本文主要討論硅拋光片的主要技術(shù)指標(biāo)、測試標(biāo)準(zhǔn)以及硅片主要機(jī)械加工參數(shù)的測量方法。
硅片機(jī)械加工參數(shù)
硅拋光片的主要技術(shù)指標(biāo)和測試標(biāo)準(zhǔn)可以參照SEMI標(biāo)準(zhǔn)、ASTM標(biāo)準(zhǔn)以及其他相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。
1.1 硅片機(jī)械加工參數(shù)的測量方法
進(jìn)行宏觀的常規(guī)檢驗(yàn),這通常在暗場或暗室中進(jìn)行,通過目視或顯微鏡檢測硅片表面的宏觀缺陷,如劃痕、波紋、橘皮、蝕坑、小丘、霧及雜質(zhì)條紋等。
1.2 硅片表面狀態(tài)質(zhì)量參數(shù)
這些參數(shù)主要包括硅片表面的宏觀缺陷(如劃痕、波紋等)、表面顆粒含量、表面金屬雜質(zhì)沾污含量、表面納米形貌及表面損傷、應(yīng)力等。
這些參數(shù)反映了硅片表面的質(zhì)量和純凈度,對于半導(dǎo)體器件的性能和可靠性有著重要影響。
晶向測量解析
在半導(dǎo)體行業(yè)中,硅單晶棒或晶片的晶向測量是確保IC芯片電路性能和質(zhì)量的關(guān)鍵步驟。以下晶向測量的方法。
X射線衍射法:X射線衍射法是最常被采用的測量硅單晶棒或晶片晶向的方法。
其原理是利用X射線在晶體中的衍射現(xiàn)象,通過測量衍射角來確定晶體的晶向。
布拉格定律:nλ=2dsinθ,其中n為反射次數(shù),d為相鄰的結(jié)晶平面的間距,θ為入射X射線與反射面之間的夾角(布拉格角)。
晶面間距計(jì)算:對于立方晶系,晶面間距d可以通過公式d=a/(h2+k2+l2)1/2計(jì)算,其中a為晶格常數(shù),h、k、l為米勒指數(shù)。
其他方法:除了X射線衍射法外,還可以借助可直接觀察的一些可辨別的特征(如腐蝕坑)或借助專用設(shè)備(如電子背散射衍射儀)來進(jìn)行測量。
硅單晶棒或晶片的晶向測量是半導(dǎo)體行業(yè)中的一項(xiàng)重要技術(shù),其準(zhǔn)確性和可靠性對于確保IC芯片電路的性能和質(zhì)量具有重要意義。
導(dǎo)電類型的測量解析
導(dǎo)電類型是半導(dǎo)體材料的一個(gè)重要電學(xué)參數(shù),它決定了半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電機(jī)制和性能。以下是對導(dǎo)電類型測量方法的詳細(xì)解析:
3.1 導(dǎo)電類型的分類
根據(jù)硅單晶制備時(shí)所摻的元素不同,硅單晶可分為N型和P型兩大類:
N型硅單晶:多數(shù)載流子是電子,依靠電子導(dǎo)電,又稱電子半導(dǎo)體。摻雜物為VA族元素磷、砷、銻等。
P型硅單晶:多數(shù)載流子是空穴,依靠空穴導(dǎo)電,又稱空穴半導(dǎo)體。摻雜物為ⅢA族元素硼等。
3.2 導(dǎo)電類型的測量方法
測量半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型的方法有多種,常采用的有整流效應(yīng)法和溫差電動(dòng)勢法。具體測試方法包括:
點(diǎn)接觸整流法:
原理:通過兩個(gè)探針與半導(dǎo)體材料接觸,一個(gè)為歐姆接觸,一個(gè)為整流接觸,利用整流接觸的單向?qū)щ娦耘袛鄬?dǎo)電類型。
操作:將半導(dǎo)體材料和直流微安表與交流電源連接成串聯(lián)電路,一個(gè)探針保證歐姆接觸,另一個(gè)探針為整流接觸。根據(jù)電流方向判斷導(dǎo)電類型。
冷熱探針法:
原理:利用兩根不同溫度的金屬探針與半導(dǎo)體材料接觸,根據(jù)溫差電動(dòng)勢的方向判定導(dǎo)電類型。
操作:將冷熱兩根探針與半導(dǎo)體材料接觸,根據(jù)檢流計(jì)指針方向判斷導(dǎo)電類型。熱探針相對于冷探針的電性可指示半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類型。
實(shí)際操作注意事項(xiàng)
在使用冷熱探針法時(shí),探針的溫度應(yīng)保持在一定范圍內(nèi)(如40~80℃),對探針施加的壓強(qiáng)要適中。熱探針常用不銹鋼或鎳制成,探針的尖端一般呈圓錐體形狀,以確保良好的接觸和測溫準(zhǔn)確性。在進(jìn)行整流效應(yīng)法測量時(shí),需要確保一個(gè)探針觸點(diǎn)為歐姆接觸,另一個(gè)為整流接觸,以準(zhǔn)確判斷導(dǎo)電類型。
綜上,導(dǎo)電類型的測量是半導(dǎo)體材料性能測試中的重要環(huán)節(jié)。選擇合適的測試方法和遵循相應(yīng)的測試標(biāo)準(zhǔn),可以確保測量結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。
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原文標(biāo)題:硅片測試
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