DRAM、NAND型快閃存儲近來報價走勢超優(yōu)，科技市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights為此決定將今(2018)年的全球IC市場成長預(yù)估值拉高近一倍，從原本的8%一口氣上修至15%。

IC Insights 14日發(fā)表研究報告指出，今年DRAM均價遠(yuǎn)優(yōu)于預(yù)期，估計將較去年跳增36%，延續(xù)去年大漲81%的上升走勢，而去年均價跳漲45%的NAND，今年報價也有望續(xù)增10%。相較之下，DRAM、NAND今年的位元出貨量成長率則只將達(dá)到1%、6%。

基于上述預(yù)測，IC Insights認(rèn)為，今年DRAM的全球市場規(guī)模有望成長37%，遠(yuǎn)優(yōu)于先前估計的13%，而NAND則將成長17%、也高于先前估計的10%。

報告稱，2018年DRAM市場的整體規(guī)模預(yù)料會達(dá)到996億美元，比NAND的621億美元大幅超出375億美元，成為IC業(yè)界規(guī)模最大的產(chǎn)品類別。從該機(jī)構(gòu)制作的圖表可以看出(見左圖)，過去五年來，DRAM已成為左右全球IC成長的關(guān)鍵因素。

美國存儲大廠美光(Micron Technology)受惠DRAM報價看俏、NAND型快閃存儲毛利增加，去年股價狂飆87.57%后，今年以來又續(xù)漲45.38%。

barron`s.com、CNBC、路透社等外電報導(dǎo)，Nomura Instinet分析師Romit Shah 3月12日發(fā)表研究報告指出，年初以來，存儲報價僅下滑3%，跌幅遠(yuǎn)不如過去三年的Q1平均跌幅(10~20%)，預(yù)估未來六個月報價有望上揚10%。研究顯示，供應(yīng)商應(yīng)該會在Q2、Q3開始漲價，跟市場原本預(yù)測的「未來四季報價每季會跌5-6%」大相徑庭。

Shah認(rèn)為，美光股價順利突破3-4個月的盤整期，目前正處于另一波大漲行情的初始階段。他提出了幾項對美光有利的因素，當(dāng)中包括DRAM報價有望自第2季起恢復(fù)揚升走勢、公司將在5月首度宣布股利發(fā)放和庫藏股計劃、NAND的毛利率持續(xù)擴(kuò)張，以及有關(guān)整并的討論增多等。

DRAM缺貨一整年價格逐季漲

全球最大存儲廠韓國三星電子正在進(jìn)行半導(dǎo)體產(chǎn)能大挪移，以提升產(chǎn)能運用效率，三星雖然決定在韓國華城Line 17及平澤Line 18擴(kuò)大先進(jìn)制程DRAM產(chǎn)能，但三星同時卻將華城Line 11及Line 13的舊制程DRAM產(chǎn)能，移轉(zhuǎn)生產(chǎn)CMOS影像感測器，有意擠下日本索尼、搶占CMOS影像感測器龍頭寶座。

業(yè)界認(rèn)為，三星在增加DRAM新制程產(chǎn)能之際，同時縮減舊制程產(chǎn)能，總投片量今年及明年都不會增加太多，只利用制程轉(zhuǎn)換至1y/1z納米來提高位元出貨成長率。由此來看，DRAM市場今年恐將缺貨一整年，價格逐季調(diào)漲已無可避免。

業(yè)界指出，今年總投片量增加幅度十分有限，DRAM價格3月見到明顯漲勢，季度漲幅可望上看5～10％，優(yōu)于先前預(yù)期的5％，第二季價格可望再續(xù)漲5～10％。法人看好南亞科（2408）、華邦電（2344）、威剛（3260）將直接受惠。

根據(jù)韓國外電報導(dǎo)，韓系存儲廠三星以及SK海力士已調(diào)漲第一季DRAM報價，漲幅約達(dá)5～10％，包括標(biāo)準(zhǔn)型、伺服器、利基型、行動式等DRAM價格都全面上漲。

第一季是傳統(tǒng)淡季，DRAM價格在淡季調(diào)漲，代表市場供不應(yīng)求情況未獲紓解，其中又以伺服器DRAM缺貨最為嚴(yán)重。

業(yè)界人士透露，資料中心需求強(qiáng)勁，搭載的伺服器DRAM價格比智慧型手機(jī)采用的行動式DRAM高出2成，所以三大DRAM廠上半年產(chǎn)能都移轉(zhuǎn)到伺服器DRAM。標(biāo)準(zhǔn)型PC DRAM則在英特爾、超微的新平臺推出后，帶動需要搭載8GB以上高容量DRAM的電競PC熱賣，PC DRAM需求強(qiáng)勁且價格持續(xù)上漲，目前價格幾乎是去年同期的2倍。

為解決DRAM缺貨問題，龍頭大廠三星已宣布擴(kuò)產(chǎn)計畫。三星將利用位于韓國平澤Line 18的2樓空間擴(kuò)增DRAM產(chǎn)能，設(shè)備已完成裝機(jī)并準(zhǔn)備啟動生產(chǎn)，華城Line 17的部份產(chǎn)線也由NAND Flash轉(zhuǎn)為生產(chǎn)DRAM，下半年將啟動生產(chǎn)。三星的擴(kuò)產(chǎn)計畫一度讓市場擔(dān)憂DRAM市場好日子是不是快過去了，但事實上，三星卻同時縮減舊制程DRAM產(chǎn)能。

外電報導(dǎo)指出，三星已將原本用來生產(chǎn)DRAM的華城Line 11舊制程生產(chǎn)線，在去年底改為生產(chǎn)CMOS影像感測器，預(yù)計今年底改裝完畢，隨后華城Line 13舊制程DRAM生產(chǎn)線也會跟著移轉(zhuǎn)成為CMOS影像感測器生產(chǎn)線。而值得注意之處，在于三星的CMOS影像感測器將用來投產(chǎn)堆疊DRAM及類比邏輯芯片的三層（3-layer stacked）影像感測器。