三星HBM芯片遇阻英偉達(dá)測(cè)試
近日，三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在英偉達(dá)測(cè)試中遭遇挫折。據(jù)知情人士透露，芯片因發(fā)熱和功耗問(wèn)題未能達(dá)標(biāo)，影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
HBM3芯片作為當(dāng)前AI GPU中最常用的第四代HBM標(biāo)準(zhǔn)，此次測(cè)試失敗無(wú)疑給三星帶來(lái)了不小的壓力。三星在聲明中表示，HBM作為定制產(chǎn)品，會(huì)根據(jù)客戶(hù)需求進(jìn)行優(yōu)化，并強(qiáng)調(diào)正在與客戶(hù)緊密合作，以期盡快解決問(wèn)題。
然而，此次測(cè)試未達(dá)標(biāo)無(wú)疑增加了業(yè)界和投資者的擔(dān)憂(yōu)。有分析認(rèn)為，三星在HBM領(lǐng)域可能進(jìn)一步落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士和美光。如何迅速解決發(fā)熱和功耗問(wèn)題，成為三星當(dāng)前面臨的重大挑戰(zhàn)。
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