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被問爆的四種供電方式,來啦~

合宙LuatOS ? 來源:合宙LuatOS ? 作者:合宙LuatOS ? 2024-12-30 15:40 ? 次閱讀
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4G模組的外部電源供電設(shè)計(jì)十分重要,對系統(tǒng)穩(wěn)定、射頻性能都有直接影響。

常見的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用場景下,供電方式有四種:

LDO供電方式

DCDC供電方式

鋰電池供電以及充電方式

不可充電鋰亞/鋰錳電池供電方式

今天我們來分享四種供電方式及其相關(guān)元器件選型推薦,其中各有優(yōu)劣,還需根據(jù)具體實(shí)際場景進(jìn)行選擇和設(shè)計(jì)。

一、LDO供電方式

使用LDO電源芯片線性降壓的供電方案原理簡單,電路、走線要求都相對較低,而且輸出電源干擾小,供電穩(wěn)定,對射頻、天線等影響較小。

但是由于Cat.1系統(tǒng)的特色性,對LDO的選型要求較高。

一般LDO的電源參考設(shè)計(jì)如下:

wKgZO2dyS92AJbYdAAECNJtNyM4808.png

對于LDO電源的設(shè)計(jì)與選型,有幾點(diǎn)注意事項(xiàng):

1.1 輸入電壓和輸出電壓壓差盡量小

由于LDO常用的是MOS半導(dǎo)通的降壓特性,輸入電壓和輸出電壓差會(huì)加在LDO兩端,會(huì)導(dǎo)致LDO承受耗散功率,造成發(fā)熱和能量損失。

而Cat.1的工作特性,在射頻工作時(shí),最大平均電流(FDD最大發(fā)射功率情況下)會(huì)達(dá)到600~700mA,使得LDO承受的耗散功率尤為嚴(yán)重。

為了最小化電壓差,建議LDO輸出電壓設(shè)置為接近4.2V,而輸入電壓建議不要超過5V,否則不建議采用LDO電源方案。

1.2 LDO器件封裝選擇

不少人選擇LDO器件,只看器件的最大輸出電流是否滿足模組的要求電流,這種做法是錯(cuò)誤的。

LDO選型最重要的參數(shù)是熱阻?JA,表示芯片內(nèi)部熱結(jié)點(diǎn)到周圍環(huán)境的熱阻。

通常芯片內(nèi)部結(jié)溫的計(jì)算公式為:

wKgZPGdyS-uANfKHAADO3zwS3I8949.png

其中:

Tj為芯片結(jié)溫;

R?JA為熱阻;

TA為室溫;

PD為LDO芯片的耗散功率。

對于芯片結(jié)溫Tj,通常規(guī)格書會(huì)給出當(dāng)前芯片的最大允許的工作溫度,比如:

wKgZPGdyTACAOPWIAADPfTIfEgg706.png

也就是,計(jì)算出來的LDO結(jié)溫度不能超過125°C。

而通常R?JA熱阻與LDO的封裝形式高度相關(guān),具體可以查閱相關(guān)LDO芯片規(guī)格書。

例如:

wKgZPGdyTBKAG6o8AAE6c4Z_LsQ185.png

從上圖規(guī)格書中我們可以得知SO-8封裝的熱阻為160°C/W,按照Air700ECQ/EAQ/EMQ最大平均功率700mA,LDO壓差1V計(jì)算,室溫25°下:

SO-8封裝的LDO結(jié)溫為:

0.7x1x160+25 = 137 °C

高于規(guī)格書要求的125°C的最大工作結(jié)溫,所以SO-8的封裝不滿足Cat.1應(yīng)用要求。

所以,通常推薦選擇封裝為TO-252、SOT-223等這些帶大面積散熱PAD的封裝。同時(shí)在PCB布局的時(shí)候,要在空間允許的情況下,盡量增加散熱PAD的鋪銅面積以及盡量多的過孔導(dǎo)熱到PCB對面層增加散熱面積。

1.3 LDO布局遠(yuǎn)離熱敏感器件

Cat.1模組供電LDO由于是比較大的熱源,在熱敏感的功能區(qū)域要尤其注意要遠(yuǎn)離。

比如:GPS、晶體振蕩器、熱敏感傳感器。

1.4 LDO的輸出電容的選擇

LDO輸出電容容值不是越大越好,不合適的容值會(huì)導(dǎo)致輸出震蕩。計(jì)算公式相對復(fù)雜,這里不再贅述,感興趣可以查閱反饋回路設(shè)計(jì)相關(guān)資料。

若實(shí)際使用中遇到LDO輸出震蕩問題,調(diào)整輸出電容即可,一般來說,只要按照LDO規(guī)格書推薦的輸出電容值就可以。注意靠近LDO輸出管腳放置。

1.5 推薦的LDO選型

MIC29302WU TO-263-5

LM317D2T-TR TO-263-2

LM317DCYR SOT-223-3

LDO選型不限于以上型號,可按實(shí)際需求參考選型。

二、DCDC供電方式

DC to DC開關(guān)電源的供電方式,是Cat.1模組常用的方式。其輸出電流高,輸入電壓范圍廣,而且功耗相對LDO要低,發(fā)熱小,同時(shí)不需如LDO的大面積散熱覆銅。

但是比較致命的缺點(diǎn)是——容易對射頻部分和天線部分造成傳導(dǎo)或耦合干擾,從而影響模組的接受性能。不過這個(gè)問題,可以通過合理的DCDC電源設(shè)計(jì)以及PCB布局走線來優(yōu)化解決。

DCDC參考設(shè)計(jì)示例如下:

wKgZO2dyTGGAYIc8AAD1jzxgoeA396.png

2.1 DCDC功能電路

接下來,以上圖杰華特的JW5359M開關(guān)電源舉例,講解各個(gè)部分的功能電路。

1)C1和C25構(gòu)成輸入電容:

其中C1大電容為可選,主要作用是放置于電源連接器附近,用于消除電源插拔時(shí)的尖峰電壓;C25 22uF要靠近開關(guān)電源的電源輸入管腳放置。C25電容選型除了耐壓要滿足輸入電壓要求外,還要選用低ESR的電容,建議用陶瓷MLCC電容。

2)C16為自舉電容:

用于在DCDC內(nèi)部下管關(guān)閉后能夠迅速將上管柵極的電壓提高至上管導(dǎo)通,在選型時(shí)要注意C16的耐壓要大于輸入電壓。

3)L2為功率電感

電感的感值范圍可以由芯片規(guī)格書中公式進(jìn)行計(jì)算得出,這里不做贅述。

功率電感的選型除了關(guān)注感值外,還需注意下面的幾個(gè)參數(shù):

wKgZO2dyTHuAF4t5AAFjEawNlok437.png

4)飽和電流(Isat):

也就是導(dǎo)致功率電感磁飽和時(shí)的最大電流。功率電感進(jìn)入磁飽和后,此時(shí)電流的增大不再轉(zhuǎn)換為磁通量的增加,即立刻失去了電感的特性,導(dǎo)致短路大電流。

電感的飽和電流,一定要大于DCDC輸出的最大峰值電流。

注意:

最大峰值電流并不等于輸出電流。而是等于輸出電流加上最大紋波電流,最大紋波電流可以按照輸出電流的50%來估算。

比如:

DCDC的最大輸出電流為1A,則最大紋波電流為0.5A,于是最大峰值電流為1.5A,因此選擇功率電感的飽和電流要大于1.5A。

5)溫升電流(Irms):

功率電感的飽和電流不是固定不變的,通常會(huì)隨著溫度的升高而飽和電流降低。通常Irms是指電感溫度在40度時(shí)的飽和電流。所以溫升電流(Irms)通常會(huì)小于額定的飽和電流(Isat)。

在做電感選型時(shí),主要Irms也要高于DCDC的最大峰值電流。

6)等效直流阻抗(DCR):

也就是功率電感的內(nèi)阻,主要影響電感的發(fā)熱,較大的內(nèi)阻會(huì)使得功率電感溫度更容易升高,從而降低功率電感的感值和飽和電流。

通常功率電感的內(nèi)阻通常與封裝大小直接相關(guān),相同感值下封裝更大的電感往往內(nèi)阻較小。

7)反饋網(wǎng)絡(luò)(R21,R22,C19):

R21,R22分壓構(gòu)成調(diào)整輸出電壓的反饋,這里不做過多闡述。

注意:

C19作為前饋電容,主要作用是加快DCDC系統(tǒng)的瞬態(tài)響應(yīng)——能夠讓DCDC在系統(tǒng)負(fù)載突然變化時(shí),能夠更快的響應(yīng),使得輸出迅速穩(wěn)定。

通常前饋電容是可選的,但是對于Cat.1系統(tǒng)來說,由于射頻脈沖式的工作形式,導(dǎo)致Cat.1系統(tǒng)對供電的瞬態(tài)響應(yīng)要求高,因此前饋電容建議加上。前饋電容的值選擇建議對于DCDC芯片規(guī)格書推薦值,由于前饋電容會(huì)影響DCDC反饋環(huán)路的相位,不合適的值會(huì)影響環(huán)路穩(wěn)定性,從而引起震蕩。

8)C34 輸出電容:

輸出電容比較重要,與功率電感一起,影響著DCDC的紋波電壓大小。輸出電容的計(jì)算方法在DCDC芯片規(guī)格書里描述得很詳細(xì),不做贅述。

需要注意的是輸出電容要選擇ESR較小的MLCC陶瓷電容或者鉭電容,且靠近DCDC輸出放置。

2.2 DCDC開關(guān)電源的布局要求

DCDC開關(guān)電源的布局很重要,對Cat.1射頻靈敏度有很大的影響。

典型的布局較差的DCDC輸出波形如下:

wKgZO2dyTJCAAeNSAAcS3F54h0U862.png

上圖波形能看到兩種周期性的波形:

呈現(xiàn)三角形,幅度相對較小的電源紋波;尖峰脈沖幅值較大的地彈噪聲。

這里涉及電源紋波和地彈噪聲兩個(gè)概念:

1)電源紋波:

是由開關(guān)電源的開關(guān)特性和功率電感輸出電容充放電共同作用的結(jié)果,只要紋波電壓幅值不大,基本不會(huì)對系統(tǒng)產(chǎn)生影響。如上圖紋波電壓峰峰值在20mV左右,相對較小屬于正常范圍。

調(diào)節(jié)功率電感值和輸出電容值以及開關(guān)頻率,均可以優(yōu)化紋波電壓。

2)地彈噪聲:

由于脈沖時(shí)間短頻率高而且幅值較大,其高頻分量通過電源傳到到射頻部分很容易對射頻造成干擾,造成靈敏度惡化。所以,地彈噪聲是我們要消除的最大敵人。

地彈噪聲產(chǎn)生的原因——是由于DCDC開關(guān)電源在工作時(shí),上管和下管分別交替打開,而造成的電流環(huán)路變化而造成的磁通量變換,從而就會(huì)在電流環(huán)路上產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢,也就是尖峰電壓。

觀察上圖波形,可以看到地彈噪聲都是出現(xiàn)在上下管切換的時(shí)刻。

所以,地彈噪聲想要通過調(diào)節(jié)電容和電感值去優(yōu)化噪聲,是不可達(dá)到的。

wKgZO2dyTK2AWFW4AAMNjoxuuIM695.png

輸入電容和輸出電容與DCDC芯片共同構(gòu)成電流回路,也就是兩者回路面積越大,產(chǎn)生的磁通量變化越大,也就是產(chǎn)生地彈噪聲越大。

因此想要盡可能的最小化噪聲,就要在輸出電容和輸入電容的辦法上做文章。

2.3 DCDC電源布局示例:

wKgZO2dyTL-AFvzdAAL0nxGN_Ng078.png

上圖輸入電容和輸出電容直接放置在輸入輸出管腳的近端,同時(shí)電容地管腳直接就近連接到芯片的地管腳,從而整個(gè)輸入輸出電流環(huán)路面積最小。

2.4 DCDC布局建議:

1、優(yōu)先布局輸入輸出電容,首先將輸入輸出電容靠近芯片放置,再考慮其他部分的布局。

2、輸入輸出電容的地管腳和DCDC芯片地管腳直接的回路連接,要盡量在表層連接,最好有一定寬度的覆銅。不建議通過過孔通過其他層連接,效果較差。

3、芯片SW管腳與電感連接的走線盡量短,以減小對外的輻射。

4、其他的一些通用的設(shè)計(jì)規(guī)則不再贅述。

總之,由于地彈噪聲一旦發(fā)生,在已經(jīng)成型的PCB上就很難通過常規(guī)的硬件整改來定位問題和改善。因此,在設(shè)計(jì)的時(shí)候就要特別關(guān)注DCDC開關(guān)電路的布局和走線。

三、鋰電池供電以及充電方式

通過直接用鋰電池給模組供電的方式適合運(yùn)用在便攜式物聯(lián)網(wǎng)的場景,鋰電池供電讓身邊正常工作,充電進(jìn)行補(bǔ)能。

鋰電池的放電特性具有較高的瞬態(tài)放電能力且內(nèi)阻較低,對于Cat.1系統(tǒng)是比較理想的供電方式,并且Air700ECQ/EAQ/EMQ模組的供電電壓范圍3.3V~4.3V,是完全按照鋰電池的放電特性來設(shè)計(jì)。

3.1 電池直接給模組供電的參考設(shè)計(jì):

wKgZO2dyTNOAG2WYAAKBvhXRpkc148.png

1)C49 220uF是補(bǔ)能電容:

由于鋰電池的低內(nèi)阻和高放電能力,加上本身應(yīng)用于便攜式產(chǎn)品,空間尺寸優(yōu)先。因此本不需要較大的電容,但是考慮到實(shí)際PCB電源走線長度以及電池連接器接觸阻抗和電池引線長度等會(huì)引入額外的不確定的阻抗,因此會(huì)建議酌情加上220uF電容,建議選用低ESR的鉭電容。

2)C50 C51 C52 構(gòu)成旁路電容濾波組:

不同容值的電容會(huì)有不同的協(xié)振動(dòng)點(diǎn),組合起來能夠增加濾波的高頻帶寬,比單一濾波電容有低的高頻阻抗。

3)TVS1作為電源端的ESD保護(hù)器件:

建議在設(shè)計(jì)時(shí)要加上,會(huì)顯著降低售后不良率。

TVS1參考選型:

PTVSHC3D4V5BH 芯導(dǎo):

GESDBL4V5Y1 格瑞寶。

3.2 充電電路:

對于鋰電池的充電有兩種方式:

線性充電和開關(guān)充電

它們的工作原理類似于LDO和DCDC開關(guān)電源的原理。

1、對于500mA以下的充電電流優(yōu)選線性充電的方式,成本低,電路簡單,干擾較??;

2、對于1A以上的充電電流優(yōu)先選擇開關(guān)充電的充電方式;

3、在500mA~1A之前,根據(jù)產(chǎn)品的空間尺寸,散熱情況選擇合適的充電方式。

下圖以線性充電方式為例介紹具體參考設(shè)計(jì):

wKgZPGdyTOeAAdKsAAH7-Qo5KiA750.png

▼ 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng) ▼

1、D2和C18構(gòu)成輸入電源端的保護(hù)網(wǎng)絡(luò),靠近輸入端放置。若是5V USB進(jìn)行充電的話,C1容值不宜太大,否則容易觸發(fā)電腦USB的供電短路保護(hù)。如果是直流電源供電,C18建議采用100uF以上的電解電容,電源浪涌保護(hù)。

2、充電芯片CHRG管腳為充電指示管腳,通常為開漏輸出,需要VBUS輸入電源上拉,同時(shí)可以通過二極管做隔離同時(shí)連接到主控MCU GPIO管腳做充電狀態(tài)判斷。

3、充電芯片PROG管腳用于配置恒壓充電下的充電電流,由R5電阻的阻值進(jìn)行設(shè)置,具體參考實(shí)際的芯片規(guī)格書。建議加上Q4 NPN作為充電控制管腳,可以通過MCU或者模組GPIO進(jìn)行控制,注意Q4的口控制管腳要用VBUS上拉,同時(shí)分壓到IO電平對應(yīng)的電壓,達(dá)到充電芯片默認(rèn)開啟狀態(tài)。

4、部分鋰電池會(huì)有溫度NTC管腳,用來檢測電池電壓,這里可以用VDD_EXT做分壓,通過ADC檢測電池溫度,方便做電池安全檢測。注意R30的值要根據(jù)具體的電池NTC電阻規(guī)格來計(jì)算,建議分壓后的值落在0~1.2V的ADC有效量程之中。

3.3 充電路徑管理:

由于鋰電池的充電特性,在頻繁充放電的情況下會(huì)導(dǎo)致鋰電池壽命下降,因此在外電長供電的應(yīng)用場景下(比如4G網(wǎng)絡(luò)攝像頭、無線固話、常供電的電瓶車定位器等),建議做充電路徑管理。

即:當(dāng)外電供電時(shí)會(huì)切斷電池與模組的供電連接,直接用外部電源給模組供電。

特別注意:

下圖線性充電參考設(shè)計(jì)的TP4056就沒有路徑管理功能,這種情況下,不能在電池不在的情況下用充電口直接給模組供電。

wKgZO2dyTQGAM-f2AAHSha-xfgc321.png

四、不可充電鋰亞/鋰猛電池供電方式

在需要超長待機(jī)(以年計(jì)算),且不可拆卸的場景(如表計(jì)類應(yīng)用),這類應(yīng)用往往需要待機(jī)甚至長至10年,普通的可充電鋰聚合物電池由于自放電率高的問題,無法適用于超長待機(jī)的場景——這時(shí),就需要用到不可充電的鋰亞/鋰猛電池。

wKgZPGdyTRCACEs-AAMGpIsgIXk832.png

4.1 鋰亞硫酰氯(Li/SOCl2)電池 :

能量最高的一種電池,不可充電,比能量可達(dá)590W·h/kg和1100(瓦時(shí)每立方分米)。

鋰亞電池在其90%以上的容量上都能保持3.6V左右的放電電壓,在功率型鋰亞電池瞬時(shí)放電能力達(dá)到大于1A。

wKgZO2dyTSGADIs4AALyVasogMI352.png

能夠滿足Cat.1通信模組的供電要求,所以對于使用功率型鋰亞電池只需直接給模組供電即可,無需做升壓設(shè)計(jì)。

4.2 鋰二氧化錳電池:

能量密度對比鋰亞電池要小一些,但是由于其成本低的特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用。

鋰錳電池工作電壓在2.5V~3.0V左右,瞬時(shí)放電能力在1A左右。

wKgZO2dyTTWAAmaaAAOBy20M6ns712.png

由于工作電壓較低,因此需要外接升壓電路才能給Cat.1通信模組供電。

▼ 升壓參考方案 ▼

對于升壓方案的選擇,低靜態(tài)功耗是核心,才能滿足超長待機(jī)的應(yīng)用要求。

這里推薦TI的TPS610995升壓芯片(固定3.6V輸出版本)。TPS61099x器件是一款具有1μA超低靜態(tài)電流的同步升壓轉(zhuǎn)換器。該器件專為由堿性電池、鎳氫充電電池、 鋰錳電池或鋰離子充電電池供電的產(chǎn)品而設(shè)計(jì),能夠在輕載條件下高效運(yùn)行,這對延長電池使用壽命至關(guān)重要。

參考設(shè)計(jì)如下:

wKgZPGdyTUaACEoeAACk2OBSSY4709.png

注意:TPS610995要選擇固定升壓版本,可以省掉外部的反饋分壓電阻,能夠最小化反饋分壓上的靜態(tài)電流。

wKgZO2dyTVKARn7dAABiYbUlmiI506.png

對于布局layout注意事項(xiàng),同樣要遵循輸入輸出電容的最小路徑原則。

參考布局如下:

wKgZO2dyTWCAVjybAACtqo7RTvQ419.png

今天的內(nèi)容就分享到這里了~

審核編輯 黃宇

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    通過 “總覽框架 + 分模式圖解” 的形式,用可視化邏輯拆解綠電直連的四種核心模式,涵蓋每種模式的核心特征、適用場景、參與主體三大關(guān)鍵信息,幫你快速區(qū)分不同 “玩法” 的差異與適配性。
    的頭像 發(fā)表于 10-15 10:18 ?1316次閱讀
    一圖看懂綠電直連的<b class='flag-5'>四種</b>玩法

    從入門到精通:基于開源代碼的BLE四種模式開發(fā)詳解

    通過分析BLE低功耗藍(lán)牙的四種核心工作模式,結(jié)合可下載、可修改的開放源碼,本教程為開發(fā)者提供一套系統(tǒng)、實(shí)用的開發(fā)學(xué)習(xí)路徑。 BLE(Bluetooth Low Energy): 也稱為
    的頭像 發(fā)表于 10-09 18:00 ?531次閱讀
    從入門到精通:基于開源代碼的BLE<b class='flag-5'>四種</b>模式開發(fā)詳解

    全網(wǎng)最全CSA3412,BCT4340,VL162,MCU/ USB3.1 正反插10G bps四種解決方案

    CSA3412,BCT4340,VL162,MCU/ USB3.1 全網(wǎng)最全正反插10G bps四種解決方案
    的頭像 發(fā)表于 09-25 03:06 ?716次閱讀
    全網(wǎng)最全CSA3412,BCT4340,VL162,MCU/ USB3.1 正反插10G bps<b class='flag-5'>四種</b>解決方案

    四種負(fù)電壓電源的產(chǎn)生原理及其應(yīng)用場景

    在系統(tǒng)應(yīng)用場景中,受限于體積、成本及上電時(shí)序等要求,有時(shí)僅能采用單一正電源供電。然而,運(yùn)算放大器、通信接口及傳感器驅(qū)動(dòng)等模塊的正常運(yùn)行,往往需要額外配置負(fù)電壓供電。本文在深入剖析負(fù)電壓產(chǎn)生機(jī)理的基礎(chǔ)上,詳細(xì)闡述了4負(fù)電壓電源的
    的頭像 發(fā)表于 08-16 09:13 ?4845次閱讀
    <b class='flag-5'>四種</b>負(fù)電壓電源的產(chǎn)生原理及其應(yīng)用場景

    SC、LC、FC和ST四種類型中哪類價(jià)格最貴

    在SC、LC、FC和ST四種類型的光纖跳線中,F(xiàn)C類型的光纖跳線通常價(jià)格相對較高,具體分析如下: FC類型的光纖跳線: 特點(diǎn):采用金屬螺紋套筒連接,具有較高的穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度,適用于高振動(dòng)環(huán)境或需要
    的頭像 發(fā)表于 07-25 10:16 ?1156次閱讀

    這4個(gè)高速風(fēng)筒方案,哪個(gè)容易淘汰?

    致力于成為無刷馬達(dá)驅(qū)動(dòng)行業(yè)的“小巨人”,為智能制造提供高性價(jià)比解決方案。——深圳其利天下關(guān)于高速風(fēng)筒的硬件電路,從MCU的角度分析,嚴(yán)格意義上是可以區(qū)分為四種硬件電路的。目前,這四種硬件電路在市場上
    的頭像 發(fā)表于 06-11 15:04 ?352次閱讀
    這4個(gè)高速風(fēng)筒方案,哪個(gè)容易<b class='flag-5'>被</b>淘汰?

    RDMA簡介3之四種子協(xié)議對比

    RDMA協(xié)議共有四種子協(xié)議,分別為InfiniBand、iWARP、RoCE v1和RoCE v2協(xié)議。這四種協(xié)議使用統(tǒng)一的RDMA API,但在具體的網(wǎng)絡(luò)層級實(shí)現(xiàn)上有所不同,如圖1所示,接下來將
    發(fā)表于 06-04 16:05

    信號隔離器三供電方式的區(qū)別

    信號隔離器是一重要的信號隔離裝置,其供電方式主要有獨(dú)立供電、回路供電和輸出回路供電
    的頭像 發(fā)表于 04-17 16:23 ?1547次閱讀
    信號隔離器三<b class='flag-5'>種</b><b class='flag-5'>供電</b><b class='flag-5'>方式</b>的區(qū)別

    變頻器主要支持哪四種模式?有什么區(qū)別?

    變頻器作為現(xiàn)代工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域中的關(guān)鍵設(shè)備,其控制模式的多樣性和靈活性對于滿足不同應(yīng)用場景的需求至關(guān)重要。變頻器主要支持四種控制模式:無PG的V/F模式、有PG的V/F模式、無PG的矢量控制模式以及有
    的頭像 發(fā)表于 04-16 18:22 ?2389次閱讀
    變頻器主要支持哪<b class='flag-5'>四種</b>模式?有什么區(qū)別?

    芯片封裝中的四種鍵合方式:技術(shù)演進(jìn)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用

    自動(dòng)鍵合和混合鍵合四種主流技術(shù),它們在工藝流程、技術(shù)特點(diǎn)和應(yīng)用場景上各具優(yōu)勢。本文將深入剖析這四種鍵合方式的技術(shù)原理、發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢,為產(chǎn)業(yè)界提供技術(shù)參考。
    的頭像 發(fā)表于 04-11 14:02 ?3116次閱讀
    芯片封裝中的<b class='flag-5'>四種</b>鍵合<b class='flag-5'>方式</b>:技術(shù)演進(jìn)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用