SK海力士尋求東電低溫蝕刻設(shè)備，或降低NAND閃存堆棧層數(shù)
韓國媒體The Elec于本周五透露，SK海力士向東京電子寄送了晶圓樣品，旨在檢驗其低溫蝕刻技術(shù)，這可能引領(lǐng)未來NAND閃存制造的變革。
當前，3D NAND閃存在通過提高堆棧層數(shù)來增加容量上取得顯著進展。然而，在這種趨勢下，閃存顆粒中的垂直通道蝕刻變得愈發(fā)困難且速率減緩。
為了解決這個問題，制造商們開始嘗試將整個NAND閃存分為多個堆棧制造，然后再將這些堆棧整合為一個整體。然而，這種方法帶來了新的挑戰(zhàn)，如對齊問題和性能、能效的下降。
值得注意的是，東京電子的新型低溫蝕刻設(shè)備的工作溫度為-70℃，遠低于現(xiàn)有的0~30℃范圍。根據(jù)IT之家去年的報道，這款設(shè)備可以在短短33分鐘內(nèi)完成10微米的蝕刻，效率超過現(xiàn)有設(shè)備的3倍。此外，該設(shè)備還采用了更環(huán)保的氟化氫（HF）氣體，相比傳統(tǒng)的氟碳化物氣體，其溫室效應(yīng)更小。
SK海力士已宣布推出最新的321層NAND閃存，采用了三堆棧結(jié)構(gòu)。業(yè)界預測，若東京電子的低溫蝕刻設(shè)備表現(xiàn)出色，未來400+層閃存產(chǎn)品的堆棧數(shù)量有望降至2甚至1。
與此同時，SK海力士的主要競爭對手三星電子也正在試用該設(shè)備的演示版，以評估低溫蝕刻的效果。
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