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SK海力士用更加環(huán)保的氟氣替代三氟化氮用于芯片清潔工藝

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-07-26 15:44 ? 次閱讀
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SK 海力士,作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商,近期在環(huán)保領(lǐng)域邁出了重要一步,宣布在其芯片生產(chǎn)的關(guān)鍵清洗工藝中,將采用更為環(huán)保的氣體——氟氣(F2)來替代傳統(tǒng)的三氟化氮(NF3)。這一舉措不僅彰顯了SK 海力士對(duì)環(huán)境保護(hù)的堅(jiān)定承諾,也標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)向綠色生產(chǎn)邁出的新步伐。

據(jù)SK 海力士2024年可持續(xù)發(fā)展報(bào)告披露,過去,公司在芯片生產(chǎn)過程中使用三氟化氮作為清洗氣體,以有效去除沉積過程中腔室內(nèi)殘留的雜質(zhì)。然而,三氟化氮的全球變暖潛能值(GWP)高達(dá)17200,對(duì)環(huán)境構(gòu)成較大壓力。為了減輕這一影響,SK 海力士積極探索并成功實(shí)施了氟氣替代方案。氟氣不僅具有優(yōu)異的清洗效果,其GWP值更是低至0,從源頭上降低了生產(chǎn)過程中的溫室氣體排放。

此外,SK 海力士還進(jìn)一步加大了氫氟酸(HF)的使用量,這種氣體在低溫蝕刻設(shè)備中表現(xiàn)出色,且其GWP值僅為1或更低,遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于過去用于NAND通道孔蝕刻的氟碳?xì)怏w。這一系列環(huán)保措施的實(shí)施,不僅提升了SK 海力士的生產(chǎn)效率,更在保護(hù)地球環(huán)境方面發(fā)揮了積極作用。

SK 海力士的這一轉(zhuǎn)型,不僅是對(duì)自身可持續(xù)發(fā)展的負(fù)責(zé)任態(tài)度,也為整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)樹立了綠色生產(chǎn)的典范。未來,隨著更多企業(yè)加入到環(huán)保生產(chǎn)的行列中來,半導(dǎo)體行業(yè)將迎來更加綠色、可持續(xù)的發(fā)展前景。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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