三星電子正面臨嚴峻挑戰(zhàn)，特別是在其半導體業(yè)務領域。除了代工業(yè)務停滯的問題，該公司在高帶寬存儲器（HBM）市場的競爭力也引發(fā)了廣泛關注。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，為了提升在HBM領域的競爭力，三星可能會著手重新設計部分1a DRAM電路。

原本，三星計劃在2024年第三季度開始向英偉達供應HBM3E產(chǎn)品。然而，其8層產(chǎn)品尚未通過質(zhì)量測試，而12層產(chǎn)品的推出時間也可能被推遲至2025年的第二或第三季度。

專家指出，三星在DRAM技術上的問題可能是導致其HBM產(chǎn)品無法通過測試的主要原因。由于HBM是通過垂直堆疊多個DRAM芯片來實現(xiàn)的，其性能在很大程度上依賴于底層的DRAM技術。

早在2020年，三星就率先在DRAM制造中引入了EUV（極紫外）技術。然而，有分析師猜測，三星在HBM3E產(chǎn)品上遇到的競爭力挑戰(zhàn)可能與1a DRAM的關鍵組件有關。三星在2021年下半年開始量產(chǎn)1a DRAM，并在五層中采用了EUV技術，而競爭對手SK海力士僅在一層中使用了EUV。然而，這種策略并未達到預期效果，使用EUV降低了大規(guī)模生產(chǎn)過程中的工藝穩(wěn)定性，導致成本降低的目標未能實現(xiàn)。

此外，三星的DRAM設計（特別是用于服務器的DRAM）似乎并不盡如人意，這也是該公司在服務器DDR5領域推出時間晚于競爭對手的原因之一。2023年1月，SK海力士率先獲得了英特爾的認證，并推出了基于其1a DRAM的服務器DDR5產(chǎn)品。

三星推遲為英偉達量產(chǎn)HBM3E產(chǎn)品引發(fā)了關于其是否應重新設計1a DRAM的討論。有報告顯示，三星的8層HBM3E產(chǎn)品的數(shù)據(jù)處理速度比SK海力士和美光的產(chǎn)品低了約10%。

為了恢復在服務器DRAM和HBM領域的競爭力，三星正在考慮進行戰(zhàn)略調(diào)整以改進其DRAM產(chǎn)品。盡管尚未做出最終決定，但三星內(nèi)部正在討論重新設計部分1a DRAM電路的可能性。然而，這一決策存在重大風險。

近日，三星設備解決方案（DS）部門主管Jun Young-hyun在公布公司2023年第三季度初步業(yè)績時表示歉意，因為該業(yè)績低于市場預期。他強調(diào)，管理層將承擔全部責任，并采取措施克服當前危機，帶領公司重新崛起。

三星能否通過HBM3E的質(zhì)量認證或選擇放棄該項目，可能取決于其是否決定重新設計部分1a DRAM電路。如果決定進行重新設計，可能需要至少6個月的時間，最早可能在2025年第二季度開始量產(chǎn)。然而，即使重新設計工作進展順利，考慮到當前的市場環(huán)境，確保及時供應產(chǎn)品仍將是一項艱巨的任務。