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物聯(lián)網應用中HyperRAM的使用優(yōu)勢

大聯(lián)大 ? 來源:大聯(lián)大 ? 2024-10-11 09:39 ? 次閱讀

大規(guī)模物聯(lián)網將蓬勃發(fā)展

根據(jù)Ericsson在2020年6月發(fā)布的移動設備市場報告指出,包括NB-IoT和Cat-M在內的大規(guī)模物聯(lián)網 (Massive IoT) 將持續(xù)部署到全球各地。但由于新冠肺炎阻礙了運輸,使得滲透率低于我們的預期,大部分物聯(lián)網應用仍經由2G或3G技術連接。2019年大規(guī)模物聯(lián)網應用的數(shù)量估計增長了兩倍,到2020年底將達到約1億部。

正如Ericsson預估,到2025年底,NB-IoT和Cat-M將占所有行動網絡IoT設備的52%。亞洲區(qū)將是成長最快的市場,該地區(qū)的設備數(shù)量將在2026年之前提升到所有出貨量的67%。

對3GPP標準進程來說,無論是NB-IoT或Cat-M,Release 15都強化了穩(wěn)定性和應用領域。已于2020年7月3日凍結的Release 16將進一步提高網絡效率,并將目前的NB-IoT部署在5G環(huán)境中運行。未來,Release 17將擴展帶寬聚合和更低延遲的規(guī)格,繼續(xù)開發(fā)及探索潛在應用,以帶動5G NR基礎的行動網絡物聯(lián)網的普及率。

半導體廠商針對物聯(lián)網采取的行動

對于物聯(lián)網應用,為了在市場上獲得廣泛采用,必須滿足各種設計考慮因素,例如低成本、低功耗和運算效率。尤其,對于電池供電的設備 (例如智能喇叭和智能電表) 而言,除了豐富的物聯(lián)網功能和易于使用的人機接口,電池壽命也成為產品成功與否的關鍵,因此低功耗因素變得越來越重要。為了實現(xiàn)較長的電池壽命,除了使用低功耗MCU,還應考慮其他低功耗的周邊組件。

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圖1:移動設備系統(tǒng)架構圖

許多移動設備采用圖1中的相似的架構,這類的方塊圖適用于平板電腦或智能手表中。Wi-Fi/BT和行動網絡模塊負責通訊。傳感器 (如觸摸面板) 專用于收集外部信息,并將信息轉寄給應用處理器。NOR/NAND負責儲存程序代碼/數(shù)據(jù),而DRAM則用于暫時性的處理。

為此,許多MCU供貨商正在開發(fā)效能更高、功耗更低的新一代MCU,以滿足市場需求。但從整體系統(tǒng)設計的角度來看,與MCU搭配使用的DRAM也需要新的選擇,以提供比現(xiàn)有SDRAM、低功耗SDRAM和CRAM/PSRAM更佳的優(yōu)勢。這些DRAM標準定義過于陳舊,已無法跟上表1所列出的最新技術。

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表1:DRAM標準及其對應邏輯處理節(jié)點

支持HyperBus接口的HyperRAM是能滿足此一需求的最新技術解決方案。HyperBus技術由Cypress于2014年首次發(fā)布,后來于2015年推出其首款HyperRAM產品。考慮到市場需求,華邦電子決定加入HyperRAM陣營,并推出32Mb/64Mb/128Mb容量的產品。

HyperRAM 使用優(yōu)勢

HyperRAM僅具備13個訊號IO腳位,可大大簡化PCB的布局設計。這也意味著,在設計最終產品時,它能讓MCU將更多腳位用于其他目的,或減少MCU使用腳位,以提升成本效益。如圖2所示,與類似的DRAM (如低功耗DRAM、SDRAM和CRAM/PSRAM) 相比,HyperRAM只需最少的腳位數(shù)便能實現(xiàn)近似的處理量 (333MB/s)。

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圖2:IO腳位比較

簡化控制接口是HyperRAM的另一項技術特色,PSRAM只有9個控制接口,而LPSDRAM有18個??刂平涌谠缴?,DRAM控制器所需的復雜度就越低。詳細區(qū)別可參閱圖3。

HyperRAM系以PSRAM架構為基礎,是能夠自我更新的RAM。而且,它可以自動恢復為待機模式。因此,系統(tǒng)內存更易于使用,固件和驅動程序的開發(fā)也會更簡單。

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圖3:LPSDR和HyperRAM的控制接口比較

HYPERRAM有以下特性

超低功耗:華邦的混合睡眠模式(HSM)可使設備待機功耗降低至35μW,而運行功率不到PSRAM產品的一半。

設計簡易:與PSRAM配備31個訊號腳數(shù)相比,HYPERRAM僅有13個訊號腳數(shù),這極大簡化了產品設計和生產的過程。

節(jié)省空間:低腳數(shù)的封裝與較少的主機控制器接口能夠減少內存系統(tǒng)電路板的占用空間,從而節(jié)省像是智慧手表等消費類設備的空間。

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物聯(lián)網設備的關鍵

功耗對于物聯(lián)網設備至關重要,因為設備大多由電池供電。降低功耗不僅可以節(jié)省用電,還可以減少充電和更換的成本。以華邦的64Mb HyperRAM為例,其待機耗電量為90uW (1.8V下),而相同容量的SDRAM的耗電量則是2000uW (3.3V下)。更重要的是,HyperRAM在混合睡眠模式下的耗電量僅45uW (1.8V下),與SDRAM在待機模式下的耗電量有明顯差異(表2)。另一方面,即使采用低功耗的SDRAM,其耗電量和外形尺寸仍較HyperRAM更大。

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表2:耗電量比較

HyperRAM 生態(tài)系統(tǒng)的新生力軍

傳統(tǒng)的SDRAM和PSRAM已發(fā)展成熟,難以對新興的IoT應用進行優(yōu)化。有鑒于汽車和工業(yè)應用的長期供應需求,華邦HyperRAM的先進制程可滿足客戶的長壽命產品生命周期。

從整個系統(tǒng)設計和產品壽命的觀點來看,HyperRAM已成為新興IoT設備的理想選擇。除了Cypress,包括像是NXP、Renesas、ST和TI等領先的MCU 公司已開始提供支持HyperBusTM接口的MCU,其新產品未來亦將繼續(xù)為其提供支持。

同時,其控制接口開發(fā)平臺已準備就緒。Cadence和Synopsys也已開始提供HyperRAM記憶體驗證IP,可加快IC廠商的設計周期。因此,與其他Octal RAM相比,HyperRAM具有最成熟的應用環(huán)境。HyperRAM已被納入JEDEC標準,成為與JEDEC xSPI兼容的技術。

目前,華邦HyperRAM產品系列的32Mb、64Mb和128Mb已進入量產。同時已開始提供24BGA (汽車級)、49BGA、WLCSP和KGD的產品。24BGA的尺寸為6x8 mm2,而49BGA的尺寸僅為4x4 mm2,主要針對消費型穿戴式設備市場。華邦擁有超過20年的DRAM生產經驗。展望未來,華邦將繼續(xù)提供最優(yōu)質的產品,以滿足客戶的需求。

推薦料號

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原文標題:HyperRAM? ,最適合物聯(lián)網應用的DRAM選擇

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