臺積電近期突然改變態(tài)度，對于采購艾司摩爾高數(shù)值孔徑極紫外光刻機（High-NA EUV）事宜產(chǎn)生濃厚興趣。

此前，該公司首席執(zhí)行官魏哲家曾明確表示，過早引入High-NA EUV并無太大經(jīng)濟效益，直到日前其秘密訪問ASML總部，使市場猜測臺積電是否因此事發(fā)生重大轉(zhuǎn)變。

據(jù)wccftech等多個科技媒體聯(lián)合報道及韓國商業(yè)情報媒體《Business Korea》的透露，有知情者透露，魏哲家并未出席于23日召開的臺積電2024年技術(shù)論壇臺灣場，而是選擇在26日前往ASML荷蘭總部以及工業(yè)激光制造商創(chuàng)浦（TRUMPF）的德國總部進(jìn)行訪問。

金融分析師丹·奈斯泰德（Dan Nystedt）在28日的文章中指出，臺積電可能已經(jīng)開始積極尋求購買High-NA EUV設(shè)備，原因在于魏哲家的此次行程并非參加臺灣舉辦的技術(shù)論壇，而是選擇訪問ASML和創(chuàng)浦這兩家重要的設(shè)備供應(yīng)商。

業(yè)內(nèi)人士據(jù)此推測，臺積電有意購買High-NA EUV設(shè)備，因為這種設(shè)備對于生產(chǎn)2納米以下芯片至關(guān)重要。值得注意的是，ASML已于去年年底向英特爾交付了第一臺High-NA EUV設(shè)備。

分析認(rèn)為，臺積電管理層此次訪問ASML，無疑是為了鞏固其在全球半導(dǎo)體行業(yè)中的領(lǐng)導(dǎo)地位。

按照原計劃，臺積電將在2026年下半年實現(xiàn)1.6納米制程的大規(guī)模量產(chǎn)后，才考慮引進(jìn)High-NA EUV設(shè)備。然而，High-NA EUV設(shè)備的價格高達(dá)3.8億美元，相當(dāng)于新臺幣123億元，比現(xiàn)有的EUV設(shè)備高出近一倍。

在此背景下，臺積電的主要競爭對手英特爾和三星電子也紛紛采取行動。英特爾希望借助High-NA EUV設(shè)備，進(jìn)一步擴大其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢。

目前，已有多臺High-NA EUV設(shè)備被運往英特爾的晶圓代工廠，預(yù)計將首先在1.8納米制程上進(jìn)行測試，然后再逐步推廣至1.4納米制程。

另一方面，三星集團會長李在镕也在今年4月份親自訪問了ASML的關(guān)鍵合作伙伴蔡司位于德國的總部，與ASML執(zhí)行長傅凱和蔡司執(zhí)行長蘭普雷希特進(jìn)行了會面，旨在加強三方在半導(dǎo)體領(lǐng)域的合作關(guān)系。