chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

比亞迪第二代刀片電池研發(fā)創(chuàng)新,能量密度攀升至190Wh/kg

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-05-24 09:42 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

在2021年5月23日,多家媒體曝光,比亞迪的第二代刀片電池系統(tǒng)研發(fā)已經(jīng)取得顯著成果,預(yù)計(jì)將在今年8月份正式亮相。

據(jù)了解,新一代電池的能量密度將提高到每千克190瓦時(shí),這意味著搭載此類電池的電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航里程有望突破1000公里。這一突破不僅代表著現(xiàn)有技術(shù)的巨大進(jìn)步,而且對(duì)未來新能源汽車市場具有深遠(yuǎn)影響。

早在2020年3月,比亞迪就首次推出了第一代刀片電池,其搭載車型比亞迪漢也在同年下半年上市。比亞迪表示,刀片電池的最大亮點(diǎn)在于超級(jí)安全性,在針刺試驗(yàn)中展現(xiàn)出了卓越性能,成功通過了行業(yè)內(nèi)最嚴(yán)格的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。

得益于刀片電池的優(yōu)勢(shì),比亞迪在國內(nèi)市場推出了眾多電動(dòng)車型,如唐、秦、漢等。此外,比亞迪還向北汽、廣汽、吉利、日產(chǎn)等汽車廠商供應(yīng)電池組件及電池系統(tǒng)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電動(dòng)汽車
    +關(guān)注

    關(guān)注

    156

    文章

    12552

    瀏覽量

    236255
  • 新能源汽車
    +關(guān)注

    關(guān)注

    141

    文章

    11272

    瀏覽量

    104651
  • 能量密度
    +關(guān)注

    關(guān)注

    6

    文章

    290

    瀏覽量

    17467
  • 刀片電池
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    59

    瀏覽量

    4351
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    新品 | 采用.XT擴(kuò)散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列

    新品采用.XT擴(kuò)散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三電平模塊、EasyPACK2C1200V8mΩ四單元模塊以及
    的頭像 發(fā)表于 11-24 17:05 ?1042次閱讀
    新品 | 采用.XT擴(kuò)散焊和<b class='flag-5'>第二代</b>1200V SiC MOSFET的Easy C系列

    新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET G2 1400V,TO-247PLUS-4回流焊封裝

    系統(tǒng)、工業(yè)變頻器等大功率輸出應(yīng)用的理想選擇。第二代1400VCoolSiCMOSFET前沿技術(shù)具有前沿性,可顯著提升熱管理性能、功率密度及系統(tǒng)可靠性。其封裝支持回流
    的頭像 發(fā)表于 11-17 17:02 ?1067次閱讀
    新品 | <b class='flag-5'>第二代</b>CoolSiC? MOSFET G2 1400V,TO-247PLUS-4回流焊封裝

    君正T41芯片助力覓睿第二代AOV產(chǎn)品亮相

    在AOV技術(shù)發(fā)展版圖中,覓睿與君正緊密攜手,共同繪就了創(chuàng)新畫卷。2024年,君正推出行業(yè)首顆AOV芯片T41,覓睿率先將其技術(shù)落地,成為該領(lǐng)域的開拓者。如今,隨著君正T32VN規(guī)格的發(fā)布,覓?;诖?b class='flag-5'>研發(fā)的第二代AOV產(chǎn)品震撼亮相
    的頭像 發(fā)表于 07-30 13:48 ?1120次閱讀

    新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET G2 750V - 工業(yè)級(jí)與車規(guī)級(jí)碳化硅功率器件

    新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工業(yè)級(jí)與車規(guī)級(jí)碳化硅功率器件第二代750VCoolSiCMOSFET憑借成熟的柵極氧化層技術(shù),在抗寄生導(dǎo)通方面展現(xiàn)出業(yè)界領(lǐng)先的可靠性。該器件在圖騰柱
    的頭像 發(fā)表于 07-28 17:06 ?771次閱讀
    新品 | <b class='flag-5'>第二代</b>CoolSiC? MOSFET G2 750V - 工業(yè)級(jí)與車規(guī)級(jí)碳化硅功率器件

    AMD第二代Versal AI Edge和Versal Prime系列加速量產(chǎn) 為嵌入式系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)單芯片智能

    我們推出了 AMD 第二代 Versal AI Edge 系列和第二代 Versal Prime 系列,這兩款產(chǎn)品是對(duì) Versal 產(chǎn)品組合的擴(kuò)展,可為嵌入式系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)單芯片智能。
    的頭像 發(fā)表于 06-11 09:59 ?1556次閱讀

    恩智浦推出第二代OrangeBox車規(guī)級(jí)開發(fā)平臺(tái)

    第二代OrangeBox開發(fā)平臺(tái)集成AI功能、后量子加密技術(shù)及內(nèi)置軟件定義網(wǎng)絡(luò)的能力,應(yīng)對(duì)快速演變的信息安全威脅。
    的頭像 發(fā)表于 05-27 14:25 ?1098次閱讀

    第二代AMD Versal Premium系列SoC滿足各種CXL應(yīng)用需求

    第二代 AMD Versal Premium 系列自適應(yīng) SoC 是一款多功能且可配置的平臺(tái),提供全面的 CXL 3.1 子系統(tǒng)。該系列自適應(yīng) SoC 旨在滿足從簡單到復(fù)雜的各種 CXL 應(yīng)用需求
    的頭像 發(fā)表于 04-24 14:52 ?976次閱讀
    <b class='flag-5'>第二代</b>AMD Versal Premium系列SoC滿足各種CXL應(yīng)用需求

    方正微電子推出第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS產(chǎn)品

    2025年4月16日,在上海舉行的三電關(guān)鍵技術(shù)高峰論壇上,方正微電子副總裁彭建華先生正式發(fā)布了第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品,性能達(dá)到國際頭部領(lǐng)先水平。
    的頭像 發(fā)表于 04-17 17:06 ?1328次閱讀

    寧德時(shí)代談開發(fā)第二代電池 性能指標(biāo)已與磷酸鐵鋰電池接近

    。 據(jù)悉,盡管相比于鋰電池,鈉電池能量密度要低一些,但安全性能和耐低溫性能要更好。此前寧德時(shí)代首席科學(xué)家吳凱就透露寧德時(shí)代第二代鈉離子
    的頭像 發(fā)表于 03-17 11:18 ?4.7w次閱讀

    比亞迪二代刀片電池或3月17日發(fā)布

    之后,又打出的一把大牌。 據(jù)悉,比亞迪第二代刀片電池能量密度提升很大;達(dá)到35%,由一
    的頭像 發(fā)表于 03-13 18:16 ?2776次閱讀

    新品 | 第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

    新品第二代CoolSiCMOSFETG2分立器件1200VTO-247-4HC高爬電距離采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiCMOSFETG21200V12mΩ至78mΩ系列以
    的頭像 發(fā)表于 02-08 08:34 ?921次閱讀
    新品 | <b class='flag-5'>第二代</b> CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

    簡單認(rèn)識(shí)第二代高通3D Sonic傳感器

    目前,已有多款搭載驍龍8至尊版移動(dòng)平臺(tái)的新機(jī)陸續(xù)發(fā)布,其中不少機(jī)型采用第二代高通3D Sonic超聲波指紋解鎖,為用戶帶來了更為便捷、高效的解鎖體驗(yàn)。作為高通新一超聲波指紋解鎖解決方案,第二代
    的頭像 發(fā)表于 01-21 10:05 ?1412次閱讀

    第二代AMD Versal Premium系列器件的主要應(yīng)用

    隨著數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載持續(xù)呈指數(shù)級(jí)增長,存儲(chǔ)層也需要同等的性能提升才能跟上步伐。第二代 AMD Versal Premium 系列器件為各種存儲(chǔ)應(yīng)用提供了巨大優(yōu)勢(shì),包括企業(yè)級(jí) SSD、加密/壓縮加速器
    的頭像 發(fā)表于 01-15 14:03 ?1017次閱讀

    第二代AMD Versal Premium系列產(chǎn)品亮點(diǎn)

    第二代 AMD Versal Premium 系列提供了全新水平的存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)帶寬,具備 CXL 3.1、PCIe Gen6 和 DDR5/LPDDR5X 接口功能,可滿足當(dāng)今和未來數(shù)據(jù)中心、通信
    的頭像 發(fā)表于 01-08 11:50 ?1221次閱讀

    簡單認(rèn)識(shí)高通第二代驍龍XR2+平臺(tái)

    在全新的數(shù)字浪潮中,虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)和混合現(xiàn)實(shí)(MR)技術(shù)不斷刷新著人們的感官體驗(yàn)。作為這些技術(shù)的核心驅(qū)動(dòng)力,平臺(tái)的性能升級(jí)也變得尤為重要。高通打造的第二代驍龍XR2+平臺(tái),能夠帶來更加清晰沉浸的MR和VR體驗(yàn),為開啟沉浸式未來提供更多可能。
    的頭像 發(fā)表于 01-07 10:28 ?1754次閱讀