來源：內(nèi)容由RISC-V國際人才培養(yǎng)認證中心 編譯自DRAMSec，作者：Michele Marazzi；Kaveh Razavi。

蘇黎世聯(lián)邦理工學院的研究人員發(fā)表了一篇題為“RISC-H：針對 RISC-V 的 Rowhammer 攻擊”的新技術(shù)論文。RISC-H 將在DRAMSec（與 ISCA 2024 同期舉辦）上進行展示。

摘要：

“就在幾個月前，首款支持DDR4的高端RISC-V CPU剛剛發(fā)布。目前尚無關(guān)于RISC-V設(shè)備上Rowhammer攻擊的研究，尚不清楚是否有可能在這些新架構(gòu)上危害系統(tǒng)安全。通過RISC-H，我們旨在通過克服一系列挑戰(zhàn)來填補這一空白：首先，內(nèi)存控制器的DRAM功能未公開，我們通過行沖突側(cè)信道進行逆向工程。其次，我們發(fā)現(xiàn)敲擊多行會導致激活吞吐量顯著降低，使Rowhammer攻擊失敗。

我們確定這種低性能是由內(nèi)存子系統(tǒng)中攻擊行共享某些物理地址位和慢速排序指令時的爭用引起的。為了應對這一挑戰(zhàn)，我們利用不同的列地址來減少爭用，并依靠一種新穎的方法來通過在訪問模式中插入精確延遲來排序內(nèi)存訪問。結(jié)合這些見解，我們新的Rowhammer攻擊，稱為RISC-H，可以觸發(fā)RISC-V CPU上的首個DDR4位翻轉(zhuǎn)。這些結(jié)果表明，RISC-V生態(tài)系統(tǒng)同樣受到Rowhammer的影響，并進一步強調(diào)了需要采取有效的緩解措施?！?/span>

圖 1：來源：RISC-H：Rowhammer 對 RISC-V 的攻擊。蘇黎世聯(lián)邦理工學院。