眾所周知，幾乎所有 SiC 器件都是在 150 毫米晶圓上制造的，使用更大的晶圓存在重大挑戰(zhàn)。從 200 毫米晶圓出貨器件是降低 SiC 器件成本的關(guān)鍵一步，其他公司也在開發(fā) 200 毫米技術(shù)，尤其是美國的 Wolfspeed、西西里的 STMicroelectronics和捷克共和國的 onsemi以及日本的 Rohm 和 Mitsubishi。

英飛凌科技股份公司日前宣布，在其 200 毫米碳化硅 (SiC) 路線圖上取得了重大進展。該公司已于 2025 年第一季度向客戶發(fā)布首批基于先進 200 毫米 SiC 技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫生產(chǎn)，為可再生能源、火車和電動汽車等高壓應(yīng)用提供一流的 SiC 功率技術(shù)。此外，英飛凌位于馬來西亞居林的制造基地從 150 毫米晶圓向更大、更高效的 200 毫米直徑晶圓的過渡正在全面推進。新建的 Module 3 即將根據(jù)市場需求開始大批量生產(chǎn)。

英飛凌首席運營官 Rutger Wijburg 博士表示：“我們的 SiC 生產(chǎn)計劃正在按計劃推進，我們?yōu)橄蚩蛻敉瞥龅牡谝慌a(chǎn)品感到自豪。通過分階段提高菲拉赫和居林的 SiC 產(chǎn)量，我們正在提高成本效率并繼續(xù)確保產(chǎn)品質(zhì)量。同時，我們正在確保我們的制造能力能夠滿足對基于 SiC 的功率半導體的需求?！?/p>

SiC 半導體通過更高效的電力切換、在極端條件下表現(xiàn)出高可靠性和穩(wěn)健性以及實現(xiàn)更小的設(shè)計，徹底改變了大功率應(yīng)用。英飛凌的 SiC 產(chǎn)品讓客戶能夠為電動汽車、快速充電站和火車以及可再生能源系統(tǒng)和 AI 數(shù)據(jù)中心開發(fā)節(jié)能解決方案。首批基于 200 毫米晶圓技術(shù)的 SiC 產(chǎn)品向客戶發(fā)布，標志著英飛凌 SiC 路線圖向前邁出了實質(zhì)性一步，重點是為客戶提供全面的高性能功率半導體產(chǎn)品組合，以促進綠色能源并有助于減少二氧化碳。

作為高度創(chuàng)新的寬帶隙 (WBG) 技術(shù)的“英飛凌一個虛擬工廠”，英飛凌位于菲拉赫和居林的生產(chǎn)基地共享技術(shù)和工藝，可實現(xiàn) SiC 和氮化鎵 (GaN) 制造的快速提升和平穩(wěn)高效的運營。200 毫米 SiC 制造活動現(xiàn)在為英飛凌在提供行業(yè)領(lǐng)先的半導體技術(shù)和電源系統(tǒng)解決方案方面的良好業(yè)績增添了新的內(nèi)容，并加強了公司在整個功率半導體領(lǐng)域（包括硅、SiC 和 GaN）的技術(shù)領(lǐng)導地位。

參考鏈接

https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/pressreleases/2025/INFXX202502-055.html