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華大半導體旗下上海貝嶺產(chǎn)品解析

華大半導體有限公司 ? 來源:華大半導體有限公司 ? 2024-11-09 11:08 ? 次閱讀
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近期,華大半導體旗下上海貝嶺股份有限公司榮獲2024第六屆金輯獎“最佳技術(shù)實踐應用獎”。

產(chǎn)品解析

1BLQG3040A/BLG3040

BLQG3040A/BLG3040系列——一款專門為汽車點火器設(shè)計的自鉗位絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)器件,符合AEC-Q101標準??蛇m用于各種汽車點火應用。

應用功能參數(shù):

高雪崩能力(ESCIS=300mJ@TJ=25 °C,ISCIS=14.2A)

● 低溫度系數(shù),滿足寬溫范圍應用

● 低通態(tài)損耗

● 低導通閾值(簡化驅(qū)動設(shè)計)

● 400V/430V鉗位電壓,匹配點火應用

2MEDS92630

MEDS92630 是一個一通道線性LED驅(qū)動器,具有模擬和PWM調(diào)光控制。該器件的全面故障檢測和內(nèi)置保護使其成為可達到中等功率范圍的可變強度LED照明應用的理想選擇。

應用功能參數(shù):

● 3通道LED驅(qū)動器(模擬和PWM調(diào)光)

● 寬輸入電壓范圍:5V-40V

● 可調(diào)恒定輸出電流

● 最大電流:150mA每通道

● 最大電流:450mA并聯(lián)工作模式

● 精度:在I(IOUTX)>30mA時,每通道± 2%

● 精度: ± 2.5%每個器件在I(IOUTX)>30mA

● 使用多個IC或單個IC的多個通道并行,以實現(xiàn)更高的電流低電壓降

3BLQGMS820T75FEDL7(HPD模塊)

BLQGMS820T75FEDL7(HPD模塊)采用貝嶺第7代溝槽柵場阻止層結(jié)構(gòu);具有極低的Vcesat,正溫系數(shù),優(yōu)化的柵電荷和米勒電容;具有強的抗EMI能力和短路能力。

應用:

●適用于電動汽車和混動汽車的逆變主驅(qū),以及電機驅(qū)動等應用

4BLQ3N120

BLQ3N120是1200V特高壓硅基N溝道增強型平面MOSFET,采用先進的MOSFET技術(shù),降低了導通損耗,提高了開關(guān)性能,增強了雪崩能量,并通過了AEC-Q101汽車級可靠性測試。

適用:

動力電池BMS高壓檢測,電動汽車主驅(qū)輔助電源,SMPS、高速開關(guān)和各種通用場景應用

5BLQ3N100E

BLQ3N100E是1000V特高壓硅基N溝道增強型平面MOSFET,采用先進的MOSFET技術(shù),帶ESD保護結(jié)構(gòu),降低了導通損耗,提高了開關(guān)性能,增強了雪崩能量,并通過了AEC-Q101汽車級可靠性測試。

適用:

動力電池BMS高壓檢測,電動汽車主驅(qū)輔助電源,SMPS、高速開關(guān)和各種通用場景應用

6BL0942

BL0942電能計量芯片采樣貝嶺最新的免校準技術(shù),具有高精度,外圍簡單,高可靠性等特點。

應用:

充電樁智能插座、智能家電等應用

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原文標題:“最佳技術(shù)實踐應用獎”——上海貝嶺產(chǎn)品解析

文章出處:【微信號:HDSC_semiconductor,微信公眾號:華大半導體有限公司】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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