chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

ASML考慮推出通用EUV光刻平臺(tái)

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-05-23 09:51 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

荷蘭媒體 Bits&Chips 日前爆料,ASML 正探討推出通用 EUV 光刻平臺(tái)的可能性。該公司首席技術(shù)官、現(xiàn)擔(dān)任顧問的馬丁?范登布林克(Martin van den Brink)于最近召開的 imec ITF World 技術(shù)論壇發(fā)表講話時(shí)透露,ASML 計(jì)劃在未來十年內(nèi)打造一個(gè)集成 Low NA(0.33NA)、High NA(0.55NA)以及預(yù)計(jì)達(dá)到 0.7NA 的 Hyper NA 系統(tǒng)的單一平臺(tái)。

范登布林克指出,更高的數(shù)值孔徑能提高光刻分辨率。他進(jìn)一步解釋說,Hyper NA 光刻機(jī)將簡化先進(jìn)制程生產(chǎn)流程,避免因使用 High NA 光刻機(jī)進(jìn)行雙重圖案化導(dǎo)致的額外步驟及風(fēng)險(xiǎn)。

他強(qiáng)調(diào),共享同一基礎(chǔ)平臺(tái)的多種 EUV 光刻機(jī)會(huì)降低研發(fā)成本,并方便將 Hyper-NA 機(jī)臺(tái)的技術(shù)進(jìn)步推廣至數(shù)值孔徑較小的光刻機(jī)。據(jù)悉,ASML 最新款 0.33NA EUV 光刻機(jī) NXE:3800E 已采用為 High NA 光刻機(jī)設(shè)計(jì)的高速載物臺(tái)移動(dòng)系統(tǒng)。

此外,ASML 計(jì)劃將其 DUV 和 EUV 光刻機(jī)的晶圓吞吐量由目前的每小時(shí) 200~300 片提升至每小時(shí) 400~500 片,以提高單臺(tái)光刻機(jī)的生產(chǎn)效率,進(jìn)而降低行業(yè)成本。

范登布林克在演講中還提及,當(dāng)前人工智能的發(fā)展趨勢顯示,消費(fèi)者對(duì)多樣化應(yīng)用有強(qiáng)烈需求,但受限于能耗、計(jì)算能力和海量數(shù)據(jù)集等因素。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 分辨率
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    1117

    瀏覽量

    43239
  • 光刻機(jī)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    1196

    瀏覽量

    48716
  • EUV
    EUV
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    614

    瀏覽量

    88494
  • ASML
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    734

    瀏覽量

    43317
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    中國打造自己的EUV光刻膠標(biāo)準(zhǔn)!

    其他工藝器件的參與才能保障芯片的高良率。 ? 以光刻膠為例,這是決定芯片 圖案能否被精準(zhǔn) 刻下來的“感光神經(jīng)膜”。并且隨著芯片步入 7nm及以下先進(jìn)制程芯片 時(shí)代,不僅需要EUV光刻機(jī),更需要
    的頭像 發(fā)表于 10-28 08:53 ?5802次閱讀

    俄羅斯亮劍:公布EUV光刻機(jī)路線圖,挑戰(zhàn)ASML霸主地位?

    ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)?在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局中,光刻機(jī)被譽(yù)為 “半導(dǎo)體工業(yè)皇冠上的明珠”,而極紫外(EUV光刻技術(shù)更是先進(jìn)制程芯片制造的核心。長期以來,荷蘭 ASML
    的頭像 發(fā)表于 10-04 03:18 ?9316次閱讀
    俄羅斯亮劍:公布<b class='flag-5'>EUV</b><b class='flag-5'>光刻</b>機(jī)路線圖,挑戰(zhàn)<b class='flag-5'>ASML</b>霸主地位?

    白光干涉儀在EUV光刻后的3D輪廓測量

    EUV(極紫外)光刻技術(shù)憑借 13.5nm 的短波長,成為 7nm 及以下節(jié)點(diǎn)集成電路制造的核心工藝,其光刻后形成的三維圖形(如鰭片、柵極、接觸孔等)尺寸通常在 5-50nm 范圍,高度 50-500nm。
    的頭像 發(fā)表于 09-20 09:16 ?512次閱讀

    EUV光刻膠材料取得重要進(jìn)展

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 隨著集成電路工藝的不斷突破, 當(dāng)制程節(jié)點(diǎn)持續(xù)向7nm及以下邁進(jìn),傳統(tǒng)的光刻技術(shù)已難以滿足高精度、高密度的制造需求,此時(shí),波長13.5nm的極紫外(EUV光刻技術(shù)逐漸成為支撐
    的頭像 發(fā)表于 08-17 00:03 ?3962次閱讀

    中科院微電子所突破 EUV 光刻技術(shù)瓶頸

    極紫外光刻(EUVL)技術(shù)作為實(shí)現(xiàn)先進(jìn)工藝制程的關(guān)鍵路徑,在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域占據(jù)著舉足輕重的地位。當(dāng)前,LPP-EUV 光源是極紫外光刻機(jī)所采用的主流光源,其工作原理是利用波長為 10.6um 的紅外
    的頭像 發(fā)表于 07-22 17:20 ?801次閱讀
    中科院微電子所突破 <b class='flag-5'>EUV</b> <b class='flag-5'>光刻</b>技術(shù)瓶頸

    ASML官宣:更先進(jìn)的Hyper NA光刻機(jī)開發(fā)已經(jīng)啟動(dòng)

    ASML 在極紫外光刻EUV)技術(shù)基礎(chǔ)上的革命性升級(jí)。通過將光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑(NA)從 0.33 提升至 0.55,其分辨率從 13.5nm(半節(jié)距)躍升至 8nm(半節(jié)
    發(fā)表于 06-29 06:39 ?1805次閱讀

    ASML光刻「芯 」勢力知識(shí)挑戰(zhàn)賽正式啟動(dòng)

    ASML光刻「芯」勢力知識(shí)挑戰(zhàn)賽由全球半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商ASML發(fā)起,是一項(xiàng)面向中國半導(dǎo)體人才與科技愛好者的科普賽事。依托ASML光刻領(lǐng)
    的頭像 發(fā)表于 06-23 17:04 ?1087次閱讀
    <b class='flag-5'>ASML</b>杯<b class='flag-5'>光刻</b>「芯 」勢力知識(shí)挑戰(zhàn)賽正式啟動(dòng)

    詳談X射線光刻技術(shù)

    隨著極紫外光刻EUV)技術(shù)面臨光源功率和掩模缺陷挑戰(zhàn),X射線光刻技術(shù)憑借其固有優(yōu)勢,在特定領(lǐng)域正形成差異化競爭格局。
    的頭像 發(fā)表于 05-09 10:08 ?1158次閱讀
    詳談X射線<b class='flag-5'>光刻</b>技術(shù)

    光刻圖形轉(zhuǎn)化軟件免費(fèi)試用

    光刻圖形轉(zhuǎn)化軟件可以將gds格式或者gerber格式等半導(dǎo)體通用格式的圖紙轉(zhuǎn)換成如bmp或者tiff格式進(jìn)行掩模版加工制造,在掩膜加工領(lǐng)域或者無掩膜光刻領(lǐng)域不可或缺,在業(yè)內(nèi)也被稱為矢量圖形光柵化軟件
    發(fā)表于 05-02 12:42

    BlackBerry QNX推出通用嵌入式開發(fā)平臺(tái)

    BlackBerry有限公司(紐交所代碼:BB;多倫多證券交易所代碼:BB)旗下部門QNX今日宣布推出QNX 通用嵌入式開發(fā)平臺(tái)(General Embedded Development
    的頭像 發(fā)表于 03-11 16:04 ?919次閱讀

    EUV光刻技術(shù)面臨新挑戰(zhàn)者

    ? EUV光刻有多強(qiáng)?目前來看,沒有EUV光刻,業(yè)界就無法制造7nm制程以下的芯片。EUV光刻機(jī)
    的頭像 發(fā)表于 02-18 09:31 ?1841次閱讀
    <b class='flag-5'>EUV</b><b class='flag-5'>光刻</b>技術(shù)面臨新挑戰(zhàn)者

    ASML發(fā)布2024年財(cái)報(bào),業(yè)績強(qiáng)勁增長

    億歐元。這一季度的新增訂單金額為71億歐元,其中EUV光刻機(jī)訂單占據(jù)了30億歐元,顯示出市場對(duì)ASML高端光刻技術(shù)的強(qiáng)烈需求。 回顧全年,ASML
    的頭像 發(fā)表于 02-10 11:14 ?1008次閱讀

    ASML:中國芯片落后西方15年!

    光刻機(jī)制造巨頭阿斯麥(ASML)的首席執(zhí)行官克里斯托夫·富凱表示,盡管近年來中國在半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)步,但與英特爾、臺(tái)積電和三星等行業(yè)巨頭相比, 中國的一些公司仍落后10到15年 。眾所周知
    的頭像 發(fā)表于 02-06 17:39 ?828次閱讀

    納米壓印光刻技術(shù)旨在與極紫外光刻EUV)競爭

    芯片制造、價(jià)值1.5億美元的極紫外(EUV,https://spectrum.ieee.org/tag/euv光刻掃描
    的頭像 發(fā)表于 01-09 11:31 ?1103次閱讀

    日本首臺(tái)EUV光刻機(jī)就位

    據(jù)日經(jīng)亞洲 12 月 19 日?qǐng)?bào)道,Rapidus 成為日本首家獲得極紫外 (EUV) 光刻設(shè)備的半導(dǎo)體公司,已經(jīng)開始在北海道芯片制造廠內(nèi)安裝極紫外光刻系統(tǒng)。 它將分四個(gè)階段進(jìn)行安裝,設(shè)備安裝預(yù)計(jì)在
    的頭像 發(fā)表于 12-20 13:48 ?1397次閱讀
    日本首臺(tái)<b class='flag-5'>EUV</b><b class='flag-5'>光刻</b>機(jī)就位