UN 電源設(shè)計不如考慮下正負端同步整流芯片U7712

肖特基整流管可以看成一條建在泥土上沒有鋪水泥的灌溉用的水道，從源頭下來的水源在中途滲漏了很多，十方水可能只有七、八方到了農(nóng)田里面。而同步整流技術(shù)就如同一條鑲嵌了光滑瓷磚的引水通道，除了一點點被太陽曬掉的損失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于澆灌那些我們?nèi)杖召囈陨娴募Z食。既如此，還不快點來深圳銀聯(lián)寶科技挑選一顆合適您的同步整流芯片？！

正負端同步整流芯片U7712是一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關(guān)，內(nèi)置超低導通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。U7712支持“浮地”和“共地”同步整流兩種架構(gòu)，也支持系統(tǒng)斷續(xù)工作模式(DCM)和準諧振工作模式(QR)。U7712集成有VDD欠壓保護功能和VDD電壓鉗位。U7712內(nèi)置VDD高壓供電模塊，無需VDD輔助繞組供電，減低了系統(tǒng)成本。

在原邊MOSFET導通期間，同步整流芯片U7712內(nèi)部7.1V穩(wěn)壓器將從其Drain管腳抽取電流向VDD供電，以使VDD電壓恒定在7.1V左右。基于高頻解耦和供電考慮，推薦選取容量為1uF的陶瓷電容作為VDD電容。

系統(tǒng)開機以后，同步整流芯片U7712內(nèi)部高壓LDO從Drain管腳抽取電流向VDD電容供電。當VDD電壓低于欠壓保護閾值后（3.1V 典型值），芯片進入睡眠模式，同時內(nèi)部同步整流MOSFET進入關(guān)斷狀態(tài)，副邊繞組電流經(jīng)內(nèi)部同步整流MOSFET的體二極管實現(xiàn)續(xù)流。當VDD電壓高于VDD開啟電壓后（4V 典型值），芯片開始工作。芯片內(nèi)部同步整流MOSFET只在副邊續(xù)流期間才能開通。

初始階段同步整流MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)，副邊電流經(jīng)MOSFET體二極管實現(xiàn)續(xù)流，同時在體二極管兩端形成一負向Vds電壓(<-500mV)。該負向Vds 電壓遠小于同步整流芯片U7712內(nèi)部MOSFET開啟檢測閾值，故經(jīng)過開通延遲（Td_on，約 200ns）后內(nèi)部MOSFET開通。在同步整流 MOSFET 導通期間， U7712采樣MOSFET漏-源兩端電壓(Vds)。當Vds電壓高于MOSFET關(guān)斷閾值，內(nèi)部MOSFET將在關(guān)斷延遲（Td_off，約60ns）后被關(guān)斷。