SK海力士加大1b DRAM產(chǎn)能以滿足市場(chǎng)需求
在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)風(fēng)起云涌的當(dāng)下，SK海力士再次展現(xiàn)出其前瞻性和決斷力。據(jù)行業(yè)內(nèi)部消息透露，該公司正積極擴(kuò)大其第5代1b DRAM的生產(chǎn)規(guī)模，以應(yīng)對(duì)當(dāng)前市場(chǎng)對(duì)HBM（高帶寬內(nèi)存）及DDR5 DRAM不斷增長(zhǎng)的需求。
為確保產(chǎn)能的迅速提升，SK海力士已向多家設(shè)備公司下達(dá)了訂單，采購(gòu)了必要的生產(chǎn)設(shè)備。這一舉措不僅顯示出其對(duì)市場(chǎng)的深度理解，更體現(xiàn)了其強(qiáng)大的供應(yīng)鏈整合能力。
根據(jù)公司的計(jì)劃，到今年年底，SK海力士的1b DRAM產(chǎn)能將從第一季度的每月1萬(wàn)片晶圓大幅提升至每月9萬(wàn)片。這一增長(zhǎng)幅度之大，足以看出SK海力士對(duì)市場(chǎng)需求的敏銳洞察和積極應(yīng)對(duì)。
而更長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，SK海力士的野心遠(yuǎn)不止于此。公司計(jì)劃到明年上半年，將1b DRAM的月產(chǎn)量進(jìn)一步提升至14萬(wàn)至15萬(wàn)片。這一目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)，無(wú)疑將進(jìn)一步鞏固SK海力士在全球DRAM市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
31208瀏覽量
266386 -
DRAM
+關(guān)注
關(guān)注
41文章
2401瀏覽量
189553 -
SK海力士
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
1009瀏覽量
41896
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
192GB，SK海力士開始為英偉達(dá)Vera Rubin量產(chǎn)SOCAMM2
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文 / 吳子鵬）日前，SK 海力士宣布正式量產(chǎn)基于第六代 10 納米級(jí)（1c）LPDDR5X DRAM 的 192GB 容量 SOCAMM2（Small Outlin
SK海力士正式量產(chǎn)基于1c LPDDR5X的192GB容量SOCAMM2
SK海力士20日宣布，正式量產(chǎn)基于第六代10納米級(jí)（1c）LPDDR5X低功耗DRAM的192GB（千兆字節(jié)）容量SOCAMM2產(chǎn)品。 ? SOCAMM2*是一款將主要適用于智能手機(jī)等
KV緩存黑科技！SK海力士“H3存儲(chǔ)架構(gòu)”，HBM和HBF技術(shù)加持！
據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，SK海力士近日在IEEE（電氣與電子工程師協(xié)會(huì)）全球半導(dǎo)體大會(huì)上發(fā)表論文，提出了一種全新的存儲(chǔ)架構(gòu)。據(jù)悉，該架構(gòu)名為“H3（hybrid semiconductor
臺(tái)積電未來(lái)10年產(chǎn)能至少翻倍！AI存儲(chǔ)需求旺，SK海力士和三星業(yè)績(jī)飄紅
Vera Rubin 是由 6 款不同的芯片組成，這些芯片每顆都是世界上最先進(jìn)的芯片，臺(tái)積電做得非常好，他們非常非常努力，我們今年的需求量非常龐大?！?b class='flag-5'>SK海力士和三星電子相繼發(fā)布財(cái)報(bào)，顯示存儲(chǔ)
SK海力士HBS存儲(chǔ)技術(shù)，基于垂直導(dǎo)線扇出VFO封裝工藝
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，據(jù)韓媒報(bào)道，存儲(chǔ)行業(yè)巨頭SK海力士正全力攻克一項(xiàng)全新的性能瓶頸技術(shù)高帶寬存儲(chǔ)HBS。 ? SK海力士研發(fā)的這項(xiàng)HBS技術(shù)采用了創(chuàng)新的芯片堆疊方案。根據(jù)規(guī)劃，該技術(shù)
SK海力士發(fā)布未來(lái)存儲(chǔ)路線圖
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，近日，韓國(guó)首爾舉行的“SK AI Summit 2025”峰會(huì)上，SK海力士CEO郭魯正（Kwak Noh-Jung）正式宣布了公司向 “全線AI存儲(chǔ)創(chuàng)造者”（Full
SK海力士ZUFS 4.1閃存，手機(jī)端AI運(yùn)行時(shí)間縮短47%！
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，SK海力士宣布，已正式向客戶供應(yīng)其全球率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的移動(dòng)端NAND閃存解決方案產(chǎn)品ZUFS 4.1。 ? SK海力士通過(guò)與客戶的密切合作，于今年6月成功完成了該產(chǎn)
SK海力士321層4D NAND的誕生
SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲(chǔ)器供應(yīng)商（Full Stack AI Memory Provider）”，不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新，在NAND閃存（NAND Flash，以下簡(jiǎn)稱NAND
SK海力士在微細(xì)工藝技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先實(shí)力
SK海力士的成功神話背后，離不開眾多核心技術(shù)的支撐，其中最令人矚目的便是“微細(xì)工藝”。通過(guò)對(duì)肉眼難以辨識(shí)的微細(xì)電路進(jìn)行更為精細(xì)化的處理，SK海力士憑借壓倒性的技術(shù)實(shí)力，引領(lǐng)著全球半導(dǎo)體
SK海力士HBM技術(shù)的發(fā)展歷史
SK海力士在鞏固其面向AI的存儲(chǔ)器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面，HBM1無(wú)疑發(fā)揮了決定性作用。無(wú)論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)先地位，這些成就的
SK海力士宋清基TL榮庸發(fā)明日銅塔產(chǎn)業(yè)勛章
SK海力士宣布，5月19日于首爾COEX麻谷會(huì)展中心舉行的“第60屆發(fā)明日紀(jì)念儀式”上，來(lái)自HBM開發(fā)部門的宋清基TL榮庸銅塔產(chǎn)業(yè)勛章。
SK海力士如何成為面向AI的存儲(chǔ)器市場(chǎng)領(lǐng)跑者
近年來(lái)，SK海力士屢獲創(chuàng)新成果，這些成就皆得益于“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神（One Team Spirit）”。無(wú)論是創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績(jī)、開發(fā)出全球領(lǐng)先產(chǎn)品，還是躍升成為全球頂級(jí)面向AI的存儲(chǔ)器供應(yīng)商，這些
SK海力士UFS 4.1來(lái)了，基于321層1Tb TLC 4D NAND閃存
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存的移動(dòng)端解決方案產(chǎn)品UFS 4.1
HBM重構(gòu)DRAM市場(chǎng)格局，2025年首季DRAM市占排名
增長(zhǎng)42.5%至267.29億美元，環(huán)比減少8.5%。 ? 然而不可忽視的是，在2025年一季度，SK海力士憑借在HBM領(lǐng)域的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，終結(jié)三星長(zhǎng)達(dá)四十多年的市場(chǎng)統(tǒng)治地位，以36.7%的市場(chǎng)
英偉達(dá)供應(yīng)商SK海力士盈利大增158%
得益于AI需求的有力推動(dòng)；高帶寬內(nèi)存(HBM)需求持續(xù)暴漲，這帶動(dòng)了英偉達(dá)供應(yīng)商SK海力士盈利大增158%。 據(jù)SK
評(píng)論