chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

拯救摩爾定律!僅分子大小世界最小晶體管問世

454398 ? 來源:網(wǎng)絡(luò) ? 作者:佚名 ? 2015-07-24 10:24 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

在拯救摩爾定律的道路上,大家似乎都卯足了勁。不久前,IBM宣布研發(fā)成功7nm芯片,而現(xiàn)在,又有研發(fā)團(tuán)隊(duì)宣稱制備成功了有史以來最小的晶體管——只有單個(gè)分子大小。

實(shí)現(xiàn)這一驚人成就的是來自一支德國(guó)、日本和美國(guó)的聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì),他們?cè)谏榛熅w襯底上使用12個(gè)帶正電的銦原子環(huán)繞一個(gè)酞菁分子,然后就得到了一個(gè)晶體管。

早在2012年,IBM就宣稱成功將單個(gè)比特的信息集成到了12個(gè)原子構(gòu)成的結(jié)構(gòu)上,而這一次晶體管的制備成功又是在這一基礎(chǔ)上的巨大飛躍。這個(gè)晶體管直徑僅為167皮米(10-12米),比之前最小的電路還要小42倍。

這一成就的基礎(chǔ)是研究人員意外發(fā)現(xiàn)酞菁分子的取向會(huì)受到其上電荷的影響,然后通過掃描隧道電子顯微鏡的電子流限制銦原子的運(yùn)動(dòng),將銦原子精確地限制在特定的柵格內(nèi)。

但是這一研究成果還處于早期階段,實(shí)用化還遙遙無期,但這一研究成果鋪平了實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量子計(jì)算的道路,但具體的情況還有待進(jìn)一步驗(yàn)證。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • IBM
    IBM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    1861

    瀏覽量

    76884
  • 摩爾定律
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    640

    瀏覽量

    80739
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    78

    文章

    10382

    瀏覽量

    147156
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    ,有沒有一種簡(jiǎn)單且有效的器件實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓的選擇呢?本文將介紹一種電場(chǎng)型多值電壓選擇晶體管,之所以叫電壓型,是因?yàn)橥ㄟ^調(diào)控晶體管內(nèi)建電場(chǎng)大小來實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓的選擇,原理是PN結(jié)有內(nèi)建電場(chǎng),通過外加電場(chǎng)來增大或減小
    發(fā)表于 09-15 15:31

    【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗(yàn)】+工藝創(chuàng)新將繼續(xù)維持著摩爾神話

    。那該如何延續(xù)摩爾神話呢? 工藝創(chuàng)新將是其途徑之一,芯片中的晶體管結(jié)構(gòu)正沿著摩爾定律指出的方向一代代演進(jìn),本段加速半導(dǎo)體的微型化和進(jìn)一步集成,以滿足AI技術(shù)及高性能計(jì)算飛速發(fā)展的需求。 CMOS工藝從
    發(fā)表于 09-06 10:37

    當(dāng)摩爾定律 “踩剎車” ,三星 、AP、普迪飛共話半導(dǎo)體制造新變革新機(jī)遇

    ,揭示行業(yè)正處于從“晶體管密度驅(qū)動(dòng)”向“系統(tǒng)級(jí)創(chuàng)新”轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。隨著摩爾定律放緩、供應(yīng)鏈分散化政策推進(jìn),一場(chǎng)融合制造技術(shù)革新與供應(yīng)鏈數(shù)字化的產(chǎn)業(yè)變革正在上演。
    的頭像 發(fā)表于 08-19 13:48 ?1222次閱讀
    當(dāng)<b class='flag-5'>摩爾定律</b> “踩剎車” ,三星 、AP、普迪飛共話半導(dǎo)體制造新變革新機(jī)遇

    AI狂飆, FPGA會(huì)掉隊(duì)嗎? (上)

    摩爾定律說,集成電路上的晶體管數(shù)量大約每?jī)赡攴环?。隨著晶體管尺寸接近物理極限,摩爾定律的原始含義已不再適用,但計(jì)算能力的提升并沒有停止。英偉達(dá)的SOC在過去幾年的發(fā)展中,AI算力大致
    的頭像 發(fā)表于 08-07 09:03 ?1110次閱讀
    AI狂飆, FPGA會(huì)掉隊(duì)嗎? (上)

    東京大學(xué)開發(fā)氧化銦(InGaOx)新型晶體管,延續(xù)摩爾定律提供新思路

    據(jù)報(bào)道,東京大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)近日成功開發(fā)出一種基于摻鎵氧化銦(InGaOx)晶體材料的新型晶體管。這一創(chuàng)新在微電子技術(shù)領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注,標(biāo)志著微電子器件性能提升的重要突破。該研究團(tuán)隊(duì)的環(huán)繞式金屬
    的頭像 發(fā)表于 07-02 09:52 ?880次閱讀
    東京大學(xué)開發(fā)氧化銦(InGaOx)新型<b class='flag-5'>晶體管</b>,延續(xù)<b class='flag-5'>摩爾定律</b>提供新思路

    鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的原理和優(yōu)勢(shì)

    自半導(dǎo)體晶體管問世以來,集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言,單位面積上的晶體管數(shù)量每?jī)赡攴环?,而這一進(jìn)步在過去幾十年里
    的頭像 發(fā)表于 06-03 18:24 ?1651次閱讀
    鰭式場(chǎng)效應(yīng)<b class='flag-5'>晶體管</b>的原理和優(yōu)勢(shì)

    低功耗熱發(fā)射極晶體管的工作原理與制備方法

    集成電路是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石,而晶體管則是集成電路的基本單元。沿著摩爾定律發(fā)展,現(xiàn)代集成電路的集成度不斷提升,目前單個(gè)芯片上已經(jīng)可以集成數(shù)百億個(gè)晶體管。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 16:06 ?1207次閱讀
    低功耗熱發(fā)射極<b class='flag-5'>晶體管</b>的工作原理與制備方法

    跨越摩爾定律,新思科技掩膜方案憑何改寫3nm以下芯片游戲規(guī)則

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)在半導(dǎo)體行業(yè)邁向3nm及以下節(jié)點(diǎn)的今天,光刻工藝的精度與效率已成為決定芯片性能與成本的核心要素。光刻掩模作為光刻技術(shù)的“底片”,其設(shè)計(jì)質(zhì)量直接決定了晶體管結(jié)構(gòu)的精準(zhǔn)度
    的頭像 發(fā)表于 05-16 09:36 ?5695次閱讀
    跨越<b class='flag-5'>摩爾定律</b>,新思科技掩膜方案憑何改寫3nm以下芯片游戲規(guī)則

    電力電子中的“摩爾定律”(1)

    創(chuàng)始人之一的戈登·摩爾(GordonMoore)在《電子器件會(huì)議記錄》中提出,集成電路芯片上所能容納的晶體管數(shù)量每隔大約18至24個(gè)月會(huì)翻倍,同時(shí)成本也會(huì)相應(yīng)下降
    的頭像 發(fā)表于 05-10 08:32 ?787次閱讀
    電力電子中的“<b class='flag-5'>摩爾定律</b>”(1)

    玻璃基板在芯片封裝中的應(yīng)用

    自集成電路誕生以來,摩爾定律一直是其發(fā)展的核心驅(qū)動(dòng)力。根據(jù)摩爾定律,集成電路單位面積上的晶體管數(shù)量每18到24個(gè)月翻一番,性能也隨之提升。然而,隨著晶體管尺寸的不斷縮小,制造工藝的復(fù)雜
    的頭像 發(fā)表于 04-23 11:53 ?2885次閱讀
    玻璃基板在芯片封裝中的應(yīng)用

    多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    ,有沒有一種簡(jiǎn)單且有效的器件實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓的選擇呢?本文將介紹一種電場(chǎng)型多值電壓選擇晶體管,之所以叫電壓型,是因?yàn)橥ㄟ^調(diào)控晶體管內(nèi)建電場(chǎng)大小來實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓的選擇,原理是PN結(jié)有內(nèi)建電場(chǎng),通過外加電場(chǎng)來增大或減小
    發(fā)表于 04-15 10:24

    晶體管電路設(shè)計(jì)(下)

    晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計(jì),源極跟隨器電路設(shè)計(jì),F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作,柵極接地放大電路的設(shè)計(jì),電流反饋型OP放大器的設(shè)計(jì)與制作,進(jìn)晶體管
    發(fā)表于 04-14 17:24

    瑞沃微先進(jìn)封裝:突破摩爾定律枷鎖,助力半導(dǎo)體新飛躍

    在半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展歷程中,技術(shù)創(chuàng)新始終是推動(dòng)行業(yè)前進(jìn)的核心動(dòng)力。深圳瑞沃微半導(dǎo)體憑借其先進(jìn)封裝技術(shù),用強(qiáng)大的實(shí)力和創(chuàng)新理念,立志將半導(dǎo)體行業(yè)邁向新的高度。 回溯半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展軌跡,摩爾定律無疑是一個(gè)重要的里程碑
    的頭像 發(fā)表于 03-17 11:33 ?806次閱讀
    瑞沃微先進(jìn)封裝:突破<b class='flag-5'>摩爾定律</b>枷鎖,助力半導(dǎo)體新飛躍

    混合鍵合中的銅連接:或成摩爾定律救星

    將兩塊或多塊芯片疊放在同一個(gè)封裝中。這使芯片制造商能夠增加處理器和內(nèi)存中的晶體管數(shù)量,雖然晶體管的縮小速度已普遍放緩,但這曾推動(dòng)摩爾定律發(fā)展。2024年5月,在美國(guó)丹佛舉行的IEEE電子器件與技術(shù)大會(huì)(ECTC)上,來自
    的頭像 發(fā)表于 02-09 09:21 ?1303次閱讀
    混合鍵合中的銅連接:或成<b class='flag-5'>摩爾定律</b>救星

    互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)和作用

    , Gate-all-Around)全環(huán)繞柵極晶體管(GAAFET)等先進(jìn)結(jié)構(gòu),在減少漏電、降低功耗方面雖然取得了顯著成就,但進(jìn)一步微縮的挑戰(zhàn)日益顯現(xiàn)。為了延續(xù)摩爾定律的發(fā)展趨勢(shì),并滿足未來高性能計(jì)算的需求,業(yè)界正積極研發(fā)下一代晶體管
    的頭像 發(fā)表于 01-24 10:03 ?4594次閱讀
    互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)<b class='flag-5'>晶體管</b>的結(jié)構(gòu)和作用