隨著人工智能(AI)技術(shù)的快速發(fā)展，AI處理器對(duì)功率的需求呈現(xiàn)出顯著增長態(tài)勢。為了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份有限公司近日宣布，將SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的開發(fā)范圍擴(kuò)展至400V領(lǐng)域，并推出了全新的CoolSiC? 400V MOSFET系列。這一創(chuàng)新產(chǎn)品不僅滿足了AI服務(wù)器電源(PSU)日益增長的功率需求，同時(shí)保持了服務(wù)器機(jī)架規(guī)定的緊湊尺寸。

英飛凌此次推出的CoolSiC? 400V MOSFET系列，是基于今年早些時(shí)候發(fā)布的第二代(G2)CoolSiC技術(shù)的進(jìn)一步演進(jìn)。這一產(chǎn)品組合專門針對(duì)AI服務(wù)器的AC/DC(交流/直流)階段設(shè)計(jì)，與該公司近期公布的PSU路線圖相輔相成。除了AI服務(wù)器外，這些器件還廣泛應(yīng)用于太陽能和儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)、逆變器電機(jī)控制、工業(yè)和輔助電源(SMPS)以及住宅結(jié)構(gòu)的固態(tài)斷路器等多個(gè)領(lǐng)域。

與現(xiàn)有市場上的650V SiC和Si MOSFET相比，英飛凌的CoolSiC? 400V MOSFET系列在傳導(dǎo)和開關(guān)損耗方面實(shí)現(xiàn)了顯著降低。在AI服務(wù)器PSU的AC/DC級(jí)中，通過采用多級(jí)PFC(功率因數(shù)校正)技術(shù)，該系列MOSFET實(shí)現(xiàn)了高達(dá)100W/in3的功率密度，并達(dá)到了99.5%的卓越效率，相較于使用650V SiC MOSFET的解決方案，效率提升了0.3個(gè)百分點(diǎn)。

值得一提的是，CoolGaN?晶體管在DC/DC(直流/直流)級(jí)的集成應(yīng)用，為AI服務(wù)器PSU提供了完整的系統(tǒng)解決方案。通過高性能MOSFET和晶體管的混合使用，電源系統(tǒng)能夠提供超過8kW的功率，相較于現(xiàn)有系統(tǒng)，功率密度提升了3倍以上。

全新的CoolSiC? 400V MOSFET系列共包含10個(gè)項(xiàng)目，涵蓋了五種不同的RDS(on)(導(dǎo)通電阻)等級(jí)，范圍從11到45 mΩ。這些MOSFET采用先進(jìn)的開爾文源TOLL和D2PAK-7封裝，以及創(chuàng)新的.XT封裝連接技術(shù)。在T vj = 25°C(結(jié)溫)時(shí)，漏源擊穿電壓達(dá)到400V，使其非常適合應(yīng)用于2級(jí)和3級(jí)轉(zhuǎn)換器以及同步整流等場景。

這些組件在具有挑戰(zhàn)性的開關(guān)條件下展現(xiàn)出卓越的性能和可靠性。先進(jìn)的CoolSiC技術(shù)與.XT連接技術(shù)的結(jié)合，使得設(shè)備能夠輕松應(yīng)對(duì)意外的功率增加以及AI處理器功率需求突然變化帶來的波動(dòng)。即使在結(jié)溫升高的情況下，這些MOSFET也能保持出色的性能，這要?dú)w功于其連接技術(shù)和低且正的RDS(on)溫度系數(shù)。