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納芯微發(fā)布新一代CSP封裝MOSFET NPM12017A系列

納芯微電子 ? 來源:納芯微電子 ? 2025-03-12 10:33 ? 次閱讀
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納芯微正式發(fā)布全新一代CSP封裝12V共漏極雙N溝道MOSFET——NPM12017A系列,該系列產(chǎn)品是對納芯微已量產(chǎn)的CSP MOS的完美升級與補(bǔ)充。新一代CSP MOS進(jìn)一步優(yōu)化了性能表現(xiàn),顯著提升了電氣與極限能力。以首發(fā)產(chǎn)品NPM12017A為例,典型阻值相比上一代降低了26%,溫升降低近30%,極限耐受能力如短路及雪崩能力等提升近50%,達(dá)到國際領(lǐng)先水準(zhǔn)。同時,憑借12寸COT工藝,NPM12017A在極具性價比的同時,還能提供充足的產(chǎn)能保障。

該系列延續(xù)了上一代NPM12023A的產(chǎn)品極限能力和優(yōu)異的封裝機(jī)械強(qiáng)度,解決了傳統(tǒng)CSP封裝芯片機(jī)械強(qiáng)度低、雪崩能量小、生產(chǎn)組裝加工困難等問題。為手機(jī)、平板以及智能穿戴等便攜式鋰電管理應(yīng)用提供更安全、可靠的解決方案,助力客戶簡化設(shè)計(jì)。

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納芯微CSP封裝MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢

卓越性能

助力鋰電保護(hù)實(shí)現(xiàn)大功率、小型化需求

隨著智能手機(jī)、平板電腦等便攜式設(shè)備的快充功率從3-5W躍升至100W以上,廠商和客戶對鋰電池快速充電功率/電流的需求持續(xù)提升,相應(yīng)要求采用超低阻值的MOSFET產(chǎn)品以降低鋰電池充放電路徑的功耗,進(jìn)而提升電池系統(tǒng)性能。

全新一代CSP封裝NPM12017A基于上一代自有知識產(chǎn)權(quán)的創(chuàng)新芯片結(jié)構(gòu)上,進(jìn)一步優(yōu)化設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)相同封裝下內(nèi)阻降低26%,溫升下降近30%,在降低功耗的同時有效降低了系統(tǒng)溫升和發(fā)熱量,性能領(lǐng)先業(yè)內(nèi)水平。同時,其短路能力提升40%(短路電流達(dá)400A),雪崩能力提升67%(達(dá)50A),兼顧超低阻抗與優(yōu)異極限電氣特性,為鋰電設(shè)備提供更全面可靠的保護(hù)。

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NPM12017A核心參數(shù)特點(diǎn)

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此外,NPM12017A克服傳統(tǒng)CSP封裝在機(jī)械強(qiáng)度與雪崩能量方面的不足,耐受超60N機(jī)械壓力,有效防止芯片在生產(chǎn)組裝中的翹曲與裂片等問題,顯著提升產(chǎn)品可靠性與安全性。

領(lǐng)先設(shè)計(jì)

突破傳統(tǒng)封裝的工藝限制

便攜式鋰電設(shè)備向小型化、輕薄化發(fā)展,對系統(tǒng)尤其是MOSFET的體積提出更高要求。在傳統(tǒng)晶圓級CSP封裝雙N溝道MOS產(chǎn)品中,硅基材的電阻電池管理應(yīng)用中的總電阻占比較大。為降低襯底電阻,一般會采用芯片減薄工藝,但這會顯著削弱產(chǎn)品的機(jī)械強(qiáng)度,造成芯片在生產(chǎn)組裝過程中翹曲、變形,甚至產(chǎn)生裂紋,從而導(dǎo)致應(yīng)用端不良等問題。針對機(jī)械強(qiáng)度不足的問題,部分解決方案會采用其他材料加厚的方式來增加機(jī)械強(qiáng)度,但這會帶來成本的增加以及不同材質(zhì)的兼容性風(fēng)險。

納芯微全新CSP封裝系列在設(shè)計(jì)之初即針對這一問題進(jìn)行了優(yōu)化。通過調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu),使導(dǎo)通電流平行于芯片表面,縮短電流路徑,從而降低導(dǎo)通電阻,從根源上解決了CSP封裝MOSFET的機(jī)械強(qiáng)度問題,在兼顧輕薄化、小型化的基礎(chǔ)上,最大程度減少芯片使用過程中的變形、裂片等問題,確保產(chǎn)品的可靠性與安全性。

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納芯微CSP封裝結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)CSP封裝結(jié)構(gòu)對比

簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)

加速客戶產(chǎn)品上市

納芯微全新CSP封裝MOSFET不僅在性能上實(shí)現(xiàn)突破,還在設(shè)計(jì)上進(jìn)行了優(yōu)化。其共漏極雙N溝道結(jié)構(gòu)簡化了電路設(shè)計(jì),可直接Pin to Pin替代上一代產(chǎn)品NPM12023A,即可實(shí)現(xiàn)性能升級,有效縮短開發(fā)周期,助力客戶更快地將高性能產(chǎn)品推向市場。

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NPM12017A選型表

目前,該平臺的更多產(chǎn)品規(guī)格正在穩(wěn)步開發(fā)中,未來,納芯微將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容,推出更多元化的產(chǎn)品,歡迎垂詢!

申請樣片

NPM12017A目前可提供樣品,可掃上方二維碼進(jìn)行申請,也可郵件至sales@novosns.com或撥打0512-62601802-810進(jìn)行咨詢,更多信息敬請?jiān)L問www.novosns.com。

納芯微電子(簡稱納芯微,科創(chuàng)板股票代碼688052)是高性能高可靠性模擬及混合信號芯片公司。自2013年成立以來,公司聚焦傳感器、信號鏈、電源管理三大方向,為汽車、工業(yè)、信息通訊及消費(fèi)電子等領(lǐng)域提供豐富的半導(dǎo)體產(chǎn)品及解決方案。

納芯微以『“感知”“驅(qū)動”未來,共建綠色、智能、互聯(lián)互通的“芯”世界』為使命,致力于為數(shù)字世界和現(xiàn)實(shí)世界的連接提供芯片級解決方案。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:性能飛躍!納芯微新一代CSP MOS NPM12017A守衛(wèi)鋰保安全

文章出處:【微信號:納芯微電子,微信公眾號:納芯微電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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