近日，第三代半導(dǎo)體“2024行家極光獎(jiǎng)”在深圳揭曉，數(shù)百家SiC&GaN企業(yè)代表聯(lián)袂赴宴，經(jīng)過(guò)數(shù)月時(shí)間的緊密籌劃，專(zhuān)家組委會(huì)和眾多行業(yè)人士投票評(píng)選，派恩杰榮耀登榜“中國(guó)SiC器件Fabless十強(qiáng)企業(yè)”。

“行家極光獎(jiǎng)”年度企業(yè)獎(jiǎng)項(xiàng)主要授予在碳化硅和氮化鎵領(lǐng)域擁有一定聲望，取得重要成績(jī)，技術(shù)水平達(dá)到行業(yè)以至國(guó)內(nèi)外先進(jìn)水平，在推動(dòng)行業(yè)發(fā)展、技術(shù)創(chuàng)新和市場(chǎng)推廣等方面做出優(yōu)異成績(jī)或起到引領(lǐng)作用的企業(yè)。

2024年，第三代半導(dǎo)體繼續(xù)乘勢(shì)而上、高歌猛進(jìn)，與此同時(shí)，全球經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)疲軟導(dǎo)致碳化硅和氮化鎵的市場(chǎng)需求出現(xiàn)波動(dòng)，行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)和挑戰(zhàn)也在加劇。盡管如此，派恩杰仍不斷保持企業(yè)戰(zhàn)略定力，積極應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)，憑借過(guò)硬的技術(shù)和產(chǎn)品實(shí)力不斷突破，并獲得客戶(hù)與市場(chǎng)的一致高度好評(píng)，在今年的競(jìng)爭(zhēng)中脫穎而出獲得了“中國(guó)SiC器件Fabless十強(qiáng)企業(yè)的”稱(chēng)號(hào)。獲得本年度[十強(qiáng)榜單]獎(jiǎng)項(xiàng)的企業(yè)在品牌影響力、市場(chǎng)占有率、創(chuàng)新能力和未來(lái)的發(fā)展?jié)摿Φ染C合實(shí)力較為突出。

“行家極光獎(jiǎng)”是由行家說(shuō)開(kāi)創(chuàng)，每年舉辦一屆，致力于成為碳化硅和氮化鎵半導(dǎo)體領(lǐng)域權(quán)威的行業(yè)評(píng)選活動(dòng)，多年來(lái)一直秉持著公正、公開(kāi)、科學(xué)、權(quán)威的原則，以產(chǎn)業(yè)縱深角度、專(zhuān)業(yè)嚴(yán)謹(jǐn)?shù)卦u(píng)選出獲獎(jiǎng)單位及產(chǎn)品，被譽(yù)為產(chǎn)業(yè)的“風(fēng)向標(biāo)”。

派恩杰半導(dǎo)體

成立于2018年9月的第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)和方案商，國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)JC-70會(huì)議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導(dǎo)體功率器件國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。發(fā)布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大規(guī)模導(dǎo)入國(guó)產(chǎn)新能源整車(chē)廠和Tier 1，其余產(chǎn)品廣泛用于大數(shù)據(jù)中心、超級(jí)計(jì)算與區(qū)塊鏈、5G通信基站、儲(chǔ)能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業(yè)特種電源、UPS、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。