體驗。

慧榮

慧榮科技3月推出UFS（通用閃存存儲）4.0主控芯片SM2756。作為業(yè)界使用最廣泛的UFS主控芯片解決方案系列的旗艦產品，可滿足人工智能手機和其他高性能應用（包括汽車和邊緣運算）不斷增長的需求。

而此次慧榮也將UFS4.0主控升級到先進制程。最新的SM2756UFS 4.0 主控芯片解決方案是全球最先進的主控芯片，基于領先的6納米EUV技術，采用MIPIM-PHY 低功耗架構，提供高性能和電源效率的最佳平衡，滿足現今高端AI移動設備的全天候計算需求。SM2756實現4,300MB/s 以上的循序讀取性能和4,000MB/s 以上的循序寫入速度，支持最廣泛的3DTLC 和QLCNAND 閃存，容量高達2TB。2024 年中批量生產。

全新第二代SM2753UFS 3.1主控芯片解決方案，采用高速串行鏈路的MIPIM-PHY HS-Gear4x2-Lane標準和SCSI體系結構模型(SAM)，實現前所未有的性能。繼SM2754UFS3 主控芯片取得成功后，SM2753以單通道的設計特點，采用新一代3DTLC 和QLCNAND，提供2150MB/s 的循序讀取性能和1900MB/s 的循序寫入性能，滿足當前手機、物聯網和汽車應用中不斷增長的UFS3.0市場需求。目前進入批量生產。

得一微

最近，得一微嵌入式存儲UFS3.1主控新品YS8803，是中國大陸首款面向公開市場的UFS存儲主控。為移動設備提供高性能、大容量和低功耗的存儲解決方案而設計。該主控支持MIPI M-PHY 4.1 和UniPro 1.8，采用低功耗架構和LDPC，支持主流NAND Flash廠商的3D MLC/TLC/QLC NAND Flash，主要應用于UFS和uMCP等高速存儲產品中。

支持3D MLC/TLC/QLC NAND Flash，支持ONFI 5.X，Toggle 4.0，支持1.2V和1.8V接口電壓支持LDPC，2通道，4CE每通道支持E2E數據保護，順序讀速度：2100 MB/s順序寫速度：1600 MB/s，消費級工作溫度范圍： -25°C ~ 85°C工業(yè)級工作溫度范圍： -40°C ~ 85°C。

小結：

目前生成式AI嵌入手機開始支持70億甚至100億參數的大模型，勢必需要更快速的閃存與之匹配，當前旗艦手機紛紛搭載UFS4.0。但業(yè)內專家指出，大模型的輕量化會是智能手機生成式AI的發(fā)展趨勢，輕量化的大模型更適合向中低端手機滲透，UFS3.1剛好可以滿足這一需求。另一方面，采用QLC的UFS4.0也將有助于降低成本，令UFS4.0向下滲透。