11月5日，英飛凌科技CoolSiC MOSFET 2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK 3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場領(lǐng)先的產(chǎn)品設(shè)計(jì)以及卓越的性能，榮獲2024年全球電子成就獎(jiǎng)（World Electronics Achievement Awards, WEAA）“年度高性能無源/分立器件”（High Performance Passive/Discrete Devices of the Year），再次展現(xiàn)了英飛凌在電力電子領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新能力和行業(yè)領(lǐng)先地位。英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)產(chǎn)品總監(jiān)張明丹女士出席本次頒獎(jiǎng)典禮。

1

采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的CoolSiC MOSFET 2000V分立器件，爬電距離為14mm，電氣間隙為5.4mm。基于第一代增強(qiáng)型溝槽柵技術(shù)，該產(chǎn)品在電壓等級上實(shí)現(xiàn)了向上拓展，成為市面上首款擊穿電壓達(dá)到2000V的碳化硅分立器件，適用于最高1500 VDC的高直流電壓母線系統(tǒng)。憑借.XT擴(kuò)散焊技術(shù)，這款產(chǎn)品可提供一流的散熱性能，以及高防潮性，不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求，也能確保系統(tǒng)的可靠性。

2

CoolSiC MOSFET 2000V M1H碳化硅采用了增強(qiáng)型M1H Trench SiC MOSFET芯片技術(shù)，搭載EasyPACK 3B封裝和62mm兩種封裝。其中，DF4-19MR20W3M1HF_B11是第一個(gè)采用EasyPACK 3B封裝的2000V CoolSiC MOSFET功率模塊，適用于1500V光伏系統(tǒng)。實(shí)際應(yīng)用中，通過使用該產(chǎn)品，兩電平可以取代三電平的結(jié)構(gòu)，在輕載下，Boost升壓效率提高了1%，而在所有工作條件下，升壓效率平均提高了0.5%。它實(shí)現(xiàn)了更簡單的解決方案，減少了器件的數(shù)量，同時(shí)提高了功率密度，降低了1500 VDC應(yīng)用的總系統(tǒng)成本。

3

62mm CoolSiC MOSFET 2000V M1H碳化硅半橋模塊，優(yōu)化了VGS(th)、RDS(on)漂移和柵極驅(qū)動電壓范圍等SiC MOS關(guān)鍵性能。該產(chǎn)品VGS(th)最大正負(fù)柵極源極電壓分別擴(kuò)展至+23V和-10V，同時(shí)增大了推薦柵極驅(qū)動電壓的范圍,+15...+18V和0...-5V。過載條件下的Tvjop最高可達(dá)175℃，與市場同類產(chǎn)品相比，62mm CoolSiC MOSFET 2000V M1H碳化硅半橋模塊具備高頻、耐高壓、耐高溫、低損耗、抗輻射能力強(qiáng)等顯著優(yōu)勢。

作為全球功率系統(tǒng)的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌已在產(chǎn)品布局、產(chǎn)能、應(yīng)用等方面全面涵蓋第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵材料。在碳化硅方面，英飛凌擁有優(yōu)異的溝槽柵工藝以及全新的.XT技術(shù)，憑借在碳化硅領(lǐng)域長達(dá)二十余年的豐富經(jīng)驗(yàn)和深厚技術(shù)積淀，英飛凌無疑是業(yè)界最有競爭力的技術(shù)供應(yīng)商之一。未來，英飛凌科技將繼續(xù)致力于技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品優(yōu)化，為全球客戶提供更多高性能、高可靠性的產(chǎn)品解決方案，繼續(xù)推動碳化硅產(chǎn)品、技術(shù)在新應(yīng)用中的的持續(xù)發(fā)展和創(chuàng)新。