長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)獲半導(dǎo)體器件制備裝置及方法專利
據(jù)最新天眼查數(shù)據(jù)顯示，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司近日獲得了一項(xiàng)名為“一種半導(dǎo)體器件制備裝置及制備方法”的實(shí)用新型專利，專利號(hào)CN115287630B，授權(quán)日期為2024年3月26日，申請(qǐng)時(shí)間為2022年8月4日。
這項(xiàng)發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制備設(shè)備及制備策略，主要包含氣體管道、氣體優(yōu)化系統(tǒng)及反應(yīng)腔室三大組件。其中，氣體管道設(shè)有多個(gè)氣體入口管道；在反應(yīng)腔室內(nèi)，自上而下依次安置著射頻匹配器、氣體分配盤、晶圓托盤以及氣體排出部分。氣體混合優(yōu)化系統(tǒng)位于反應(yīng)腔室外，由氣體攪拌裝置與氣體過(guò)濾裝置組成。氣體攪拌裝置能確保多路氣體均勻分布，氣體過(guò)濾裝置則負(fù)責(zé)清除混合氣體中所含顆粒雜質(zhì)，使其在PECVD裝置反應(yīng)腔室內(nèi)多向分布，以提高等離子體的均勻度，進(jìn)而提升薄膜沉積過(guò)程中的膜厚均勻性并降低顆粒產(chǎn)生率。
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目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
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