電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）在日前由TrendForce集邦咨詢主辦的MTS2025存儲產(chǎn)業(yè)趨勢研討會上，集邦分析師們都提到AI對存儲乃至半導體產(chǎn)業(yè)的推動。

集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理郭祚榮表示，AI應用帶動高效能運算芯片需求發(fā)燒已持續(xù)近兩年，高算力應用成為先進制程及晶圓代工產(chǎn)業(yè)最大驅(qū)動力。

自2025年起，除了AI芯片供貨商及CSPs自研芯片，內(nèi)存供貨商也因應高算力需求，爭相尋求先進制程晶圓代工伙伴合作；區(qū)域競爭下更讓全球半導體格局發(fā)生重大變革，無論先進工藝與封裝工藝都將是未來的致勝關鍵。

此外晶圓廠上中下游配套IP、設計服務及封測生態(tài)已成為AI領域競賽的必要資源。除先進制程的商機外，Edge AI是否能為需求沉寂已久的成熟制程注入新活力，2025年的晶圓代工產(chǎn)業(yè)在Cloud AI與Edge AI的發(fā)展下將如何變革成為關注焦點。

集邦咨詢研究經(jīng)理劉家豪認為，明年服務器市場有所改善，隨著全球AI服務器市場對云端服務供貨商(CSPs)及品牌業(yè)者對AI基礎設施需求不斷增強，預計2025年AI服務器的出貨量將持續(xù)攀升至約15%。

對于AI對內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的影響，TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷結合供給端和需求端、以及明年的市場展望，做了專業(yè)深入的分享。

供給端：HBM是否會供過于求？

從2024年內(nèi)存市場生產(chǎn)位元成長Production bit growth的情況來看，預計三星明年的生產(chǎn)成長14%，SK海力士接近30%，美光增長 23%，NANYA增長16%。DRAM產(chǎn)能方面，三星在今年年底會達到120K，2025年規(guī)劃達到170K。

HBM成為一大熱門內(nèi)存產(chǎn)品，吳雅婷分析，其中三星HBM產(chǎn)量占其總內(nèi)存產(chǎn)量的9%，SK海力士占比達14%，美光由于后段產(chǎn)能不多，因此明年總產(chǎn)出占比為6%。美光的HBM驗證狀況穩(wěn)定，目前HBM產(chǎn)能不算太多，今年底25K，明年底45K，市場份額還遠低于SK海力士和三星電子這兩家韓系廠商。

那么，對于明年HBM會否供過于求的問題，吳雅婷表示，我們始終認為明年HBM的需求非常旺盛，HBM的研發(fā)歷程以及良率提升的難度會遠高于之前的產(chǎn)品，因此目前預測的成長數(shù)字有可能會下修的。換言之，不會出現(xiàn)供過于求的情況。

吳雅婷指出，HBM的議價方式是一年一次，大約會在每年4月份發(fā)生，由于HBM還是比較熱門，因此整體來看明年HBM不太會有缺貨的情況，并且價格會持續(xù)上漲。

2024年HBM3的占比持續(xù)提升，而這個現(xiàn)象在明年會更加明顯，預計HBM3e在明年將占所有HBM產(chǎn)出的85%。

三星HBM給英偉達的供貨主要是配合H20，目前GB200還沒有應用，此外三星HBM也為谷歌供貨。SK海力士在今年下半年主力提供HBM給英偉達H200、GB200產(chǎn)品。美光HBM供應在明年主要集中在MI325和GB300。

2024年的內(nèi)存供應，一方面是全球DRAM產(chǎn)能沒有增加，而HBM快速滲透，HBM相比于DDR5需要用到更多wafer，因此影響內(nèi)存供應量，從而帶動內(nèi)存價格上漲。

另一方面，疫情之后整個智能手機的出貨量增速放緩，2024年由于內(nèi)存價格上漲，各家廠商在手機中增加更多內(nèi)存的意愿降低。若明年增長，則寄希望于AI手機的普及帶動單機搭配容量的上升。

吳雅婷指出，明年LPDDR5將成為主流，其中LPDDR5在智能手機上的占比會提升到55%。

需求端：AI LPDDR 和 AI Server DRAM高成長

通用型Server DRAM 和 Mobile DRAM需求量占比最高，但AI LPDDR 和 AI Server DRAM成長性更好，正在成為市場下一個引領力量。

至于為何AI用LPDDR5越來越多，吳雅婷解釋說，英偉達的Grace CPU制造工藝是用onboard的方式打在板子上，后續(xù)英偉達會將LPDDR5X以模組形式出貨。預測算明年LPDDR5X 在 AI Server上的成長率會超過40%。同時，這將排擠 LPDDR5應用于智能手機的出貨量?？傮w，明年LPDDR5的價格表現(xiàn)會比LPDDR4更有支撐度。

HBM需求方面，英偉達仍然是最大采購客戶，今年占比達58%，明年預計是73%。在HBM價格堅挺，如若有價格弱化的情況也主要是BM2e或HBM3。隨著HBM3E的持續(xù)滲透，明年有望占比超過8成。價格方面，HBM3e 12hi以每字節(jié)的價格來看，相比8hi的產(chǎn)品價格要貴10%到 15%。

集邦咨詢認為明年HBM的產(chǎn)品均價成長會接近18%，當然并非每家廠商都有如此增長，要視廠商拿到的英偉達份額多少來看。

值得注意的是LPDDR的價格有向下的趨勢，過去兩三季度智能手機廠商積極消化庫存，采購LPDDR4、LPDDR5意愿不強，不過隨著庫存水位的下降，有望在明年一季度開始暢旺地采購，從而拉動LPDDR的價格。

明年內(nèi)存行情如何？

吳雅婷表示，預計2025年DRAM產(chǎn)值仍創(chuàng)歷史新高，主要原因是HBM這一高價產(chǎn)品的滲透率提升。總體上明年供給位元成長25%，需求成長23%，因此每一家供應商對于明年的產(chǎn)能規(guī)劃需要非常謹慎。

2025年HBM占內(nèi)存整體市場份額接近9%，但由于價格高，對整個營收貢獻達34%，甚至40%。如果DRAM價格跌幅進一步加深，HBM的占比相應會提高。而幾家內(nèi)存大廠的獲利情況要視其在HBM上的競爭力以及HBM的供給量而定。

價格方面，2024年第四季度，終端廠商一直庫存去化，造成一般型DRAM（Conventional DRAM）價格下降，每季大概下跌3%到8%，即便加上HBM 7個季度的表現(xiàn)，整體的DRAM價格仍有1%到 5%的下跌。明年上半年，因為消費型需求沒有大回溫的跡象，需求仍比較弱，整體的價格主要靠HBM支撐，預計整體DRAM在明年一季度的下跌會到10%，第二季度、第三季度跌幅縮小。

如若Conventional DRAM 的需求減少的同時，供應商壓縮產(chǎn)能，那么明年下半年情況可能會有所改變。預計第三季、第四季整體 DRAM 的價格上漲。

Mobile DRAM方面，LPDDR4X和LPDDR5X市場表現(xiàn)不同，LPDDR4X供應量大，隨著智能手機向 LPDDR5遷移，LPDDR4的價格走勢面臨挑戰(zhàn)。而LPDDR5X在AI上應用越來越廣泛，表現(xiàn)更穩(wěn)健。

HBM3e依舊是明年的重點，占比到80%以上，尤其在12hi的產(chǎn)品，至于三大廠商的市場份額競爭，還得看部分廠商在英偉達的推進進度。

總體上，AI、通用服務器的內(nèi)存需求表現(xiàn)良好，期待消費電子的需求增長，同時內(nèi)存廠商調(diào)控Conventional DRAM的產(chǎn)能需因時而動。