傳三星電子12nm級DRAM內(nèi)存良率不足五成
近日，據(jù)韓國媒體報道，三星在其1b nm（即12nm級）DRAM內(nèi)存生產(chǎn)過程中遇到了良率不足的挑戰(zhàn)。目前，該制程的良率仍低于業(yè)界一般目標(biāo)的80%~90%，僅達到五成左右。為了應(yīng)對這一局面，三星已在上月成立了專門的工作組，致力于迅速提升良率。
值得一提的是，三星的12nm級制程在DRAM內(nèi)存領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。特別是32Gb的顆粒容量，使得三星能夠在不使用TSV（Through Silicon Via）工藝的情況下，生產(chǎn)出高達128GB容量的高密度DDR5 RDIMM內(nèi)存條。相較于采用TSV技術(shù)的3DS DIMM內(nèi)存，這種常規(guī)內(nèi)存條在功耗上減少了10%，同時制造成本也顯著降低。
因此，三星對12nm級制程的32Gb DDR5內(nèi)存顆粒寄予厚望，視其為未來的主力產(chǎn)品。為了確保這一戰(zhàn)略的實現(xiàn)，三星不僅成立了專門工作組，還決定積極擴大12nm級DRAM的產(chǎn)量。據(jù)悉，未來華城15和平澤P2晶圓廠將成為這一產(chǎn)品的主要生產(chǎn)基地。
目前，平澤P2晶圓廠主要生產(chǎn)1z nm內(nèi)存，但三星計劃對該廠進行工藝升級，以適應(yīng)12nm級DRAM的生產(chǎn)需求。隨著三星對良率提升和產(chǎn)量擴大的不斷努力，我們有理由期待其在未來DDR5內(nèi)存市場上取得更大的成功。
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