01

背景介紹

隨著電子設(shè)備小型化和高集成度的需求，低介電常數(shù)、低損耗和高熱導(dǎo)率的電子封裝材料在高頻通信和高功率密度電子設(shè)備中變得越來越重要。盡管聚合物因其優(yōu)良特性被廣泛應(yīng)用，但其低熱導(dǎo)率（約0.2 W/mK）難以滿足現(xiàn)代散熱需求。研究表明，添加高熱導(dǎo)率填料（如石墨烯、碳納米管和氮化硼等）可以顯著提高聚合物復(fù)合材料的熱導(dǎo)率，但需要大量填料來建立導(dǎo)熱網(wǎng)絡(luò)，這通常會導(dǎo)致介電常數(shù)和介電損耗的增加。因此，迫切需要新的解決方案來有效平衡熱導(dǎo)率和介電性能之間的矛盾，推動電子設(shè)備的性能和可靠性不斷提升。

02

成果掠影

近日，四川大學(xué)傅強、韓迪和張琴團(tuán)將具有不同籠尺寸的T8、T10和T12降冰片烯POSS接枝到BNNS表面，合成了一系列新型納米填料，即BN-T8N、BN-T10N和BN-T12N。然后將這些納米填料加入聚雙環(huán)戊二烯（PDCPD）中，通過反應(yīng)共混制備出綜合性能優(yōu)異的高導(dǎo)熱、低介電常數(shù)聚合物納米復(fù)合材料。該研究通過將大尺寸POSS功能化的BNNS與PDCPD結(jié)合，成功制備了具有優(yōu)異熱導(dǎo)率和低介電性能的聚合物納米復(fù)合材料，為電子封裝領(lǐng)域的應(yīng)用提供了有希望的解決方案。研究成果以“Achieving low dielectric constant and high thermal conductivity polymer composites by using larger POSS functionalized boron nitride nanosheets”為題發(fā)表在《Journal of Materials Chemistry A》期刊。

03

圖文導(dǎo)讀

圖1. 制備PBN-Tn納米復(fù)合材料的示意圖。

圖2. 復(fù)合材料介電性能和正電子湮滅壽命譜圖表征。

圖3. 復(fù)合材料導(dǎo)熱性能表征。

圖4. 復(fù)合材料綜合性能表征。