SiC Diode Module是采用碳化硅(SiC)材料的功率半導(dǎo)體器件，專(zhuān)為高效率和高性能的電力轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)。與傳統(tǒng)的硅基二極管相比，SiC二極管模塊具有更快的開(kāi)關(guān)速度、更低的反向恢復(fù)損耗和更高的工作溫度。SiC技術(shù)的發(fā)展推動(dòng)了電力電子設(shè)備的能效提升和尺寸縮小。

SemiQ 的 SiC 肖特基二極管模塊的開(kāi)關(guān)損耗接近于零，大大提高了效率，減少了散熱，并且需要更小的散熱器。這些優(yōu)點(diǎn)使 SemiQ 的產(chǎn)品成為各種應(yīng)用的理想選擇，包括直流電源設(shè)備的電源、感應(yīng)加熱整流器、焊接設(shè)備、高溫環(huán)境、太陽(yáng)能逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電源、充電站等。

SemiQ 600V SiC Diode Modules系列產(chǎn)品：

SemiQ 600V SiC Diode模塊封裝(SOT-227)：

SemiQ 600V SiC Diode Modules特征：

?SiC肖特基二極管

-零反向恢復(fù)

-零正向恢復(fù)

-與溫度無(wú)關(guān)的開(kāi)關(guān)行為

-VF上的正溫度系數(shù)

?雜散電感低

?高結(jié)溫操作

?所有部件測(cè)試電壓大于715V

優(yōu)勢(shì)：

?在高頻操作時(shí)表現(xiàn)突出

?低損耗和低EMI噪聲

?非常堅(jiān)固且易于安裝

?內(nèi)部隔離封裝(AlN)

?低結(jié)殼熱阻

?由于VF的正TC，易于并聯(lián)

?符合RoHS

應(yīng)用：

?開(kāi)關(guān)電源

?感應(yīng)加熱器

?焊接設(shè)備

?充電站