chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評論與回復
      VIP于 到期 續(xù)費
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學習在線課程
      • 觀看技術視頻
      • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動

      完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領取20積分哦，立即完善>

      3天內(nèi)不再提示

      新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET半橋產(chǎn)品

      英飛凌工業(yè)半導體 ? 2025-05-27 17:03 ? 次閱讀
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

      新品

      采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC

      1200V G2 SiC MOSFET半橋產(chǎn)品

      782e59e0-3ad9-11f0-986f-92fbcf53809c.png


      英飛凌采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC 1200V G2 SiC MOSFET半橋產(chǎn)品，專為各種工業(yè)應用開發(fā)，包括工業(yè)驅(qū)動、電動汽車充電、太陽能和不間斷電源等。


      頂部散熱QDPAK具有出色的散熱性能，更易于組裝，從而降低了客戶的系統(tǒng)成本。與底部散熱解決方案相比，頂部散熱器件可實現(xiàn)更優(yōu)化的PCB布局，從而減少寄生元件和寄生電感的影響。同時還能增強散熱能力。


      產(chǎn)品型號：

      ■IMSQ120R012M2HH

      ■IMSQ120R026M2HH

      ■IMSQ120R040M2HH

      ■IMSQ120R053M2HH


      產(chǎn)品特點

      SMD頂部散熱封裝

      雜散電感低

      CoolSiC MOSFET 1200V G2技術具有更高的開關性能和FOM因子

      .XT擴散焊

      最低RDS(on)

      封裝材料CTI>600

      爬電距離>4.8mm

      耐濕性

      雪崩保護、短路保護和寄生導通PTO保護

      應用價值


      更高的功率密度

      實現(xiàn)自動裝配

      不需要太復雜的設計

      與底部散熱封裝相比，具有出色的熱性能

      改善系統(tǒng)功率損耗

      電壓有效值950V，污染度為2

      可靠性高

      降低TCO成本或BOM成本


      應用領域


      驅(qū)動器

      電動汽車充電

      太陽能

      UPS

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
      • MOSFET
        +關注

        關注

        150

        文章

        9352

        瀏覽量

        229274
      • SiC
        SiC
        +關注

        關注

        32

        文章

        3466

        瀏覽量

        67982
      收藏 人收藏
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

        評論

        相關推薦
        熱點推薦

        基本半導體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

        基本半導體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品采用新一代碳化硅
        的頭像 發(fā)表于 09-15 16:53 ?843次閱讀
        基本半導體<b class='flag-5'>1200V</b>工業(yè)級碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b>模塊Pcore <b class='flag-5'>2</b>系列介紹

        派恩杰第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢

        1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性，專為高壓、高頻、高溫應用設計。相比傳統(tǒng)硅基MOSFET，
        的頭像 發(fā)表于 09-03 11:29 ?912次閱讀

        新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET 1200V Q-DPAK封裝分立器件產(chǎn)品擴展

        新品第二代CoolSiCMOSFET1200VQ-DPAK封裝分立器件產(chǎn)品擴展CoolSiC1200VMOSFET（頂部
        的頭像 發(fā)表于 08-11 17:04 ?975次閱讀
        <b class='flag-5'>新品</b> | 第二代<b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>1200V</b> Q-DPAK封裝分立器件<b class='flag-5'>產(chǎn)品</b>擴展

        新品 | 針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACK? CoolSiC? 1200V和硅基模塊

        新品針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模塊英飛凌推出針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACK2B模塊，采用六單元配置，通過AQG324認證。
        的頭像 發(fā)表于 07-31 17:04 ?743次閱讀
        <b class='flag-5'>新品</b> | 針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACK? <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>1200V</b>和硅基模塊

        Wolfspeed推SiC MOSFET/SBD新品：頂部散熱封裝

        碳化硅MOSFET和肖特基二極管產(chǎn)品，通過頂部散熱（TSC）封裝，可以顯著提升系統(tǒng)功率密度和效率，同時優(yōu)化熱管理性能并增強電路板布局靈活性。 ? 本次新推出的U
        的頭像 發(fā)表于 07-08 00:55 ?3302次閱讀
        Wolfspeed推<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>/SBD<b class='flag-5'>新品</b>：<b class='flag-5'>頂部</b><b class='flag-5'>散熱</b>封裝

        新品 | 采用D2PAK-7封裝的CoolSiC? 650V G2 SiC MOSFET

        新品采用D2PAK-7封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D
        的頭像 發(fā)表于 07-01 17:03 ?1228次閱讀
        <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>采用</b>D<b class='flag-5'>2</b>PAK-7封裝的<b class='flag-5'>CoolSiC</b>? 650<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>G2</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>

        CoolSiC? MOSFET G2導通特性解析

        上一篇我們介紹了英飛凌CoolSiCMOSFETG2的產(chǎn)品特性（參考文章：CoolSiCMOSFETG2性能綜述）。那么在實際應用中，G2如何進行正確的選型呢？接下來兩篇文章會和大家仔
        的頭像 發(fā)表于 06-16 17:34 ?610次閱讀
        <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>G2</b>導通特性解析

        新品 | 英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? SiC MOSFET 1200V模塊

        新品英飛凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模塊英飛凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSFET半
        的頭像 發(fā)表于 06-10 17:06 ?1187次閱讀
        <b class='flag-5'>新品</b> | 英飛凌EconoDUAL? 3 <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>1200V</b>模塊

        新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC? 2kV SiC MOSFET模塊

        新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模塊英飛凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半
        的頭像 發(fā)表于 06-03 17:34 ?820次閱讀
        <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>采用</b>高性能DCB的Easy B系列<b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>2</b>kV <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>模塊

        新品 | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET

        新品采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飛凌采用
        的頭像 發(fā)表于 05-29 17:04 ?964次閱讀
        <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>采用</b><b class='flag-5'>頂部</b><b class='flag-5'>散熱</b> Q-DPAK封裝的 <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>G2</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>

        聞泰科技推出車規(guī)級1200V SiC MOSFET

        ，聞泰科技半導體業(yè)務近期推出領先行業(yè)的D2PAK-7封裝車規(guī)級1200V SiC MOSFET，為電動汽車行業(yè)注入強勁新動能。
        的頭像 發(fā)表于 05-14 17:55 ?932次閱讀

        新品 | 半橋1200V CoolSiC? MOSFET EconoDUAL? 3模塊

        新品半橋1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模塊采用EconoDUAL3封裝的120
        的頭像 發(fā)表于 04-17 17:05 ?715次閱讀
        <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>MOSFET</b> EconoDUAL? 3模塊

        英飛凌第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

        英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第
        的頭像 發(fā)表于 03-15 18:56 ?1020次閱讀

        英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2

        650 V G2 Q-DPAK TSC 這兩個產(chǎn)品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC
        的頭像 發(fā)表于 02-21 16:38 ?703次閱讀
        英飛凌推出<b class='flag-5'>采用</b>Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)<b class='flag-5'>CoolSiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 650 <b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>G2</b>

        三菱電機1200V級SiC MOSFET技術解析

        1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件，廣泛應用于工業(yè)、汽車等領域。目前，1200V級
        的頭像 發(fā)表于 12-04 10:50 ?2436次閱讀
        三菱電機<b class='flag-5'>1200V</b>級<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>技術解析