上海貝嶺自2018年戰(zhàn)略布局工控和儲(chǔ)能市場(chǎng)以來(lái)，持續(xù)深耕光伏儲(chǔ)能、伺服變頻、工業(yè)電源、BMS、電動(dòng)工具、電動(dòng)車(chē)等核心領(lǐng)域，致力于為客戶提供高性?xún)r(jià)比的半導(dǎo)體產(chǎn)品與系統(tǒng)解決方案。

公司產(chǎn)品涵蓋電源管理、信號(hào)鏈產(chǎn)品和功率器件3大產(chǎn)品領(lǐng)域，依托功率器件、電源管理、接口芯片、隔離器、存儲(chǔ)器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換及標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)八大產(chǎn)品線，全面構(gòu)建模擬和數(shù)?；旌袭a(chǎn)品解決方案平臺(tái)。在高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，公司產(chǎn)品覆蓋率可達(dá)80%以上。

圖1：高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)典型框圖

主功率鏈產(chǎn)品介紹

在高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)主功率鏈中，上海貝嶺可提供650V全系列IGBT以及柵極驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品配套：

① 650V10A~75A系列IGBT產(chǎn)品

基于貝嶺G2 Trench FS IGBT工藝平臺(tái)，對(duì)標(biāo)市場(chǎng)主流的H4代產(chǎn)品工藝，采用3um pitch的微溝槽工藝，正面結(jié)構(gòu)采用精心設(shè)計(jì)的“Gate溝槽+dummy溝槽” 比例，背面采用優(yōu)化的H FS工藝，獲得良好Vcesat-Eoff折衷，以及優(yōu)秀的短路能力；終端采用優(yōu)化的“FLR+場(chǎng)板技術(shù)”，實(shí)現(xiàn)175℃的最高工作結(jié)溫，并且可以通過(guò)HV-H3TRB的加嚴(yán)可靠性測(cè)試。

該系列提供3個(gè)版本產(chǎn)品：

1低頻版

先進(jìn)的正面結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可以實(shí)現(xiàn)Vge≤15V，tsc=5us的短路能力，以及足夠低的Vcesat，推薦應(yīng)用頻率2~25kHz，目前已在高壓伺服、工業(yè)縫紉機(jī)、跑步機(jī)等市場(chǎng)批量應(yīng)用

2低頻版plus

通過(guò)正面結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的進(jìn)一步優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)Vge≤16.5V，tsc=5us的短路能力，以及Vcesat typ=1.55V，對(duì)變頻器等電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供更匹配的應(yīng)用支持

3高頻版

通過(guò)良好的Vcesat-Eoff折衷特性，可以支持客戶最高60kHz的應(yīng)用頻率需求

650V 10A~75A系列IGBT產(chǎn)品圖片（封裝形式）

② 650V80A~200A系列IGBT產(chǎn)品

基于貝嶺G3 Trench FS IGBT工藝平臺(tái)，對(duì)標(biāo)市場(chǎng)主流的H5代和H7代產(chǎn)品工藝，采用更加先進(jìn)的1.6um pitch微溝槽工藝，正面結(jié)構(gòu)通過(guò)“Gate溝槽+E短接溝槽+dummy 溝槽”3種溝槽的設(shè)計(jì)比例優(yōu)化，背面采用優(yōu)化的H FS工藝，獲得足夠低的Vceast和良好的開(kāi)關(guān)損耗，滿足電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用所需的短路能力；終端采用優(yōu)化的“VLD技術(shù)”，在提高芯片有效面積占比的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)175℃的最高工作結(jié)溫，并且可以通過(guò)HV-H3TRB的加嚴(yán)可靠性測(cè)試。

該系列提供3個(gè)版本產(chǎn)品：

1低頻版

Vcesat_typ=1.5V，可以實(shí)現(xiàn)Vge≤15V，tsc=3us的短路能力，推薦應(yīng)用頻率2~25kHz

2高頻版

Vcesat_typ=1.5V，推薦應(yīng)用頻率：20~30kHz，推薦應(yīng)用領(lǐng)域：光伏儲(chǔ)能，工業(yè)焊機(jī)

3特高頻版

Vcesat_typ=1.6V，推薦應(yīng)用頻率：30~50kHz，推薦應(yīng)用領(lǐng)域：充電樁，工業(yè)電源，工業(yè)焊機(jī)

為滿足不同客戶需求，該系列產(chǎn)品還可以提供低頻版plus的定制化需求（實(shí)現(xiàn)Vge≤16.5V，tsc=5us的短路能力，Vcesat typ=1.5V）。

650V80A~200A系列IGBT產(chǎn)品圖片（封裝形式）

③ 柵極驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品-SA3626A/BL2601A

SA2636A 是一款最高耐壓650V的全橋驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)三相系統(tǒng)中的MOSFET或IGBT。其低側(cè)兼容3.3V邏輯控制，提供300mA/600mA的拉灌電流能力。芯片集成欠壓鎖定及可調(diào)電阻過(guò)流檢測(cè)功能，故障時(shí)立即關(guān)斷所有開(kāi)關(guān)并輸出錯(cuò)誤信號(hào)，內(nèi)置290ns死區(qū)時(shí)間以提升系統(tǒng)安全性。

BL2601A是一款高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片，專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)雙NMOS或IGBT設(shè)計(jì)，工作電壓可達(dá)600V。芯片內(nèi)置VCC/VBS欠壓保護(hù)（UVLO），輸入兼容3.3-15V邏輯，上下管延時(shí)匹配典型50ns，提供+0.3A/-0.6A的驅(qū)動(dòng)能力，采用SOP8封裝。

高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)全鏈路芯片一站式選型指南

在高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，除了核心的主功率變換鏈，高效的電源管理和精確的信號(hào)處理同樣是確保系統(tǒng)穩(wěn)定、可靠運(yùn)行的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。上海貝嶺憑借全面的模擬芯片產(chǎn)品線，可為此提供完整的配套解決方案：其電源管理芯片（如PWM控制器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、LDO及穩(wěn)壓器）為系統(tǒng)中的控制電路、傳感器和接口提供穩(wěn)定、潔凈的各級(jí)供電；而信號(hào)鏈芯片（包括隔離接口、運(yùn)算放大器、EEPROM等）則負(fù)責(zé)實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵的信號(hào)隔離、調(diào)理、通信與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能。二者與主功率鏈協(xié)同工作，共同構(gòu)筑高性能、高集成度的電機(jī)驅(qū)動(dòng)平臺(tái)。

圖2：高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)上海貝嶺器件選型表