日前，第二十屆IET交直流輸電國際會議（ACDC 2024）在上海召開，會議由英國工程技術(shù)學(xué)會IET（The Institution of Engineering and Technology）、清華大學(xué)、懷柔實驗室、中國電氣裝備集團(tuán)聯(lián)合主辦，青銅劍技術(shù)擔(dān)任支持單位，總經(jīng)理傅俊寅受邀出席活動。其中，IET是全球領(lǐng)先的工程技術(shù)領(lǐng)域?qū)I(yè)組織，目前擁有15.4萬名會員、超過250家企業(yè)合作伙伴。

IET交直流輸電國際會議（ACDC）是電力系統(tǒng)領(lǐng)域久負(fù)盛名的國際性會議，此次會議圍繞構(gòu)建新型電力系統(tǒng)的基礎(chǔ)元器件、關(guān)鍵裝備、重大交直流輸電工程等議題，對交直流輸電領(lǐng)域的前沿課題、產(chǎn)業(yè)動態(tài)和技術(shù)發(fā)展趨勢展開討論。

大會由中國工程院院士、懷柔實驗室主任湯廣福擔(dān)任大會主席，清華大學(xué)副校長曾嶸擔(dān)任技術(shù)委員會主席，并邀請中國工程院院士舒印彪、中國工程院院士李立浧等專家學(xué)者發(fā)表主旨報告。

隨著我國能源生產(chǎn)和消費的快速轉(zhuǎn)型，清潔電力規(guī)模化傳輸、能源供需廣域平衡等新技術(shù)相繼涌現(xiàn)，對傳統(tǒng)的電力輸送技術(shù)帶來了深刻變革與挑戰(zhàn)。

青銅劍技術(shù)依托在驅(qū)動行業(yè)的深厚技術(shù)積累，針對高壓領(lǐng)域，自主研發(fā)了磁環(huán)取能的壓接式IGBT驅(qū)動方案。該方案通過控制流過硅膠導(dǎo)線的電流，原邊電流源實現(xiàn)對副邊驅(qū)動組的供電。相較于傳統(tǒng)采用多層級隔離或者做大隔離變壓器絕緣的方案，磁環(huán)取能的壓接式IGBT驅(qū)動方案簡化了系統(tǒng)，降低了設(shè)計成本。

青銅劍技術(shù)的高壓驅(qū)動種類豐富，可靠性高，包括1QP0650V45-Q、1QP0635V33-C、2QD0535T33-C、2CP0335V33-LV100等產(chǎn)品。

產(chǎn)品特點

單通道IGBT驅(qū)動器

適配4500V以下壓接封裝IGBT模塊

寬電源輸入電壓18V~25V

電源防反接保護(hù)

PWM信號光纖信號輸入

集成隔離DC/DC電源

集成副邊電源欠壓保護(hù)

集成VCE短路保護(hù)

集成有源鉗位

集成軟關(guān)斷

典型應(yīng)用

直流斷路器

軌道供電

機(jī)車牽引

中壓變頻器

產(chǎn)品特點

單通道IGBT驅(qū)動器

功率器件最高電壓規(guī)格3300V

驅(qū)動功率6W，峰值電流為±35A

光纖邏輯信號輸入/輸出處理

集成原/副邊欠壓保護(hù)功能

集成隔離DC/DC 電源

集成動態(tài)有源鉗位功能

集成動態(tài)VCE短路保護(hù)

集成門極監(jiān)控

典型應(yīng)用

高壓變頻器

高壓變流器

SVG

能饋變流器

產(chǎn)品特點

核心器件自主研發(fā)

雙通道IGBT驅(qū)動器

單通道驅(qū)動功率5W，峰值電流為±35A

集成隔離DC/DC電源

門極驅(qū)動電壓+15V/-10V

絕緣電壓高達(dá)10000Vac

集成原邊/副邊電源欠壓保護(hù)

直接/半橋模式選擇

集成有源鉗位

集成VCE短路保護(hù)

集成軟關(guān)斷

典型應(yīng)用

風(fēng)電變流器

儲能變流器

光伏逆變器

中壓變頻器

產(chǎn)品特點

雙通道碳化硅MOSFET驅(qū)動器

設(shè)計緊湊，尺寸為68mm*99.5mm

電源電壓輸入寬范圍15V~30V

適配LV100封裝的碳化硅MOSFET模塊

光纖信號輸入/輸出

絕緣電壓高達(dá)8000V

集成隔離DC/DC電源

集成副邊電源欠壓保護(hù)

集成米勒鉗位

集成碳化硅MOSFET短路保護(hù)

典型應(yīng)用

風(fēng)電變流器

光伏逆變器

中壓變流器

電機(jī)傳動

牽引傳動

未來，青銅劍技術(shù)將持續(xù)關(guān)注能源電力系統(tǒng)行業(yè)發(fā)展，不斷加強自主創(chuàng)新，研發(fā)高性能的功率器件驅(qū)動產(chǎn)品，同時積極推動產(chǎn)學(xué)研用交流與合作，為發(fā)展清潔能源、助力“雙碳”目標(biāo)實現(xiàn)貢獻(xiàn)科技力量。