晶振負(fù)性阻抗測(cè)試與計(jì)算
負(fù)性阻抗-R也稱為發(fā)振余裕度，用于評(píng)價(jià)晶振在發(fā)振回路上的發(fā)振能力。發(fā)振余裕度不足時(shí)，會(huì)導(dǎo)致振蕩電路振蕩不穩(wěn)定甚至啟動(dòng)失效等問題。負(fù)性阻抗-R需滿足-R>(3～5)Rr，晶振電路才能穩(wěn)定發(fā)振。晶振電路負(fù)性阻抗-R的測(cè)試電路原理。
圖中RQ為可調(diào)電阻。具體測(cè)試方法：通過不斷增大RQ阻值，直到晶振停止振蕩，記錄此時(shí)的RQ阻值，根據(jù)測(cè)得的RQ值，可按如下公式計(jì)算負(fù)性阻抗：|-R|=RQ+RL
式中：RL為加載后的諧振電阻；Rr為等效串聯(lián)電阻。文中設(shè)計(jì)的晶振電路經(jīng)過測(cè)量計(jì)算得到的負(fù)性阻抗-R為430 Ω，大于諧振電阻的3倍，符合要求。
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