三星電子正面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，特別是在其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域。除了代工業(yè)務(wù)停滯的問(wèn)題，該公司在高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力也引發(fā)了廣泛關(guān)注。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，為了提升在HBM領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力，三星可能會(huì)著手重新設(shè)計(jì)部分1a DRAM電路。

原本，三星計(jì)劃在2024年第三季度開始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E產(chǎn)品。然而，其8層產(chǎn)品尚未通過(guò)質(zhì)量測(cè)試，而12層產(chǎn)品的推出時(shí)間也可能被推遲至2025年的第二或第三季度。

專家指出，三星在DRAM技術(shù)上的問(wèn)題可能是導(dǎo)致其HBM產(chǎn)品無(wú)法通過(guò)測(cè)試的主要原因。由于HBM是通過(guò)垂直堆疊多個(gè)DRAM芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)的，其性能在很大程度上依賴于底層的DRAM技術(shù)。

早在2020年，三星就率先在DRAM制造中引入了EUV（極紫外）技術(shù)。然而，有分析師猜測(cè)，三星在HBM3E產(chǎn)品上遇到的競(jìng)爭(zhēng)力挑戰(zhàn)可能與1a DRAM的關(guān)鍵組件有關(guān)。三星在2021年下半年開始量產(chǎn)1a DRAM，并在五層中采用了EUV技術(shù)，而競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士?jī)H在一層中使用了EUV。然而，這種策略并未達(dá)到預(yù)期效果，使用EUV降低了大規(guī)模生產(chǎn)過(guò)程中的工藝穩(wěn)定性，導(dǎo)致成本降低的目標(biāo)未能實(shí)現(xiàn)。

此外，三星的DRAM設(shè)計(jì)（特別是用于服務(wù)器的DRAM）似乎并不盡如人意，這也是該公司在服務(wù)器DDR5領(lǐng)域推出時(shí)間晚于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的原因之一。2023年1月，SK海力士率先獲得了英特爾的認(rèn)證，并推出了基于其1a DRAM的服務(wù)器DDR5產(chǎn)品。

三星推遲為英偉達(dá)量產(chǎn)HBM3E產(chǎn)品引發(fā)了關(guān)于其是否應(yīng)重新設(shè)計(jì)1a DRAM的討論。有報(bào)告顯示，三星的8層HBM3E產(chǎn)品的數(shù)據(jù)處理速度比SK海力士和美光的產(chǎn)品低了約10%。

為了恢復(fù)在服務(wù)器DRAM和HBM領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力，三星正在考慮進(jìn)行戰(zhàn)略調(diào)整以改進(jìn)其DRAM產(chǎn)品。盡管尚未做出最終決定，但三星內(nèi)部正在討論重新設(shè)計(jì)部分1a DRAM電路的可能性。然而，這一決策存在重大風(fēng)險(xiǎn)。

近日，三星設(shè)備解決方案（DS）部門主管Jun Young-hyun在公布公司2023年第三季度初步業(yè)績(jī)時(shí)表示歉意，因?yàn)樵摌I(yè)績(jī)低于市場(chǎng)預(yù)期。他強(qiáng)調(diào)，管理層將承擔(dān)全部責(zé)任，并采取措施克服當(dāng)前危機(jī)，帶領(lǐng)公司重新崛起。

三星能否通過(guò)HBM3E的質(zhì)量認(rèn)證或選擇放棄該項(xiàng)目，可能取決于其是否決定重新設(shè)計(jì)部分1a DRAM電路。如果決定進(jìn)行重新設(shè)計(jì)，可能需要至少6個(gè)月的時(shí)間，最早可能在2025年第二季度開始量產(chǎn)。然而，即使重新設(shè)計(jì)工作進(jìn)展順利，考慮到當(dāng)前的市場(chǎng)環(huán)境，確保及時(shí)供應(yīng)產(chǎn)品仍將是一項(xiàng)艱巨的任務(wù)。