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      新品 | 第2代CoolSiC? MOSFET 400V

      英飛凌工業(yè)半導體 ? 2024-09-27 08:05 ? 次閱讀
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      新品

      第2代CoolSiC MOSFET 400V

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      CoolSiC MOSFET 400V G2將高堅固性與超低開關損耗和導通電阻結(jié)合在一起，同時改善了系統(tǒng)成本。400V SiC MOSFET可在2電平和3電平硬開關和軟開關拓撲中提供出色的功率密度和系統(tǒng)效率。目標應用為人工智能服務器PSU、SMPS、電機控制、可再生能源和儲能以及D類放大器中的功率轉(zhuǎn)換。

      產(chǎn)品型號：

      ■IMBG40R011M2H

      ■IMBG40R015M2H

      ■IMBG40R025M2H

      ■IMBG40R036M2H

      ■IMBG40R045M2H

      ■IMT40R011M2H

      ■IMT40R015M2H

      ■IMT40R025M2H

      ■IMT40R036M2H

      ■IMT40R045M2H

      34609892-7c64-11ef-bb4b-92fbcf53809c.gif

      產(chǎn)品特點

      與650V SiC MOSFET相比，F(xiàn)OM更好

      低Qfr值的快速換流二極管

      RDS(on)溫度系數(shù)小

      柵極閾值電壓VGS(th)=4.5V

      可以單電源驅(qū)動VGSoff=0V

      100%經(jīng)過雪崩測試

      開關速度可控性高

      高dV/dt運行期間的低過沖

      .XT互聯(lián)技術

      一流的熱性能

      應用價值

      系統(tǒng)效率高

      高功率密度設計

      高設計魯棒性

      減少EMI濾波

      在硬開關拓撲中使用

      競爭優(yōu)勢

      支持采用創(chuàng)新拓撲結(jié)構(gòu)（如3L PFC，ANPC）

      與HV SiC MOSFET相比，Ron x A降低，F(xiàn)oM提高，RDS(on)與Tj曲線平坦，100°C時增幅最小

      低Qgd,Qoss fr,Eoss

      高壓擺率控制、線性Coss和低Qfr

      高柵極驅(qū)動閾值電壓Vth,typ=4.5V實現(xiàn)0V-18V驅(qū)動

      以及較低的米勒比，以減輕Cgd，Vds/dt引起的寄生導通

      應用領域

      AI服務器電源

      SMPS

      電機控制

      輕型電動汽車

      叉車

      電動飛機

      固態(tài)斷路器

      太陽能

      能源儲存

      D類放大器

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