chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

聯(lián)合電子400V SiC(碳化硅)電橋在太倉(cāng)工廠迎來(lái)首次批產(chǎn)

聯(lián)合電子 ? 來(lái)源:聯(lián)合電子 ? 2024-04-01 09:28 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

2024年3月,聯(lián)合電子400V SiC(碳化硅)電橋在太倉(cāng)工廠迎來(lái)首次批產(chǎn)。本次量產(chǎn)標(biāo)志著聯(lián)合電子在400V電壓平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)了Si和SiC技術(shù)的全面覆蓋,也標(biāo)志著聯(lián)合電子同時(shí)擁有了400V Si,400V SiC和800V SiC的電橋解決方案。

2023年中國(guó)市場(chǎng)上約95%的NEV車型為400V電壓平臺(tái)。在主流的400V電壓平臺(tái)上,聯(lián)合電子基于已經(jīng)批產(chǎn)的400V Si電橋,進(jìn)一步擴(kuò)充了高性價(jià)比、高效率和高性能的400V SiC電橋產(chǎn)品線,充分滿足了國(guó)內(nèi)外客戶的多樣且嚴(yán)苛的要求。

電驅(qū)性能

峰值性能:峰值輪端扭矩4450Nm,峰值功率220kW。同時(shí)支持短時(shí)BOOST模式,實(shí)現(xiàn)BOOST模式下峰值扭矩4800Nm,峰值功率230kW,幫助整車實(shí)現(xiàn)彈射起步和短時(shí)超車;

峰值效率:得益于領(lǐng)先的硬件設(shè)計(jì)和先進(jìn)的軟件調(diào)制算法加持,聯(lián)合電子400V SiC電橋可實(shí)現(xiàn)最高95.6%效率,可為OEM整車廠實(shí)現(xiàn)12.5kWh/100km的超低能耗;

最高轉(zhuǎn)速:電機(jī)最高轉(zhuǎn)速高達(dá)21000rpm,整車最高車速達(dá)210km/h。

聯(lián)合電子400V碳化硅電橋采用自主封裝SiC功率模塊

逆變器單體最高效率99.5%;

逆變器采用聯(lián)合電子自主封裝功率模塊,采用國(guó)際領(lǐng)先SiC芯片。常規(guī)工況下可實(shí)現(xiàn)620Arms/20s峰值電流輸出,短時(shí)BOOST(超頻使用)可達(dá) 650Arms/5s。聯(lián)合電子自主封裝的功率模塊實(shí)現(xiàn)最低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的散熱能力:

采用第二代溝槽型SiC芯片,具有最低導(dǎo)通電阻,大幅降低電驅(qū)控制器系統(tǒng)損耗;

散熱系數(shù)低(<0.1K/W),同面積下,大幅提升電驅(qū)系統(tǒng)的峰值功率和系統(tǒng)效率;

芯片最高運(yùn)行溫度可達(dá)200℃;

低寄生電感設(shè)計(jì),有效降低電壓應(yīng)力,提高可靠性??蓪?shí)現(xiàn)更低的寄生電阻,相同電流條件下功率模塊損耗損耗可降低18%。

關(guān)鍵子部件技術(shù) —— 電機(jī)

使用行業(yè)領(lǐng)先的電磁設(shè)計(jì)工藝,采用硅鋼與磁鋼技術(shù),造就極低的電機(jī)損耗表現(xiàn),最高效率可達(dá)97.5%;

為實(shí)現(xiàn)極致的功率密度,采用獨(dú)特的扁線繞組技術(shù)帶來(lái)極致的槽滿率,為電機(jī)帶來(lái) 6.8 kW/kg 超高功率密度,幫助電橋?qū)崿F(xiàn)輕量化和小型化。

同時(shí)聯(lián)合電子在400V SiC電橋平臺(tái)新開(kāi)發(fā)了先進(jìn)控制算法,使電橋總成既能滿足極致的安全性能又能做到嚴(yán)苛的能耗管理:

極致安全:

功能安全:滿足功能安全ASIL D;

跛行回家功能:憑借先進(jìn)的軟件架構(gòu)及硬件性能,能夠幫助車輛在相關(guān)零部件損壞的情況下,實(shí)現(xiàn)無(wú)感繼續(xù)駕駛故障車輛安全行駛到4S店維修,減少駕駛員的不良駕駛體驗(yàn)和安全影響;

云端電驅(qū):聯(lián)合電子首次開(kāi)發(fā)了電驅(qū)最核心器件——功率模塊壽命模型,幫助整車廠和終端用戶及時(shí)了解電驅(qū)運(yùn)行狀態(tài),實(shí)現(xiàn)故障遠(yuǎn)程預(yù)警及診斷;

信息安全:逆變器MCU使用最高等級(jí)的硬件信息安全模塊,配合車規(guī)級(jí)的信息安全策略,滿足ISO 21434標(biāo)準(zhǔn)。

電驅(qū)能耗:

溫度模型:開(kāi)發(fā)了高精度功率模塊溫度模型和電機(jī)溫度模型,實(shí)現(xiàn)可變冷卻液流量控制,降低整車熱管理能耗;

變流量策略:開(kāi)發(fā)了基于整車應(yīng)用場(chǎng)景的電驅(qū)變流量策略,降低對(duì)整車水泵功耗需求,為整車節(jié)能降耗;

IPTC功能:支持余熱回收功能,有效改善電池低溫加熱速率,提升整車低溫駕駛體驗(yàn),有利于整車熱管理和更經(jīng)濟(jì)的使用成本;

脈沖加熱功能:支持整車電池低溫下應(yīng)用,可實(shí)現(xiàn)超級(jí)快充功能。同時(shí)采用先進(jìn)控制算法,優(yōu)化解決行業(yè)脈沖加熱功能NVH難題。

聯(lián)合電子400V SiC電橋的批產(chǎn)不僅為多變的需求市場(chǎng)提供了更具性價(jià)比的產(chǎn)品,同時(shí)也為OEM在整車車型的規(guī)劃上提供了更多更豐富的選項(xiàng)。

轉(zhuǎn)載須署名聯(lián)合電子并注明來(lái)自聯(lián)合電子微信!!




審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 逆變器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    300

    文章

    5076

    瀏覽量

    214530
  • Boost
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    388

    瀏覽量

    50641
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3465

    瀏覽量

    67966
  • 寄生電感
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    165

    瀏覽量

    15029
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3272

    瀏覽量

    51693

原文標(biāo)題:聯(lián)合電子400V碳化硅電橋迎來(lái)量產(chǎn)

文章出處:【微信號(hào):聯(lián)合電子,微信公眾號(hào):聯(lián)合電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    傾佳電子市場(chǎng)報(bào)告:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率器件碳化硅戶用儲(chǔ)能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破

    傾佳電子市場(chǎng)報(bào)告:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率器件碳化硅戶用儲(chǔ)能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破 ——以基本半導(dǎo)體B2M065120Z
    的頭像 發(fā)表于 11-24 04:57 ?103次閱讀
    傾佳<b class='flag-5'>電子</b>市場(chǎng)報(bào)告:國(guó)產(chǎn)<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件<b class='flag-5'>在</b>全<b class='flag-5'>碳化硅</b>戶用儲(chǔ)能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破

    傾佳電子碳化硅SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)特性與保護(hù)機(jī)制深度研究報(bào)告

    汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,分銷代理BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MO
    的頭像 發(fā)表于 11-23 11:04 ?1243次閱讀
    傾佳<b class='flag-5'>電子</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET驅(qū)動(dòng)特性與保護(hù)機(jī)制深度研究報(bào)告

    SiC碳化硅功率半導(dǎo)體:電力電子行業(yè)自主可控與產(chǎn)業(yè)升級(jí)的必然趨勢(shì)

    SiC碳化硅功率半導(dǎo)體:電力電子行業(yè)自主可控與產(chǎn)業(yè)升級(jí)的必然趨勢(shì) 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 09-21 20:41 ?328次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>功率半導(dǎo)體:電力<b class='flag-5'>電子</b>行業(yè)自主可控與產(chǎn)業(yè)升級(jí)的必然趨勢(shì)

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體全面取代Wolfspeed進(jìn)口器件的路徑

    Wolfspeed宣布破產(chǎn)的背景下,國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件廠商如BASiC(基本股份)迎來(lái)了替代其市場(chǎng)份額的重大機(jī)遇。
    的頭像 發(fā)表于 06-19 16:43 ?672次閱讀

    基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用 一、引言 電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,
    的頭像 發(fā)表于 06-10 08:38 ?729次閱讀
    基本半導(dǎo)體<b class='flag-5'>碳化硅</b> MOSFET 的 Eoff 特性及其<b class='flag-5'>在</b>電力<b class='flag-5'>電子</b>領(lǐng)域的應(yīng)用

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)

    SiC碳化硅MOSFET國(guó)產(chǎn)化替代浪潮:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國(guó)產(chǎn)SiC
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?754次閱讀

    開(kāi)啟焊機(jī)高效時(shí)代:國(guó)內(nèi)首發(fā)400V SiC肖特基二極管B3D120040HC深度解析

    碳化硅逆變焊機(jī)輸出整流應(yīng)用的革新之選:國(guó)內(nèi)首發(fā)400V SiC肖特基二極管B3D120040HC深度解析 引言:碳化硅技術(shù)引領(lǐng)焊機(jī)高效化浪潮 隨著電力
    的頭像 發(fā)表于 05-23 06:07 ?483次閱讀
    開(kāi)啟焊機(jī)高效時(shí)代:國(guó)內(nèi)首發(fā)<b class='flag-5'>400V</b> <b class='flag-5'>SiC</b>肖特基二極管B3D120040HC深度解析

    麥科信MOIP光隔離探頭解決碳化硅SiC)項(xiàng)目問(wèn)題

    作為某新能源車企的電機(jī)控制系統(tǒng)工程師,我的日??偫@不開(kāi)碳化硅SiC)器件的雙脈沖測(cè)試。三年前用傳統(tǒng)差分探頭測(cè)上管Vgs的經(jīng)歷堪稱“噩夢(mèng)”每當(dāng)開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí),屏幕上跳動(dòng)的±5V震蕩波形,讓我誤以為
    發(fā)表于 04-15 14:14

    麥科信光隔離探頭碳化硅SiC)MOSFET動(dòng)態(tài)測(cè)試中的應(yīng)用

    行業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施演進(jìn),為電力電子從“硅時(shí)代”邁向“碳化硅時(shí)代”提供底層支撐。 相關(guān)研究: L. Zhang, Z. Zhao, R. Jin, et al, \"SiC MOSFET
    發(fā)表于 04-08 16:00

    BASiC基本股份國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品線概述

    傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子
    的頭像 發(fā)表于 02-12 06:41 ?806次閱讀
    BASiC基本股份國(guó)產(chǎn)<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET產(chǎn)品線概述

    碳化硅半導(dǎo)體中的作用

    碳化硅SiC半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅半導(dǎo)體中的主要作
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?2384次閱讀

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V
    發(fā)表于 01-22 10:43

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用

    *附件:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對(duì)器件的整體性能和使用壽命
    發(fā)表于 01-04 12:37

    SiC市場(chǎng)激烈,萬(wàn)年芯碳化硅領(lǐng)域的深耕與展望

    2024年進(jìn)入尾聲,中國(guó)碳化硅SiC)卻迎來(lái)一波“新陳代謝”:前有新玩家涌入-格力碳化硅芯片工廠建成投產(chǎn);后有老玩家退場(chǎng)-世紀(jì)金光破產(chǎn)清算
    的頭像 發(fā)表于 12-20 16:41 ?1180次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b>市場(chǎng)激烈,萬(wàn)年芯<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>領(lǐng)域的深耕與展望