新品

第2代CoolSiC MOSFET 400V

CoolSiC MOSFET 400V G2將高堅(jiān)固性與超低開關(guān)損耗和導(dǎo)通電阻結(jié)合在一起，同時(shí)改善了系統(tǒng)成本。400V SiC MOSFET可在2電平和3電平硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)渲刑峁┏錾墓β拭芏群拖到y(tǒng)效率。目標(biāo)應(yīng)用為人工智能服務(wù)器PSU、SMPS、電機(jī)控制、可再生能源和儲(chǔ)能以及D類放大器中的功率轉(zhuǎn)換。

產(chǎn)品型號(hào)：

■IMBG40R011M2H

■IMBG40R015M2H

■IMBG40R025M2H

■IMBG40R036M2H

■IMBG40R045M2H

■IMT40R011M2H

■IMT40R015M2H

■IMT40R025M2H

■IMT40R036M2H

■IMT40R045M2H

產(chǎn)品特點(diǎn)

與650V SiC MOSFET相比，F(xiàn)OM更好

低Qfr值的快速換流二極管

RDS(on)溫度系數(shù)小

柵極閾值電壓VGS(th)=4.5V

可以單電源驅(qū)動(dòng)VGSoff=0V

100%經(jīng)過雪崩測(cè)試

開關(guān)速度可控性高

高dV/dt運(yùn)行期間的低過沖

.XT互聯(lián)技術(shù)

一流的熱性能

應(yīng)用價(jià)值

系統(tǒng)效率高

高功率密度設(shè)計(jì)

高設(shè)計(jì)魯棒性

減少EMI濾波

在硬開關(guān)拓?fù)渲惺褂?/p>

競爭優(yōu)勢(shì)

支持采用創(chuàng)新拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（如3L PFC，ANPC）

與HV SiC MOSFET相比，Ron x A降低，F(xiàn)oM提高，RDS(on)與Tj曲線平坦，100°C時(shí)增幅最小

低Qgd,Qoss fr,Eoss

高壓擺率控制、線性Coss和低Qfr

高柵極驅(qū)動(dòng)閾值電壓Vth,typ=4.5V實(shí)現(xiàn)0V-18V驅(qū)動(dòng)

以及較低的米勒比，以減輕Cgd，Vds/dt引起的寄生導(dǎo)通

應(yīng)用領(lǐng)域

AI服務(wù)器電源

SMPS

電機(jī)控制

輕型電動(dòng)汽車

叉車

電動(dòng)飛機(jī)

固態(tài)斷路器

太陽能

能源儲(chǔ)存

D類放大器