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采用頂部散熱Q-DPAK封裝的

CoolSiC 1200V G2 SiC MOSFET

英飛凌采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC 1200V SiC MOSFET單管，專為各種工業(yè)應用開發(fā)，包括工業(yè)驅動、電動汽車充電、太陽能，SSCB，人工智能，不間斷電源和CAV等。

頂部散熱Q-DPAK具有出色的散熱性能，更易于組裝，從而降低了客戶的系統(tǒng)成本。與底部散熱解決方案相比，頂部散熱器件可實現(xiàn)更優(yōu)化的PCB布局，從而減少寄生元件和寄生電感的影響。同時還能增強散熱能力。

產品型號：

■IMCQ120R026M2H

■IMCQ120R034M2H

■IMCQ120R040M2H

■IMCQ120R053M2H

■IMCQ120R078M2H

產品特點

SMD頂部散熱封裝

雜散電感低

CoolSiC MOSFET 1200V G2技術具有優(yōu)化的開關性能和FOM因子

.XT擴散焊

最低RDS(on)

封裝材料CTI>600

爬電距離>4.8mm

耐濕性

雪崩保護、短路保護和寄生導通PTO保護

應用價值

更高的功率密度

實現(xiàn)自動裝配

不需要太復雜的設計

與底部散熱封裝相比，具有出色的熱性能

改善系統(tǒng)功率損耗

電壓有效值950V，污染度為2

可靠性高

降低TCO成本或BOM成本

應用領域

電動汽車充電

太陽能

UPS

SSCB

工業(yè)驅動器

人工智能

CAV