SK Siltron獲美政府投資，擴大碳化硅晶圓廠產(chǎn)能
自SK集團分支SK Siltron起為韓唯一半導體晶圓制造商，如今已躋身世界第五大硅晶圓制造行列。本司業(yè)務涵蓋韓國本土及美西兩地，致力于發(fā)展SiC與GaN晶圓技術。
令人矚目的是，SK Siltron近期獲得來自美國政府的總價值約7700萬美元的支持，其中包括投資補貼和稅收優(yōu)惠，這使得我們得以在下一階段投資密歇根州的碳化硅（SiC）晶圓工廠。
此外，SK Siltron的美國子公司SK Siltron CSS于今年二月份成功獲得美國能源部的5400萬美元貸款支持。
SK Siltron CSS計劃利用上述資金，預計至2027年完成灣城工廠的擴建工程。目前，該公司正專注于在美國生產(chǎn)電動汽車和儲能系統(tǒng)（ESS）所需的SiC晶圓，并在貝城運營一座工廠。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
半導體
+關注
關注
336文章
29570瀏覽量
252039 -
晶圓工廠
+關注
關注
0文章
28瀏覽量
8579 -
碳化硅
+關注
關注
25文章
3210瀏覽量
51366
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)
作者：Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業(yè)提高效率和推動脫碳的基石。碳化硅是高級電力系統(tǒng)的推動劑，可滿足全球?qū)稍偕茉?、電動汽?(EV
碳化硅器件的應用優(yōu)勢
碳化硅是第三代半導體典型材料，相比之前的硅材料，碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優(yōu)勢，在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結構穩(wěn)定，哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下，打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸，直接促進了新能源等
碳化硅晶圓特性及切割要點
01襯底碳化硅襯底是第三代半導體材料中氮化鎵、碳化硅應用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學性
碳化硅功率器件有哪些特點
隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設備的需求不斷增加，寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中，碳化硅（SiC）因其出色的性能而受到廣泛關注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領域的應用不斷拓展，成為現(xiàn)代電子技術的重要組成部分。本文將詳細探討
SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象
器件能力的企業(yè)之所以面臨被淘汰的風險，主要源于以下多維度原因： ? ? 1. 碳化硅二極管技術門檻低導致市場同質(zhì)化與價格戰(zhàn) 碳化硅二極管（如肖特基二極管）技術相對成熟，結構簡單，進入門檻較低。國內(nèi)眾多企業(yè)涌入這一領域，導致產(chǎn)能過
國內(nèi)碳化硅功率器件設計公司的倒閉潮是市場集中化的必然結果
器件設計公司正在加速被市場拋棄：碳化硅功率器件設計公司出現(xiàn)倒閉潮，這是是市場集中化的必然結果。結合英飛凌、安森美等企業(yè)的業(yè)務動態(tài)，可從以下維度分析這一趨勢： 1. 技術壁壘與產(chǎn)能競賽：頭部企業(yè)構建護城河 技術門檻高企 ：碳化硅
碳化硅薄膜沉積技術介紹
多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學與機械性能以及廣泛的應用前景而
碳化硅的耐高溫性能
在現(xiàn)代工業(yè)中，高性能材料的需求日益增長，特別是在高溫環(huán)境下。碳化硅作為一種先進的陶瓷材料，因其卓越的耐高溫性能而受到廣泛關注。 1. 碳化硅的基本特性 碳化硅是一種共價鍵合的陶瓷材料，具有高硬度
碳化硅在半導體中的作用
碳化硅（SiC）在半導體中扮演著至關重要的角色，其獨特的物理和化學特性使其成為制作高性能半導體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導體中的主要作用及優(yōu)勢： 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有
產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應用
*附件：國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應用.pdf
發(fā)表于 01-20 14:19
投資16.2億美元！印度建首座碳化硅晶圓廠
。這項雄心勃勃的項目投資額為 1400 億印度盧比（16.2 億美元），將專注于生產(chǎn)碳化硅 (SiC) 芯片，這是推動節(jié)能技術發(fā)展的關鍵組件。 據(jù)《商業(yè)標準報》和《印度時報》等消息來源報道，該合資企業(yè)
什么是MOSFET柵極氧化層？如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？
隨著電力電子技術的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
發(fā)表于 01-04 12:37
碳化硅在新能源領域的應用 碳化硅在汽車工業(yè)中的應用
碳化硅在新能源領域的應用 1. 太陽能光伏 碳化硅材料在太陽能光伏領域主要應用于制造高性能的太陽能電池。由于其高熱導率和良好的化學穩(wěn)定性，碳化硅可以作為太陽能電池的基底材料，提高電池的效率和壽命
碳化硅的應用領域 碳化硅材料的特性與優(yōu)勢
碳化硅的應用領域 碳化硅（SiC），作為一種寬禁帶半導體材料，因其獨特的物理和化學特性，在多個領域展現(xiàn)出廣泛的應用潛力。以下是碳化硅的一些主要應用領域： 電子器件 ： 功率器件 ：碳化硅
碳化硅襯底，進化到12英寸！
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）碳化硅產(chǎn)業(yè)當前主流的晶圓尺寸是6英寸，并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展，在最上游的晶體、襯底，業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能，8英寸的碳化硅晶圓產(chǎn)線也開始逐漸落地，進入試產(chǎn)階段。 ? 讓
工商網(wǎng)監(jiān)
評論