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全球晶圓代工第四次大遷徙?臺(tái)積電千億美元豪賭美國(guó)

Felix分析 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:吳子鵬 ? 2025-03-07 00:08 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)日前,臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家宣布,將在美國(guó)新增 1000 億美元投資。他指出,臺(tái)積電已承諾建造 3 座半導(dǎo)體制造廠,后續(xù)還計(jì)劃新建 3 座半導(dǎo)體廠、2 座先進(jìn)封裝廠以及 1 座研發(fā)中心。


據(jù)統(tǒng)計(jì),臺(tái)積電在美國(guó)的投資總額將達(dá) 1650 億美元。此次新增的 1000 億美元投資,疊加此前規(guī)劃的 650 億美元,使其成為美國(guó)歷史上最大的單項(xiàng)境外直接投資案。分析人士認(rèn)為,臺(tái)積電此舉迫于美方壓力。特朗普曾表示,若臺(tái)積電在臺(tái)灣地區(qū)生產(chǎn)芯片再運(yùn)往美國(guó),未來可能被征收 25%、30% 甚至 50% 的關(guān)稅,且關(guān)稅只會(huì)提高;而若在美國(guó)生產(chǎn),則完全免征關(guān)稅。

臺(tái)積電赴美:從抗拒到迂回

此前報(bào)道顯示,臺(tái)積電在美國(guó)建廠成本遠(yuǎn)高于亞洲,約為臺(tái)灣地區(qū)的兩倍,勞動(dòng)力、能源和原材料等成本高昂。而且,此次投資缺乏明確的補(bǔ)貼支持。分析認(rèn)為,這可能會(huì)稀釋臺(tái)積電的長(zhǎng)期毛利率,影響企業(yè)盈利能力,給其帶來較大財(cái)務(wù)負(fù)擔(dān)。然而,從臺(tái)積電目前的態(tài)度來看,已轉(zhuǎn)為積極響應(yīng)。

在美國(guó)最初半招攬半脅迫臺(tái)積電赴美建廠時(shí),臺(tái)積電態(tài)度極為抗拒。臺(tái)積電創(chuàng)始人張忠謀曾公開批評(píng)赴美投資 “昂貴、浪費(fèi)又徒勞無功”,董事長(zhǎng)魏哲家亦用 “一把鼻涕一把眼淚” 形容建廠困難。2023 年底,臺(tái)積電宣布美國(guó)首座先進(jìn)制程芯片廠將推遲投產(chǎn),并公開質(zhì)疑美國(guó)投資計(jì)劃的經(jīng)濟(jì)可行性,彼時(shí)其抗拒情緒幾乎達(dá)到頂峰,而當(dāng)時(shí)臺(tái)積電實(shí)際投資僅為前期的 120 億美元。

如今,臺(tái)積電赴美投資從最初的 120 億美元,先是擴(kuò)大到 650 億美元,隨后又追加 1000 億美元。這一轉(zhuǎn)變受多種因素影響。關(guān)稅政策方面,特朗普政府以關(guān)稅 “大棒” 威脅,揚(yáng)言對(duì)外國(guó)生產(chǎn)的半導(dǎo)體增加 25% 關(guān)稅,甚至可能對(duì)臺(tái)灣地區(qū)生產(chǎn)的芯片加征 100% 關(guān)稅,迫使臺(tái)積電為規(guī)避關(guān)稅風(fēng)險(xiǎn)而加大赴美投資。

同時(shí),也有對(duì)客戶支持的考量。蘋果、英偉達(dá)、高通等美國(guó)大客戶對(duì)先進(jìn)芯片需求巨大,臺(tái)積電在美國(guó)投資建廠,可更靠近客戶,縮短供應(yīng)鏈周期,更好滿足客戶需求,進(jìn)而增強(qiáng)與這些大客戶的合作關(guān)系。目前,臺(tái)灣方面已解除先進(jìn)制程限制,不再約束臺(tái)積電在外建先進(jìn)制程工廠,將決策權(quán)完全交予臺(tái)積電,由其根據(jù)自身技術(shù)發(fā)展自主決定。雖然臺(tái)積電前期建廠成本高昂,但有望通過大客戶訂單彌補(bǔ)部分損失,財(cái)務(wù)狀況或與面臨高關(guān)稅時(shí)相近。

此外,臺(tái)積電若不主動(dòng)出擊,可能被迫接手英特爾的制造工廠。此前美方曾放出讓臺(tái)積電入股英特爾的消息,且有獲取臺(tái)積電技術(shù)的意圖。臺(tái)積電為避免與英特爾合作導(dǎo)致技術(shù)過度被滲透,通過大規(guī)模投資彰顯自身在美國(guó)市場(chǎng)的獨(dú)立性和重要性,在一定程度上降低技術(shù)合作風(fēng)險(xiǎn)。從這個(gè)層面看,臺(tái)積電將先進(jìn)工廠建在美國(guó),雖生產(chǎn)基地發(fā)生變化,但技術(shù)仍掌握在自己手中。

因此,有分析師認(rèn)為,臺(tái)積電赴美可緩解關(guān)稅危機(jī),且 “比被迫接管英特爾工廠更具可控性”。不過,美國(guó)建廠成本為臺(tái)灣地區(qū)的 2 - 4 倍,工程師短缺、供應(yīng)鏈不完善等問題將持續(xù)壓縮利潤(rùn)率。

芯片制造的又一次轉(zhuǎn)移?

目前,美國(guó)仍是全球最大的半導(dǎo)體市場(chǎng)。據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)數(shù)據(jù),2024 年 11 月全球半導(dǎo)體銷售額為 578.2 億美元,美國(guó)地區(qū)銷售額達(dá) 195 億美元,占全球芯片銷售額的 33.7%,位居第一。另外,市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu) Counterpoint 發(fā)布的報(bào)告顯示,在 2024 年全球前十大半導(dǎo)體品牌廠商排名中(不包含代工廠),美國(guó)企業(yè)高通占 5.6%、博通占 5%、英特爾占 4.9%、美光占 4.8%、英偉達(dá)占 4.3%、AMD 占 4.1%、西部數(shù)據(jù)占 2.5%,10 家中有 7 家來自美國(guó),合計(jì)占比高達(dá) 27.2%。

臺(tái)積電作為全球晶圓代工的龍頭企業(yè),統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,2024 年其在全球晶圓代工行業(yè)占據(jù) 62% 的市場(chǎng)份額,預(yù)計(jì) 2025 年這一數(shù)字將進(jìn)一步增長(zhǎng)至 66%。從投資規(guī)模來看,即便臺(tái)積電是全球晶圓代工龍頭,1000 億美元也是一筆巨額投資。作為參考,臺(tái)積電 2024 年的資本支出為 297.6 億美元。因此,臺(tái)積電在美設(shè)立研發(fā)中心和大規(guī)模建廠,可能導(dǎo)致臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體先進(jìn)制程研發(fā)與技術(shù)加速外移,削弱臺(tái)灣地區(qū)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心競(jìng)爭(zhēng)力,使其面臨產(chǎn)業(yè) “空心化” 風(fēng)險(xiǎn)。同時(shí),臺(tái)積電在日本、歐洲的投資預(yù)計(jì)也會(huì)受到影響。

那么,這是否意味著全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)正朝著美國(guó)進(jìn)行新一輪轉(zhuǎn)移呢?

歷史上,晶圓代工產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了三次重大轉(zhuǎn)型。第一次是 20 世紀(jì) 70 年代 - 90 年代,從美國(guó)轉(zhuǎn)移至日本。當(dāng)時(shí)美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨日本的激烈競(jìng)爭(zhēng),日本政府出臺(tái)一系列政策,如 1976 年啟動(dòng)的 VLSI 計(jì)劃,政府注資 3.2 億美元聯(lián)合東芝、日立等企業(yè)攻關(guān)半導(dǎo)體技術(shù),同時(shí)限制外資持股,為本土企業(yè)提供市場(chǎng)保護(hù)。巔峰時(shí)期,日本產(chǎn)能占全球 DRAM 產(chǎn)能的 80%。

第二次是 20 世紀(jì) 80 年代 - 90 年代,從日本轉(zhuǎn)移至韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)。隨著全球經(jīng)濟(jì)形勢(shì)變化和產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇,日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸暴露出過度依賴單一市場(chǎng)等問題。韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)抓住機(jī)遇,積極發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),這次轉(zhuǎn)移成就了臺(tái)積電和三星的晶圓代工業(yè)務(wù)。

第三次是 2010 年至今,向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移。隨著中國(guó)大陸經(jīng)濟(jì)快速發(fā)展,對(duì)半導(dǎo)體需求不斷增加,加之國(guó)家政策大力支持和資本大量投入,中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來快速發(fā)展機(jī)遇。在此過程中,中芯國(guó)際、華虹等中國(guó)大陸晶圓代工廠商不斷提升技術(shù)水平和產(chǎn)能,市場(chǎng)份額逐漸擴(kuò)大。

從這幾次轉(zhuǎn)移過程可見,政策因素和市場(chǎng)因素是引導(dǎo)全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的兩大主導(dǎo)因素。政策方面,美國(guó)政府出臺(tái)《芯片與科學(xué)法案》,投入巨額資金扶持本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,同時(shí)將關(guān)稅作為引導(dǎo)晶圓代工轉(zhuǎn)移的手段。從表象看,晶圓代工產(chǎn)業(yè)在美國(guó)設(shè)廠,能更貼近客戶,縮短供應(yīng)鏈周期,更好響應(yīng)市場(chǎng)需求。

然而,此次美國(guó)引導(dǎo)的晶圓代工產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移面臨諸多阻礙。除了前文提到的成本劣勢(shì),人才劣勢(shì)和產(chǎn)業(yè)鏈劣勢(shì)也十分明顯。盡管美國(guó)有一定科研人才基礎(chǔ),但晶圓代工產(chǎn)業(yè)需要大量熟練技術(shù)工人和工程師,從各產(chǎn)業(yè)情況來看,美國(guó)在技術(shù)工人和工程師方面存在明顯人才斷檔,缺口巨大。并且,美國(guó)在晶圓代工配套產(chǎn)業(yè)鏈方面,短期內(nèi)難以達(dá)到亞洲的完善程度,這將影響晶圓代工產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)效率和成本。當(dāng)前,美國(guó)的晶圓代工產(chǎn)業(yè)處境尷尬,一方面,中國(guó)大陸通過限制關(guān)鍵原材料(如鎵、鍺)出口、加速成熟制程自主化,降低了美國(guó)在成熟工藝方面的收益;另一方面,臺(tái)積電雖被迫轉(zhuǎn)移先進(jìn)技術(shù),但通過 “技術(shù)迭代時(shí)間差” 策略(如臺(tái)灣保留 1.4 納米研發(fā)),維持部分技術(shù)代際優(yōu)勢(shì)?,導(dǎo)致美國(guó)工廠難以充分享受技術(shù)紅利。

綜合來看,臺(tái)積電此次 1000 億美元的投資更多是一種表態(tài),是一種周旋策略,實(shí)際投入多少仍有待觀察。目前,美國(guó)晶圓制造產(chǎn)業(yè)中,格芯占比僅為 5%,英特爾約為 0.3%,臺(tái)積電美國(guó)工廠規(guī)模可忽略不計(jì),這一水平相較于 2022 年的 6.58% 有明顯下滑。因而,美國(guó)此次力推的晶圓代工產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移,大概率難以取得理想成果。

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