電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）日前，臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家宣布，將在美國(guó)新增 1000 億美元投資。他指出，臺(tái)積電已承諾建造 3 座半導(dǎo)體制造廠(chǎng)，后續(xù)還計(jì)劃新建 3 座半導(dǎo)體廠(chǎng)、2 座先進(jìn)封裝廠(chǎng)以及 1 座研發(fā)中心。

據(jù)統(tǒng)計(jì)，臺(tái)積電在美國(guó)的投資總額將達(dá) 1650 億美元。此次新增的 1000 億美元投資，疊加此前規(guī)劃的 650 億美元，使其成為美國(guó)歷史上最大的單項(xiàng)境外直接投資案。分析人士認(rèn)為，臺(tái)積電此舉迫于美方壓力。特朗普曾表示，若臺(tái)積電在臺(tái)灣地區(qū)生產(chǎn)芯片再運(yùn)往美國(guó)，未來(lái)可能被征收 25%、30% 甚至 50% 的關(guān)稅，且關(guān)稅只會(huì)提高；而若在美國(guó)生產(chǎn)，則完全免征關(guān)稅。

臺(tái)積電赴美：從抗拒到迂回

此前報(bào)道顯示，臺(tái)積電在美國(guó)建廠(chǎng)成本遠(yuǎn)高于亞洲，約為臺(tái)灣地區(qū)的兩倍，勞動(dòng)力、能源和原材料等成本高昂。而且，此次投資缺乏明確的補(bǔ)貼支持。分析認(rèn)為，這可能會(huì)稀釋臺(tái)積電的長(zhǎng)期毛利率，影響企業(yè)盈利能力，給其帶來(lái)較大財(cái)務(wù)負(fù)擔(dān)。然而，從臺(tái)積電目前的態(tài)度來(lái)看，已轉(zhuǎn)為積極響應(yīng)。

在美國(guó)最初半招攬半脅迫臺(tái)積電赴美建廠(chǎng)時(shí)，臺(tái)積電態(tài)度極為抗拒。臺(tái)積電創(chuàng)始人張忠謀曾公開(kāi)批評(píng)赴美投資 “昂貴、浪費(fèi)又徒勞無(wú)功”，董事長(zhǎng)魏哲家亦用 “一把鼻涕一把眼淚” 形容建廠(chǎng)困難。2023 年底，臺(tái)積電宣布美國(guó)首座先進(jìn)制程芯片廠(chǎng)將推遲投產(chǎn)，并公開(kāi)質(zhì)疑美國(guó)投資計(jì)劃的經(jīng)濟(jì)可行性，彼時(shí)其抗拒情緒幾乎達(dá)到頂峰，而當(dāng)時(shí)臺(tái)積電實(shí)際投資僅為前期的 120 億美元。

如今，臺(tái)積電赴美投資從最初的 120 億美元，先是擴(kuò)大到 650 億美元，隨后又追加 1000 億美元。這一轉(zhuǎn)變受多種因素影響。關(guān)稅政策方面，特朗普政府以關(guān)稅 “大棒” 威脅，揚(yáng)言對(duì)外國(guó)生產(chǎn)的半導(dǎo)體增加 25% 關(guān)稅，甚至可能對(duì)臺(tái)灣地區(qū)生產(chǎn)的芯片加征 100% 關(guān)稅，迫使臺(tái)積電為規(guī)避關(guān)稅風(fēng)險(xiǎn)而加大赴美投資。

同時(shí)，也有對(duì)客戶(hù)支持的考量。蘋(píng)果、英偉達(dá)、高通等美國(guó)大客戶(hù)對(duì)先進(jìn)芯片需求巨大，臺(tái)積電在美國(guó)投資建廠(chǎng)，可更靠近客戶(hù)，縮短供應(yīng)鏈周期，更好滿(mǎn)足客戶(hù)需求，進(jìn)而增強(qiáng)與這些大客戶(hù)的合作關(guān)系。目前，臺(tái)灣方面已解除先進(jìn)制程限制，不再約束臺(tái)積電在外建先進(jìn)制程工廠(chǎng)，將決策權(quán)完全交予臺(tái)積電，由其根據(jù)自身技術(shù)發(fā)展自主決定。雖然臺(tái)積電前期建廠(chǎng)成本高昂，但有望通過(guò)大客戶(hù)訂單彌補(bǔ)部分損失，財(cái)務(wù)狀況或與面臨高關(guān)稅時(shí)相近。

此外，臺(tái)積電若不主動(dòng)出擊，可能被迫接手英特爾的制造工廠(chǎng)。此前美方曾放出讓臺(tái)積電入股英特爾的消息，且有獲取臺(tái)積電技術(shù)的意圖。臺(tái)積電為避免與英特爾合作導(dǎo)致技術(shù)過(guò)度被滲透，通過(guò)大規(guī)模投資彰顯自身在美國(guó)市場(chǎng)的獨(dú)立性和重要性，在一定程度上降低技術(shù)合作風(fēng)險(xiǎn)。從這個(gè)層面看，臺(tái)積電將先進(jìn)工廠(chǎng)建在美國(guó)，雖生產(chǎn)基地發(fā)生變化，但技術(shù)仍掌握在自己手中。

因此，有分析師認(rèn)為，臺(tái)積電赴美可緩解關(guān)稅危機(jī)，且 “比被迫接管英特爾工廠(chǎng)更具可控性”。不過(guò)，美國(guó)建廠(chǎng)成本為臺(tái)灣地區(qū)的 2 - 4 倍，工程師短缺、供應(yīng)鏈不完善等問(wèn)題將持續(xù)壓縮利潤(rùn)率。

芯片制造的又一次轉(zhuǎn)移？

目前，美國(guó)仍是全球最大的半導(dǎo)體市場(chǎng)。據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）數(shù)據(jù)，2024 年 11 月全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額為 578.2 億美元，美國(guó)地區(qū)銷(xiāo)售額達(dá) 195 億美元，占全球芯片銷(xiāo)售額的 33.7%，位居第一。另外，市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu) Counterpoint 發(fā)布的報(bào)告顯示，在 2024 年全球前十大半導(dǎo)體品牌廠(chǎng)商排名中（不包含代工廠(chǎng)），美國(guó)企業(yè)高通占 5.6%、博通占 5%、英特爾占 4.9%、美光占 4.8%、英偉達(dá)占 4.3%、AMD 占 4.1%、西部數(shù)據(jù)占 2.5%，10 家中有 7 家來(lái)自美國(guó)，合計(jì)占比高達(dá) 27.2%。

臺(tái)積電作為全球晶圓代工的龍頭企業(yè)，統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2024 年其在全球晶圓代工行業(yè)占據(jù) 62% 的市場(chǎng)份額，預(yù)計(jì) 2025 年這一數(shù)字將進(jìn)一步增長(zhǎng)至 66%。從投資規(guī)模來(lái)看，即便臺(tái)積電是全球晶圓代工龍頭，1000 億美元也是一筆巨額投資。作為參考，臺(tái)積電 2024 年的資本支出為 297.6 億美元。因此，臺(tái)積電在美設(shè)立研發(fā)中心和大規(guī)模建廠(chǎng)，可能導(dǎo)致臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體先進(jìn)制程研發(fā)與技術(shù)加速外移，削弱臺(tái)灣地區(qū)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心競(jìng)爭(zhēng)力，使其面臨產(chǎn)業(yè) “空心化” 風(fēng)險(xiǎn)。同時(shí)，臺(tái)積電在日本、歐洲的投資預(yù)計(jì)也會(huì)受到影響。

那么，這是否意味著全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)正朝著美國(guó)進(jìn)行新一輪轉(zhuǎn)移呢？

歷史上，晶圓代工產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了三次重大轉(zhuǎn)型。第一次是 20 世紀(jì) 70 年代 - 90 年代，從美國(guó)轉(zhuǎn)移至日本。當(dāng)時(shí)美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨日本的激烈競(jìng)爭(zhēng)，日本政府出臺(tái)一系列政策，如 1976 年啟動(dòng)的 VLSI 計(jì)劃，政府注資 3.2 億美元聯(lián)合東芝、日立等企業(yè)攻關(guān)半導(dǎo)體技術(shù)，同時(shí)限制外資持股，為本土企業(yè)提供市場(chǎng)保護(hù)。巔峰時(shí)期，日本產(chǎn)能占全球 DRAM 產(chǎn)能的 80%。

第二次是 20 世紀(jì) 80 年代 - 90 年代，從日本轉(zhuǎn)移至韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)。隨著全球經(jīng)濟(jì)形勢(shì)變化和產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸暴露出過(guò)度依賴(lài)單一市場(chǎng)等問(wèn)題。韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)抓住機(jī)遇，積極發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，這次轉(zhuǎn)移成就了臺(tái)積電和三星的晶圓代工業(yè)務(wù)。

第三次是 2010 年至今，向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移。隨著中國(guó)大陸經(jīng)濟(jì)快速發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體需求不斷增加，加之國(guó)家政策大力支持和資本大量投入，中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)快速發(fā)展機(jī)遇。在此過(guò)程中，中芯國(guó)際、華虹等中國(guó)大陸晶圓代工廠(chǎng)商不斷提升技術(shù)水平和產(chǎn)能，市場(chǎng)份額逐漸擴(kuò)大。

從這幾次轉(zhuǎn)移過(guò)程可見(jiàn)，政策因素和市場(chǎng)因素是引導(dǎo)全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的兩大主導(dǎo)因素。政策方面，美國(guó)政府出臺(tái)《芯片與科學(xué)法案》，投入巨額資金扶持本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，同時(shí)將關(guān)稅作為引導(dǎo)晶圓代工轉(zhuǎn)移的手段。從表象看，晶圓代工產(chǎn)業(yè)在美國(guó)設(shè)廠(chǎng)，能更貼近客戶(hù)，縮短供應(yīng)鏈周期，更好響應(yīng)市場(chǎng)需求。

然而，此次美國(guó)引導(dǎo)的晶圓代工產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移面臨諸多阻礙。除了前文提到的成本劣勢(shì)，人才劣勢(shì)和產(chǎn)業(yè)鏈劣勢(shì)也十分明顯。盡管美國(guó)有一定科研人才基礎(chǔ)，但晶圓代工產(chǎn)業(yè)需要大量熟練技術(shù)工人和工程師，從各產(chǎn)業(yè)情況來(lái)看，美國(guó)在技術(shù)工人和工程師方面存在明顯人才斷檔，缺口巨大。并且，美國(guó)在晶圓代工配套產(chǎn)業(yè)鏈方面，短期內(nèi)難以達(dá)到亞洲的完善程度，這將影響晶圓代工產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)效率和成本。當(dāng)前，美國(guó)的晶圓代工產(chǎn)業(yè)處境尷尬，一方面，中國(guó)大陸通過(guò)限制關(guān)鍵原材料（如鎵、鍺）出口、加速成熟制程自主化，降低了美國(guó)在成熟工藝方面的收益；另一方面，臺(tái)積電雖被迫轉(zhuǎn)移先進(jìn)技術(shù)，但通過(guò) “技術(shù)迭代時(shí)間差” 策略（如臺(tái)灣保留 1.4 納米研發(fā)），維持部分技術(shù)代際優(yōu)勢(shì)?，導(dǎo)致美國(guó)工廠(chǎng)難以充分享受技術(shù)紅利。

綜合來(lái)看，臺(tái)積電此次 1000 億美元的投資更多是一種表態(tài)，是一種周旋策略，實(shí)際投入多少仍有待觀(guān)察。目前，美國(guó)晶圓制造產(chǎn)業(yè)中，格芯占比僅為 5%，英特爾約為 0.3%，臺(tái)積電美國(guó)工廠(chǎng)規(guī)?？珊雎圆挥?jì)，這一水平相較于 2022 年的 6.58% 有明顯下滑。因而，美國(guó)此次力推的晶圓代工產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，大概率難以取得理想成果。