沃爾弗斯普萊特與采埃孚合作投資的德國8英寸SiC晶圓廠計劃可能延期至2025年始動。

去年2月1日，沃爾弗斯普萊特公司及采埃孚公司達成戰(zhàn)略聯(lián)盟，共同設(shè)立創(chuàng)新實驗室，并運用碳化硅系統(tǒng)及設(shè)備技術(shù)推動出行、工業(yè)及能源三大領(lǐng)域的發(fā)展。此外，采埃孚承諾投入大量資源，以協(xié)助在恩斯多夫打造全球規(guī)模最大且最尖端的200毫米碳化硅晶圓生產(chǎn)基地。同年5月，二者決定在德國紐倫堡市區(qū)設(shè)立碳化硅電力電子歐亞研究所。

據(jù)悉，該座選址在薩爾州恩斯多夫的8英寸SiC晶圓廠計劃由沃爾弗斯普萊特負責(zé)籌備，耗資約27.5億歐元（約等于215億人民幣），同時得到德國聯(lián)邦政府以及薩爾州政府的共計4.1億歐元（約等于28億人民幣）資助。另據(jù)報道，沃爾弗斯普萊特正在爭取《歐盟芯片法》的資金援助。采埃孚將向其提供數(shù)億美元的財務(wù)贊助，交換該廠少數(shù)股權(quán)。

知情人士表示，沃爾弗斯普萊特期待在奠基儀式前能夠獲得更多資金，若未能成功申請到法案資金，工程可能推遲。根據(jù)公司CEO格雷格·洛伊透露，此前預(yù)訂的2024年夏動工時間現(xiàn)已調(diào)整為2025年。

有意思的是，近期，沃爾弗斯普萊特耗費50億美元（折合人民幣約361億元）在美國北卡羅來納州查塔姆縣建成了“約翰·帕爾默碳化硅制造中心”。這座工廠將主要用于生產(chǎn)200毫米的SiC晶圓，進一步增強材料供給能力以應(yīng)對能源轉(zhuǎn)型及AI人工智能所面臨的新世代半導(dǎo)體需求。

該廠以已故聯(lián)合創(chuàng)始人約翰·帕爾默之名命名。其總投資額高達50億美元，獲得來自公私兩方的廣泛支持。據(jù)悉此舉有助于推動從硅轉(zhuǎn)向碳化硅的科技轉(zhuǎn)變，進而保障對能源轉(zhuǎn)型至關(guān)重要的材料供應(yīng)。“約翰·帕爾默碳化硅制造中心”占地445英畝，第一階段工程預(yù)計將于2024年底完工。

當(dāng)前，沃爾弗斯普萊特憑借北卡羅來納州達勒姆總部，占據(jù)全球SiC材料市場60%以上份額，正在推進投資65億美元來進一步擴大產(chǎn)能規(guī)劃。