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DRAM、NAND型快閃存儲近來報價走勢超優(yōu),2018年存儲規(guī)模突破1600億美元

集成電路園地 ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-03-19 16:18 ? 次閱讀
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DRAM、NAND型快閃存儲近來報價走勢超優(yōu),科技市調(diào)機構(gòu)IC Insights為此決定將今(2018)年的全球IC市場成長預(yù)估值拉高近一倍,從原本的8%一口氣上修至15%。

IC Insights 14日發(fā)表研究報告指出,今年DRAM均價遠(yuǎn)優(yōu)于預(yù)期,估計將較去年跳增36%,延續(xù)去年大漲81%的上升走勢,而去年均價跳漲45%的NAND,今年報價也有望續(xù)增10%。相較之下,DRAM、NAND今年的位元出貨量成長率則只將達(dá)到1%、6%。

基于上述預(yù)測,IC Insights認(rèn)為,今年DRAM的全球市場規(guī)模有望成長37%,遠(yuǎn)優(yōu)于先前估計的13%,而NAND則將成長17%、也高于先前估計的10%。

報告稱,2018年DRAM市場的整體規(guī)模預(yù)料會達(dá)到996億美元,比NAND的621億美元大幅超出375億美元,成為IC業(yè)界規(guī)模最大的產(chǎn)品類別。從該機構(gòu)制作的圖表可以看出(見左圖),過去五年來,DRAM已成為左右全球IC成長的關(guān)鍵因素。

美國存儲大廠美光(Micron Technology)受惠DRAM報價看俏、NAND型快閃存儲毛利增加,去年股價狂飆87.57%后,今年以來又續(xù)漲45.38%。

barron`s.com、CNBC、路透社等外電報導(dǎo),Nomura Instinet分析師Romit Shah 3月12日發(fā)表研究報告指出,年初以來,存儲報價僅下滑3%,跌幅遠(yuǎn)不如過去三年的Q1平均跌幅(10~20%),預(yù)估未來六個月報價有望上揚10%。研究顯示,供應(yīng)商應(yīng)該會在Q2、Q3開始漲價,跟市場原本預(yù)測的「未來四季報價每季會跌5-6%」大相徑庭。

Shah認(rèn)為,美光股價順利突破3-4個月的盤整期,目前正處于另一波大漲行情的初始階段。他提出了幾項對美光有利的因素,當(dāng)中包括DRAM報價有望自第2季起恢復(fù)揚升走勢、公司將在5月首度宣布股利發(fā)放和庫藏股計劃、NAND的毛利率持續(xù)擴(kuò)張,以及有關(guān)整并的討論增多等。

DRAM缺貨一整年價格逐季漲

全球最大存儲廠韓國三星電子正在進(jìn)行半導(dǎo)體產(chǎn)能大挪移,以提升產(chǎn)能運用效率,三星雖然決定在韓國華城Line 17及平澤Line 18擴(kuò)大先進(jìn)制程DRAM產(chǎn)能,但三星同時卻將華城Line 11及Line 13的舊制程DRAM產(chǎn)能,移轉(zhuǎn)生產(chǎn)CMOS影像感測器,有意擠下日本索尼、搶占CMOS影像感測器龍頭寶座。

業(yè)界認(rèn)為,三星在增加DRAM新制程產(chǎn)能之際,同時縮減舊制程產(chǎn)能,總投片量今年及明年都不會增加太多,只利用制程轉(zhuǎn)換至1y/1z納米來提高位元出貨成長率。由此來看,DRAM市場今年恐將缺貨一整年,價格逐季調(diào)漲已無可避免。

業(yè)界指出,今年總投片量增加幅度十分有限,DRAM價格3月見到明顯漲勢,季度漲幅可望上看5~10%,優(yōu)于先前預(yù)期的5%,第二季價格可望再續(xù)漲5~10%。法人看好南亞科(2408)、華邦電(2344)、威剛(3260)將直接受惠。

根據(jù)韓國外電報導(dǎo),韓系存儲廠三星以及SK海力士已調(diào)漲第一季DRAM報價,漲幅約達(dá)5~10%,包括標(biāo)準(zhǔn)型、伺服器、利基型、行動式等DRAM價格都全面上漲。

第一季是傳統(tǒng)淡季,DRAM價格在淡季調(diào)漲,代表市場供不應(yīng)求情況未獲紓解,其中又以伺服器DRAM缺貨最為嚴(yán)重。

業(yè)界人士透露,資料中心需求強勁,搭載的伺服器DRAM價格比智慧型手機采用的行動式DRAM高出2成,所以三大DRAM廠上半年產(chǎn)能都移轉(zhuǎn)到伺服器DRAM。標(biāo)準(zhǔn)型PC DRAM則在英特爾、超微的新平臺推出后,帶動需要搭載8GB以上高容量DRAM的電競PC熱賣,PC DRAM需求強勁且價格持續(xù)上漲,目前價格幾乎是去年同期的2倍。

為解決DRAM缺貨問題,龍頭大廠三星已宣布擴(kuò)產(chǎn)計畫。三星將利用位于韓國平澤Line 18的2樓空間擴(kuò)增DRAM產(chǎn)能,設(shè)備已完成裝機并準(zhǔn)備啟動生產(chǎn),華城Line 17的部份產(chǎn)線也由NAND Flash轉(zhuǎn)為生產(chǎn)DRAM,下半年將啟動生產(chǎn)。三星的擴(kuò)產(chǎn)計畫一度讓市場擔(dān)憂DRAM市場好日子是不是快過去了,但事實上,三星卻同時縮減舊制程DRAM產(chǎn)能。

外電報導(dǎo)指出,三星已將原本用來生產(chǎn)DRAM的華城Line 11舊制程生產(chǎn)線,在去年底改為生產(chǎn)CMOS影像感測器,預(yù)計今年底改裝完畢,隨后華城Line 13舊制程DRAM生產(chǎn)線也會跟著移轉(zhuǎn)成為CMOS影像感測器生產(chǎn)線。而值得注意之處,在于三星的CMOS影像感測器將用來投產(chǎn)堆疊DRAM及類比邏輯芯片的三層(3-layer stacked)影像感測器。

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原文標(biāo)題:IC Insights:2018年存儲規(guī)模突破1600億美元

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