FeRAM具有傳統(tǒng)的FLASH存儲(chǔ)器和EEPROM難以實(shí)現(xiàn)的高速性、低功耗和高耐久性等特點(diǎn)，在各行業(yè)擁有豐富應(yīng)用事例。例如在工廠，工廠自動(dòng)化系統(tǒng)機(jī)器人HMI（Human Machine Interface）就采用了FeRAM。高速寫入數(shù)據(jù)可實(shí)時(shí)記錄機(jī)械臂的參數(shù)和設(shè)定信息。即使斷電等意外導(dǎo)致生產(chǎn)線停止，復(fù)原時(shí)間也能大幅縮短。

FeRAM的特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)

隨著工廠自動(dòng)化的不斷推進(jìn)，機(jī)器人能夠準(zhǔn)確、高效地工作對(duì)提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量至關(guān)重要。尤其對(duì)管理?保存機(jī)器人手臂的角度、力度等各種設(shè)定參數(shù)的準(zhǔn)確性要求較高。由此，F(xiàn)eRAM（鐵電體存儲(chǔ)器）受到了廣泛關(guān)注。FeRAM具有高速寫入和高可靠性等特點(diǎn)，即使在斷電等突發(fā)情況下也能確保重要數(shù)據(jù)的安全保存。

FA機(jī)器人HMI采用FeRAM的理由

高速寫入

相比其他非易失性存儲(chǔ)器（NVM），F(xiàn)eRAM與寫入速度極高。因此，可實(shí)時(shí)更新和保存諸如機(jī)器人手臂角度和強(qiáng)度等設(shè)置參數(shù)以快速且準(zhǔn)確地控制機(jī)器人的運(yùn)作。

高可靠性的數(shù)據(jù)保持

即使工廠內(nèi)發(fā)生電源故障或意外的系統(tǒng)宕機(jī)，F(xiàn)eRAM也能以高可靠性保持?jǐn)?shù)據(jù)。除設(shè)置參數(shù)外，還包括機(jī)器人的當(dāng)前位置、速度、傳感器數(shù)據(jù)等動(dòng)態(tài)信息。由此重啟后可立即恢復(fù)至原本的狀態(tài)，最大限度地減少停機(jī)時(shí)間，有助于維持生產(chǎn)效率。

耐久性與使用壽命

FeRAM的可重寫次數(shù)極多，在數(shù)據(jù)頻分更新的工廠自動(dòng)化環(huán)境中也具有優(yōu)異的耐久性。由此可確保長期穩(wěn)定運(yùn)行，同時(shí)減少維護(hù)的工作量和成本。

應(yīng)用實(shí)例詳情

某先進(jìn)制造工廠中的機(jī)器人HMI采用了FeRAM。該工廠需要對(duì)機(jī)器人手臂進(jìn)行精細(xì)的動(dòng)作控制，F(xiàn)eRAM實(shí)現(xiàn)了設(shè)置參數(shù)的快速寫入和可靠的數(shù)據(jù)保持。

該客戶原本使用的是EEPROM，電源故障或系統(tǒng)宕機(jī)時(shí)容易發(fā)生數(shù)據(jù)丟失，導(dǎo)致機(jī)器人手臂的角度、速度、傳感器數(shù)據(jù)等重要狀態(tài)信息丟失。這導(dǎo)致生產(chǎn)線恢復(fù)后需重新確認(rèn)各個(gè)手臂的設(shè)置參數(shù)，降低生產(chǎn)效率。

為解決這一問題，客戶開始考慮采用FeRAM。

采用FeRAM后，實(shí)現(xiàn)了高速數(shù)據(jù)寫入并實(shí)時(shí)保存設(shè)置參數(shù)和狀態(tài)信息。如此電源故障時(shí)數(shù)據(jù)丟失的擔(dān)憂得以消除，在生產(chǎn)線復(fù)原后可立即恢復(fù)之前的設(shè)置參數(shù)和狀態(tài)信息，大幅減少復(fù)原工作所需的時(shí)間和精力。

由于不再需要擔(dān)心設(shè)備所需的參數(shù)信息會(huì)丟失，心理負(fù)擔(dān)也大大減輕。這使得操作員能更加專注于生產(chǎn)工作，從而整體生產(chǎn)效率得以提升。

總結(jié)

通過采用FeRAM，工廠自動(dòng)化機(jī)器人HMI能夠?qū)崿F(xiàn)更高速且更可靠的數(shù)據(jù)管理。電源故障時(shí)的數(shù)據(jù)快速恢復(fù)以及具備長期使用壽命和高耐久性的存儲(chǔ)技術(shù)有助于提升生產(chǎn)效率。未來，F(xiàn)eRAM也將繼續(xù)在工廠自動(dòng)化領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司（即將更名為RAMXEED有限公司）提供的FeRAM可大幅減少FA現(xiàn)場(chǎng)的停機(jī)時(shí)間，其高速寫入實(shí)現(xiàn)作業(yè)中的瞬時(shí)停電后快速恢復(fù)。

歡迎聯(lián)系加賀富儀艾電子（上海）有限公司了解FeRAM產(chǎn)品更多應(yīng)用按案例。

更名通知

富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司將更名為RAMXEED有限公司，自2025年1月1日起生效。

在更名的同時(shí)，電子郵件地址和網(wǎng)站URL也將進(jìn)行更新，郵政地址和電話號(hào)碼不會(huì)有任何變化。

更名后，RAMXEED也將繼續(xù)為客戶提供高性能和高質(zhì)量的FeRAM/ReRAM半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)品和服務(wù)。

關(guān)于富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司

富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司（即將更名為RAMXEED有限公司）成立于2020年3月，可為客戶提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品和各種解決方案，主要是基于鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FeRAM），這是一種高質(zhì)量、高可靠性的非易失性存儲(chǔ)器。作為下一代存儲(chǔ)器，富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案已經(jīng)開始批量生產(chǎn)ReRAM（電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），它在讀取數(shù)據(jù)時(shí)需要更少的功率，是小型可穿戴設(shè)備的理想選擇，同時(shí)還在開發(fā)以碳納米管為材料的非易失性存儲(chǔ)器（NRAM）。

關(guān)于加賀富儀艾電子（上海）有限公司

加賀富儀艾電子（上海）有限公司原為富士通電子，其業(yè)務(wù)自2020年12月并入加賀集團(tuán)，旨在為客戶提供更好的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品和服務(wù)。在深圳、大連等地均設(shè)有分公司，負(fù)責(zé)統(tǒng)籌加賀富儀艾電子在中國的銷售業(yè)務(wù)。

加賀富儀艾電子（上海）有限公司的主要銷售產(chǎn)品包括Custom SoCs (ASICs), 代工服務(wù)，專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品（ASSPs），鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器，繼電器，GaN（氮化鎵），MCU和電源功率器件，它們是以獨(dú)立產(chǎn)品及配套解決方案的形式提供給客戶，并廣泛應(yīng)用于高性能光通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、手持移動(dòng)終端、影像設(shè)備、汽車、工業(yè)控制、家電、穿戴式設(shè)備、醫(yī)療電子、電力電表、安防等領(lǐng)域。