晶圓代工龍頭臺積電昨（19）日發(fā)出邀請函，5 納米新廠將在下周五（26日）動土，董事長張忠謀親自主持動土典禮，未來將有三期廠房生產(chǎn)5納米制程產(chǎn)品，顯示看好產(chǎn)業(yè)需求。臺積電在日前法說會中，不但第1季淡季效應(yīng)不顯著，還提前預(yù)告「第2季更好」，昨日股價應(yīng)聲大漲，市值沖破新臺幣6.6兆元，再寫新高。

臺積電日前舉行法說會，公布去年第4季和全年財報，雖然匯率波動，但包括全年營收、稅后純益和每股純益等三項財務(wù)指標(biāo)都寫下歷史新高紀錄，成為張忠謀今年6月最好的退休禮物。

臺積電第1季營收季減幅度在一成以內(nèi)，張忠謀親自預(yù)告，第2季將會強勁成長。若以美元計價，2018年在高效能運算、物聯(lián)網(wǎng)、車用電子等三大領(lǐng)域驅(qū)動下，全年業(yè)績至少成長10%。

張忠謀對前景看法樂觀，外資紛紛喊買，昨日收盤價大漲7元、收255.5元，刷新歷史新高價位，市值突破6.6兆元，同樣創(chuàng)新高。

除了營運趨勢和股價表現(xiàn)亮眼，臺積電昨日發(fā)出邀請函，預(yù)定26日舉行晶圓18廠動土典禮，當(dāng)天活動將由張忠謀主持。

臺積電總經(jīng)理暨共同執(zhí)行長劉德音于去年供應(yīng)鏈管理論壇就曾透露，5納米制程發(fā)展符合進度，位于臺南科學(xué)園區(qū)的晶圓18廠將于今年動土，將有三期廠房生產(chǎn)5納米，預(yù)計2019年上半年風(fēng)險性試產(chǎn)。

5nm工廠是南科12寸超大型晶圓廠Fab 14的延伸，預(yù)計將興建第8期至第10期等共3個廠區(qū)，5nm合計月產(chǎn)能可望上看9～10萬片。

臺積電5nm新廠今年9月動土，占地超過40公頃，由于建廠及設(shè)備成本愈來愈高，5nm 3個廠區(qū)的總投資金額將創(chuàng)下新高紀錄，設(shè)備業(yè)者推估應(yīng)達新臺幣2,000億元。

除5納米外，臺積電去年9月也宣布3納米相關(guān)計劃，3納米新廠同樣座落于南科，投資金額將超過200億美元。

臺積電出貨與產(chǎn)能目前都保持積極狀態(tài)，中國大陸南京廠提前于5月開始出貨，位于***的5納米廠將動土，3納米新廠建廠計劃也加速進行中，持續(xù)挑戰(zhàn)全球半導(dǎo)體業(yè)兩大霸主英特爾和三星。

張忠謀也表示，5nm規(guī)劃使用極紫外光(EUV) 微影技術(shù)，以降低制程復(fù)雜度。但根據(jù)IBS的估算,在5nm節(jié)點,設(shè)計一款主流芯片的成本將高達4.76億美元水平,而7nm節(jié)點的成本僅3.492億,28nm則是0.629億。

三星聯(lián)手IBM搞5nm新工藝叫板臺積電

作為臺積電最有競爭力的競爭對手，三星聯(lián)手IBM打造5nm新工藝叫板臺積電。

為了實現(xiàn)這個壯舉，就必須在現(xiàn)有的芯片內(nèi)部構(gòu)架上進行改變。研究團隊將硅納米層進行水平堆疊，而非傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體行業(yè)的垂直堆疊構(gòu)架，這使得5nm晶體管的工藝有了實現(xiàn)可能，而這一工藝將有可能引爆未來芯片性能的進一步高速發(fā)展。

實際上，從工藝架構(gòu)本身來說，這種從垂直架構(gòu)到水平層疊的轉(zhuǎn)換相當(dāng)于在硅晶體管上打開了第四扇“門”，使得電信號能夠在芯片中通過不同的晶體管。而從尺寸上來說，這些晶體管的寬度不大于兩三根并排在一起的DNA分子鏈。

那到底能為我們的生活帶來怎樣的改變？根據(jù) IBM 官方的說法，比較直觀的描述是，當(dāng)我們在閱讀這篇文章時，假設(shè)正在使用的移動設(shè)備只剩下 10％ 的電量，但基于 5 納米制程技術(shù)的芯片將使得移動設(shè)備在需要充電之前仍然可以使用數(shù)小時，而不是幾分鐘。未來配備此類新型芯片的移動設(shè)備續(xù)航時間將比現(xiàn)在要延長數(shù)天。

數(shù)十年來，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對縮小電子元件的狂熱追求是有原因的。芯片上集成的電路越多，電子產(chǎn)品的速度越快、效率越高、成本越低。而著名的摩爾定律在 1965 年首次提出之時則認為，芯片上的晶體管數(shù)量每年翻一番，該預(yù)測在 1975 年被更改為每兩年。

盡管半導(dǎo)體行業(yè)集成技術(shù)的發(fā)展速度越來越達不到摩爾定理的預(yù)期，但不管怎么說，晶體管的尺寸還是在變得越來越小。

圖丨摩爾定律

其實，半導(dǎo)體的縮小并不是什么高技術(shù)活兒。上一個主要突破就發(fā)生在 2009 年，研究者們發(fā)明了一種叫做FinFET的晶體管設(shè)計方式，而其第一次大規(guī)模制造則開始于 2012 年——這給整個行業(yè)打了一劑強心針，為 22 納米這一尺寸上的處理器創(chuàng)造了可能。FinFET是晶體管行業(yè)的革命性突破——其關(guān)鍵在于，在三維結(jié)構(gòu)而非二維平面上控制電流的傳遞。

IBM半導(dǎo)體研究小組副組長 Mukesh Khare 表示，“原則上說，F(xiàn)inFET的結(jié)構(gòu)就是一個簡單的長方形，其中的三條邊上各有一個小門”。如果把晶體管想象成一個開關(guān)，不同的電壓就會控制這道門“開啟”或“關(guān)閉”。在三個不同方向上加上門能夠最大化這個開關(guān)的電流量，并最小化電流的漏出，所以增加了整體的效率。

但在五年后，這一技術(shù)也幾乎發(fā)展到了盡頭。對此，半導(dǎo)體制造公司 VLSL Research 首席執(zhí)行官 Dan Hutcheson 表示，問題在于 FinFET 就像一條流淌的小溪。FinFET在目前常見的 10 納米處理器上正常工作，在 7 納米上應(yīng)該也沒有問題?！暗?納米的尺度上，我們就需要一個新的結(jié)構(gòu)了?！盚utcheson說。

圖丨IBM Research Alliance 在幾層硅芯片上的 5 納米晶體管

終于，在 FinFET 的垂直結(jié)構(gòu)發(fā)展終結(jié)之后，IBM 宣布在與 Global Foundries 和三星的合作下開發(fā)出了水平排布的硅納米板，并以這種結(jié)構(gòu)在晶體管上加了第四道門。你可以想象 FinFET 的結(jié)構(gòu)調(diào)轉(zhuǎn)了過來，元件相互疊在了頂上。在尺度上來說，電信號在一個和 DNA 螺旋一樣大的開關(guān)上流動。

“這是一個巨大的進步”，Hutcheson說?！叭绻覀兡馨丫w管變得更小更密集，我就能在同等面積的芯片得到更快的處理速度?！币簿褪窃谝粋€指甲的芯片上，從 200 億個 7 納米晶體管飛躍到了 300 億個 5 納米晶體管。對此，IBM 預(yù)計，會在同樣功率上把處理效率提高 40%，或者在同樣效率上減少 70% 的功耗。

圖丨IBM 科學(xué)家 Nicolas Loubet 握著使用業(yè)界一流制程工藝生產(chǎn)的 5nm 硅晶體管芯片

雖然根據(jù)行業(yè)內(nèi)的預(yù)估，基于新架構(gòu)所開發(fā)的可商用處理器不會在2019年前投入市場。但不可否認的是，5 納米處理器工藝的成熟與否將決定未來自動駕駛和5G通訊等行業(yè)的商業(yè)化程度。

“整個社會的發(fā)展全靠它了！因為未來即將出現(xiàn)的人工智能、自動駕駛等技術(shù)都對計算能力提出了更高的要求，”Hutcheson說?！皼]有新的處理器生產(chǎn)技術(shù)，人類文明將就此停滯?！?/p>

就拿自動駕駛技術(shù)來舉例，雖然我們現(xiàn)在已經(jīng)可以實現(xiàn)自動駕駛汽車的上路行駛，但不得不說，其所依賴的智能芯片的價格仍然高達數(shù)萬美元，這對于準(zhǔn)備大規(guī)模商業(yè)化的產(chǎn)品來說，顯然不太現(xiàn)實。而 5 納米制程工藝的出現(xiàn)將有希望將這一成本大幅降低。

再比如，IoT（物聯(lián)網(wǎng)）傳感器設(shè)備由于需要不間斷地收集實時的數(shù)據(jù)流，所以必須保持一直在線的狀態(tài)，而要做到這一點，也必須依靠高性能的處理器。

IBM半導(dǎo)體研究小組副組長 Mukesh Khare 對此有一個精辟的評價：“摩爾定律所衍生的超高經(jīng)濟價值是毋庸置疑的，其關(guān)鍵之處就在于效率的提升和價值的創(chuàng)造是依賴于架構(gòu)的創(chuàng)新，而非傳統(tǒng)的擴大規(guī)模的方式?！?/p>