隨著Chat GPT的火爆，整個(gè)AI硬件市場迎來了奇點(diǎn)，除了GPU之外，HBM存儲(chǔ)也進(jìn)入了爆發(fā)式的增長，根據(jù)TrendForce，2022年全球HBM容量約為1.8億GB，2023年增長約60%達(dá)到2.9億GB，2024年將再增長30%。如果以HBM每GB售價(jià)20美元測算，2022年全球HBM市場規(guī)模約為36.3億美元，預(yù)計(jì)至2026年市場規(guī)模將達(dá)127.4億美元，對應(yīng)CAGR約37%。

然而，全球的HBM生產(chǎn)基本壟斷在SK海力士，三星及美光的手中，其中SK海力士在HBM市場擁有最大的市場份額，它是占據(jù)AI GPU市場80%份額的Nvidia的HBM3內(nèi)存唯一供應(yīng)商，并于3月份開始量產(chǎn)最新一代HBM3E。美光和三星等競爭供應(yīng)商正在開發(fā)自己的 HBM產(chǎn)品，以阻止SK海力士主導(dǎo)市場。在整個(gè)市場中，中國廠商基本完全缺位。

同時(shí)，由于美國BIS 2022年針對高算力芯片的規(guī)則3A090管控指標(biāo)較高，英偉達(dá)等廠商通過降低芯片互聯(lián)速率方式對中國持續(xù)供應(yīng)，同時(shí)，美國商務(wù)部認(rèn)為中國企業(yè)通過海外子公司或者其他海外渠道，規(guī)避許可證相關(guān)規(guī)定獲取先進(jìn)計(jì)算芯片。2023年新規(guī)修改了3A090芯片及相關(guān)物項(xiàng)的技術(shù)指標(biāo)，擴(kuò)大了針對高算力芯片的許可證要求及直接產(chǎn)品原則的適用范圍，并增加了先進(jìn)計(jì)算最終用途管控。在美國的制裁和管控下，無論是先進(jìn)的GPU，HBM產(chǎn)品，還是制造AI芯片和HBM的先進(jìn)封裝設(shè)備，都基本斷絕了對中國的供給。

芯片和存儲(chǔ)的制造，是卡在中國AI產(chǎn)業(yè)脖子上最緊的鐵鏈，其中最關(guān)鍵的設(shè)備，除了光刻機(jī)之外，在整個(gè)AI芯片和HBM的制造工藝中，2.5D或者3D先進(jìn)封裝，芯片堆疊的先進(jìn)工藝和設(shè)備是其核心之一，無論海力士，三星還是美光，現(xiàn)階段采用的均是TCB工藝，其中，海力士采用TCB MR-MUF, 三星及美光主要以TCB NCF技術(shù)，但是隨著HBM的發(fā)展，隨著HBM4的到來，堆疊層數(shù)從8層到16層，IO間距持續(xù)縮小到10微米左右的，TCB工藝也向著Fluxless演進(jìn)。

在過去數(shù)年，普萊信智能一直和相關(guān)客戶緊密配合，進(jìn)行TCB工藝和整機(jī)的研發(fā)，攻克并構(gòu)建了自己的納米級(jí)運(yùn)動(dòng)控制平臺(tái)，超高速的溫度升降系統(tǒng)，自動(dòng)調(diào)平系統(tǒng)及甲酸還原系統(tǒng)。在此基礎(chǔ)上，普萊信智能構(gòu)建完成Loong系列TC Bonder技術(shù)平臺(tái)，并針對AI芯片，HBM等不同產(chǎn)品的需求，推出Loong WS及Loong F系列產(chǎn)品。

其中Loong WS可以兼容C2W及C2S封裝形式，最高精度為±1um, 做到和國外最先進(jìn)產(chǎn)品同一水準(zhǔn)，可以支持TCB NCF， TCB MR-MUF等工藝。

Loong F為下一代的HBM3E和HBM技術(shù)準(zhǔn)備的Fluxless工藝設(shè)備，在Loong WS平臺(tái)基礎(chǔ)上增加了甲酸還原系統(tǒng)，消除了Flux在整個(gè)堆疊工藝中帶來的不良，可以直接進(jìn)行coper-coper的鍵合，支持最小IO pitch在15微米，在未來HBM4堆疊層數(shù)增加和IO激增的情況下，Loong F將會(huì)是最具性價(jià)比的解決方案。

相信隨著中國半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步和普萊信智能Loong系列TCB設(shè)備的推出和量產(chǎn)，國產(chǎn)廠商在AI芯片和HBM產(chǎn)品的研發(fā)和制造上，將在不遠(yuǎn)的將來引來爆發(fā)點(diǎn)。

審核編輯 黃宇