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氮化硼導熱絕緣片 | 車載充電橋OBC應用

向欣電子 ? 2025-04-30 18:17 ? 次閱讀
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晟鵬公司研發(fā)的氮化硼導熱絕緣片憑借其高導熱性、耐高壓及輕量化等特性,在電動汽車OBC車載充電橋IGBT模組中展現(xiàn)出關鍵應用價值。OBC的熱管理需求:OBC將電網交流電轉換為直流電并為電池充電,其核心發(fā)熱源包括:功率半導體器件(如SiC、IGBT):開關損耗產生大量熱量。磁性元件(變壓器、電感):銅損和鐵損導致溫升。高密度電路設計:緊湊空間加劇散熱難度。若散熱不足,會導致效率下降、器件壽命縮短甚至故障,因此需高效絕緣導熱材料作為熱界面材料。


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一、IGBT模組的熱管理挑戰(zhàn)電動汽車IGBT模組在高壓(通常600-1200V)、高頻(10-20kHz)工況下運行時,芯片結溫可超過150℃,存在以下挑戰(zhàn):


1.散熱需求高:IGBT芯片的功率密度大,需快速導出熱量以防止性能衰減或失效。


2.絕緣耐壓要求:模組內部電壓梯度大,需耐受≥4 kV的擊穿電壓,避免漏電或短路。


3.空間限制:OBC內部空間緊湊,要求材料超?。ㄈ?.25-0.38mm)且易安裝。



二、氮化硼導熱絕緣片優(yōu)勢(如SP035、SP050)


1.高導熱性能:水平X-Y方向導熱系數(shù)達15-20 W/(m·K):快速將IGBT芯片熱量傳導至散熱基板,降低結溫(實測可降10-15℃)。垂直Z軸導熱系數(shù)3.5-5 W/(m·K):優(yōu)化熱量在模組堆疊方向的分層傳遞,減少局部熱點。


2.優(yōu)異的電絕緣性耐擊穿電壓>4 kV/mm:適配高壓IGBT模組(如1200V SiC器件),確保電氣隔離安全性。低介電常數(shù)(ε<4):減少高頻工況下的信號干擾,提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。


3.耐高溫與阻燃性工作溫度范圍-50℃~200℃:適應OBC頻繁充電使用及高溫環(huán)境,避免材料老化開裂。UL 94 V-0阻燃等級:有效抑制熱失控風險,符合車規(guī)級安全標準。


4.輕量化與結構適配性?超薄設計(0.25-0.38mm):適配IGBT模組緊湊封裝(如TO-247、TO-220),減少體積占用。柔韌性優(yōu)異(可彎折>180°):貼合曲面散熱器,降低接觸熱阻30%以上。



氮化硼導熱絕緣片在OBC中的應用場景:
1.功率器件散熱:
o作為MOSFET/IGBT與散熱器之間的絕緣墊片,替代傳統(tǒng)硅膠或氧化鋁陶瓷,提升熱傳導效率,降低結溫。
2.高頻變壓器封裝
o混合于環(huán)氧樹脂中作為導熱填料,提升變壓器整體散熱能力,同時保持絕緣性。
3.PCB基板或覆銅板
o用作高頻電路基板材料,兼顧散熱與信號完整性,減少局部熱點。
4.高壓連接部件絕緣
o在DC-DC模塊中隔離高壓端與低壓端,防止擊穿并導出熱量。


晟鵬科技的氮化硼導熱絕緣片高導熱、耐高壓、輕量化特性,成為電動汽車IGBT模組熱管理的理想選擇,顯著提升了系統(tǒng)效率與可靠性。隨著新能源車對熱管理需求的升級,氮化硼材料產品將在國產替代與技術迭代中發(fā)揮核心作用。


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