離子轟擊的不均勻性

干法刻蝕通常是物理作用和化學(xué)作用相結(jié)合的過程，其中離子轟擊是重要的物理刻蝕手段。在刻蝕過程中，離子的入射角和能量分布可能不均勻. 如果離子入射角在側(cè)壁的不同位置存在差異，那么離子對側(cè)壁的刻蝕效果也會(huì)不同。在離子入射角較大的區(qū)域，離子對側(cè)壁的刻蝕作用更強(qiáng)，會(huì)導(dǎo)致該區(qū)域的側(cè)壁被刻蝕得更多，從而使側(cè)壁產(chǎn)生彎曲。此外，離子能量的不均勻分布也會(huì)產(chǎn)生類似的效果，能量較高的離子能夠更有效地去除材料，造成側(cè)壁在不同位置的刻蝕程度不一致，進(jìn)而引起側(cè)壁彎曲 。

光刻膠的影響光刻膠在干法刻蝕中起著掩膜的作用，保護(hù)不需要被刻蝕的區(qū)域。然而，光刻膠在刻蝕過程中也會(huì)受到等離子體的轟擊和化學(xué)反應(yīng)的影響，其性能可能會(huì)發(fā)生變化. 如果光刻膠的厚度不均勻、在刻蝕過程中的消耗速率不一致，或者光刻膠與襯底之間的附著力在不同位置有所不同，都可能導(dǎo)致刻蝕過程中對側(cè)壁的保護(hù)作用不均勻。例如，光刻膠較薄或附著力較弱的區(qū)域，可能會(huì)使下方的材料更容易被刻蝕，從而導(dǎo)致側(cè)壁在這些位置出現(xiàn)彎曲 。

襯底材料特性的差異被刻蝕的襯底材料本身可能存在特性差異，如不同區(qū)域的晶體取向、摻雜濃度等可能不完全相同。這些差異會(huì)影響刻蝕速率和刻蝕選擇性. 以晶體硅為例，不同晶向的硅原子排列方式不同，其與刻蝕氣體的反應(yīng)活性和刻蝕速率也會(huì)有所差異。在刻蝕過程中，這種由于材料特性差異導(dǎo)致的刻蝕速率不同，會(huì)使得側(cè)壁在不同位置的刻蝕深度不一致，最終導(dǎo)致側(cè)壁彎曲 。設(shè)備相關(guān)因素刻蝕設(shè)備的性能和狀態(tài)對刻蝕結(jié)果也有重要影響。例如，反應(yīng)腔內(nèi)的等離子體分布不均勻、電極的不均勻磨損等問題，都可能導(dǎo)致刻蝕過程中離子密度、能量等參數(shù)在晶圓表面的分布不均勻. 此外，設(shè)備的溫度控制不均勻、氣體流量的微小波動(dòng)等，也可能會(huì)影響刻蝕的均勻性，進(jìn)而導(dǎo)致側(cè)壁彎曲 。