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三星開發(fā)新的芯片封裝技術(shù)FOWLP-HPB,以防止AP過(guò)熱

半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 來(lái)源:半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 作者:半導(dǎo)體芯科技SiS ? 2024-07-05 18:22 ? 次閱讀
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根據(jù)韓國(guó)媒體 TheElce 的報(bào)導(dǎo),三星正在開發(fā)一種新的晶片封裝技術(shù),以防止自研 Exynos 系列手機(jī)處理器 (AP) 過(guò)熱的情況。

報(bào)導(dǎo)引用知情人士的說(shuō)法指出,三星新的封裝技術(shù)將在手機(jī)處理器的頂部附加了一塊散熱塊(HPB),這樣的技術(shù)被稱之為晶圓級(jí)扇出型 HPB 封裝 (FOWLP-HPB) 技術(shù),由三星晶片部門旗下的先進(jìn)封裝 (AVP) 業(yè)務(wù)部門開發(fā),預(yù)計(jì)未來(lái)用于的 Exynos 系列手機(jī)處理器上,目標(biāo)是在 2024 年第四季完成開發(fā),并開始大量生產(chǎn)。

另外,該公司還正在開發(fā)一種可以安裝多個(gè)晶片的晶圓級(jí)扇出型 FOWLP 封裝技術(shù),該技術(shù)則是將于 2025 年第四季推出。預(yù)計(jì),新的兩種封裝技術(shù)都將把 HPB 安裝在 SoC 頂部,而記憶體則放置在 HPB 的旁邊。

報(bào)導(dǎo)表示,事實(shí)上目前 HPB 已經(jīng)在服務(wù)器和 PC 的處理器中使用。由于智能手機(jī)的外形尺寸較小,使得技術(shù)現(xiàn)在才被導(dǎo)入。而相較于當(dāng)前的智能手機(jī),大多使用均熱片透過(guò)容納冷媒來(lái)冷卻處理器和其他核心營(yíng)組件,HPB 則是僅作用在處理器的散熱上。

現(xiàn)階段,三星正在考慮采用 2.5D 或 3D 封裝來(lái)將該技術(shù)進(jìn)一步導(dǎo)入,這是因?yàn)槿斯ぶ腔蹜?yīng)用的日益普及,也增加了人們對(duì)晶片繞量增加的憂慮。對(duì)此,三星以往的經(jīng)驗(yàn)感受甚深,因?yàn)閮赡昵巴瞥龅?Galaxy S22 智能手機(jī)就因?yàn)樘幚砥鬟^(guò)熱問(wèn)題飽受使用者的批評(píng)。

而相較于現(xiàn)在希望藉由 HPB 來(lái)進(jìn)行手機(jī)處理器的散熱,當(dāng)時(shí)三星則是試圖透過(guò)其游戲的優(yōu)化服務(wù) (GOS) 應(yīng)用程式來(lái)阻止這種情況。也就是該應(yīng)用程式在不通知客戶的情況下,強(qiáng)制降低手機(jī)處理器的效能,以防止過(guò)熱的情況發(fā)生。不過(guò),在三星提出 HPB 機(jī)制來(lái)降低手機(jī)處理器過(guò)熱的情況之后,預(yù)計(jì)在后續(xù)的手機(jī)處理器設(shè)計(jì)上都將采用這樣的做法。

審核編輯 黃宇

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