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芯片失效分析中常見的測試設(shè)備及其特點(diǎn)

中科院半導(dǎo)體所 ? 來源:半導(dǎo)體工程師 ? 2024-08-07 17:33 ? 次閱讀

文章來源:半導(dǎo)體工程師

原文作者:芯片失效分析

在芯片失效分析中,常用的測試設(shè)備種類繁多,每種設(shè)備都有其特定的功能和用途,本文列舉了一些常見的測試設(shè)備及其特點(diǎn)。

顯微鏡:顯微鏡是芯片失效實(shí)驗(yàn)室中最基礎(chǔ)的儀器,用于觀察芯片中微小的結(jié)構(gòu)和缺陷。

體式顯微鏡:放大倍率從幾倍到150倍,適用于初步的外觀檢查。

金相顯微鏡(如設(shè)備型號LV150N):放大倍率從50倍到1000倍,分辨率達(dá)到0.2um,適合觀察芯片中的微裂紋等結(jié)構(gòu)。

掃描電子顯微鏡(SEM):一種非常先進(jìn)的顯微鏡,可以在納米級別下觀察芯片結(jié)構(gòu),直接觀察到微觀缺陷、線路斷裂等。

C-SAM(超聲波掃描顯微鏡):用于無損檢查,能夠檢測材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)顆粒、裂紋、分層缺陷、空洞等。

X-Ray設(shè)備:用于分析半導(dǎo)體BGA、線路板等內(nèi)部位移,判別空焊、虛焊等BGA焊接缺陷。例如德國Fein微焦點(diǎn)X-ray,標(biāo)準(zhǔn)檢測分辨率<500納米,幾何放大倍數(shù)達(dá)到2000倍,最大放大倍數(shù)可達(dá)10000倍。

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X-ray檢測

半導(dǎo)體參數(shù)測試儀和探針臺:用于電性能測試,判斷失效現(xiàn)象是否與原始資料相符,分析失效現(xiàn)象可能與哪一部分有關(guān)。例如IV曲線測量儀(設(shè)備型號CT2-512X4S),最大電壓10V,最大電流100mA。

示波器能夠顯示電路中隨時間變化的電壓波形,適用于測試芯片的模擬電路和數(shù)字電路。

邏輯分析儀:一種常用的數(shù)字電路測試工具,通過連接到芯片的引腳,捕捉芯片輸出的數(shù)字信號,并轉(zhuǎn)換成可視化的波形,幫助判斷芯片是否工作正常。

紅外線相機(jī):用于檢測芯片中的溫度變化,幫助測試人員檢測芯片是否存在熱點(diǎn)問題。

聲學(xué)顯微鏡:將聲音轉(zhuǎn)換為光信號,通過觀察芯片表面上的光反射來檢測芯片中的缺陷。

FIB(聚焦離子束):用于線路修改、切線連線、切點(diǎn)觀測、TEM制樣、精密厚度測量等。

這些測試設(shè)備在芯片失效分析中各有側(cè)重,可以根據(jù)具體需求選擇適合的設(shè)備進(jìn)行分析。同時,隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,新的測試設(shè)備和方法也在不斷涌現(xiàn),為芯片失效分析提供了更多的可能性。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:芯片失效分析中常用的測試設(shè)備有哪些

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