過去，在工業(yè)存儲領(lǐng)域，中國的發(fā)展可謂是凄風(fēng)苦雨、一波三折。存儲芯片，中國曾高度依賴進(jìn)口，進(jìn)口比例曾高達(dá)90%，國產(chǎn)存儲芯片市場份額一度下滑至不足4%。同時，工業(yè)數(shù)據(jù)存儲面臨成本、性能、安全、業(yè)務(wù)等多方面挑戰(zhàn)，如存儲成本高、實時性要求難以滿足、數(shù)據(jù)安全存在隱患、傳統(tǒng)接口無法滿足業(yè)務(wù)需求等。

在國家政策的支持下，長鑫存儲經(jīng)過多年的研發(fā)投入，國產(chǎn)存儲芯片終于實現(xiàn)重大突破，徹底擺脫對國外進(jìn)口芯片的依賴，再也不用被“卡脖子”。但是，有了長鑫的芯片，能否有穩(wěn)定可靠的內(nèi)存條，又是一大挑戰(zhàn)。

在信創(chuàng)產(chǎn)業(yè)加速國產(chǎn)替代的背景下，科美存儲近日正式推出首款100%全國產(chǎn)化DDR5 RDIMM內(nèi)存條，瞄準(zhǔn)邊緣計算、工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心及特種設(shè)備領(lǐng)域?qū)Ω叻€(wěn)定性內(nèi)存的迫切需求。該產(chǎn)品從芯片、封裝到適配全鏈路實現(xiàn)自主可控，并通過防硫化設(shè)計、30μ鍍金工藝等技術(shù)創(chuàng)新，填補(bǔ)了國產(chǎn)服務(wù)器內(nèi)存模塊在極端環(huán)境適配能力的空白。

核心亮點與技術(shù)解析

穿透全國產(chǎn)：響應(yīng)國家“十四五”信息技術(shù)自主可控戰(zhàn)略

本產(chǎn)品使用長鑫DDR5 芯片，上海瀾起的RCD芯片，BOM內(nèi)其他電子元器件也均符合國產(chǎn)化要求，確保了供應(yīng)鏈安全（科美可以提供BOM清單供審查）。全鏈路國產(chǎn)化設(shè)計規(guī)避了地緣政治風(fēng)險，響應(yīng)了國家“十四五”信息技術(shù)自主可控戰(zhàn)略。

2.穩(wěn)定可靠：嚴(yán)苛測試環(huán)境下無異常

科美此款DDR5 RDIMM內(nèi)存條采用長鑫（CXMT）Major等級A Die芯片，拒絕使用降級芯片，確保品質(zhì)；芯片原生頻率5600MHz，為保障工業(yè)場景穩(wěn)定性，科美存儲降頻至4800MHz運(yùn)行，進(jìn)一步保障內(nèi)存條的可靠性。在實驗室內(nèi)，科美全國產(chǎn)DDR5 RDIMM內(nèi)存條產(chǎn)品經(jīng)過了十余輪調(diào)優(yōu)和幾十項測試，在最后的批量壓力測試中，連續(xù)336小時無異常。為邊緣計算、車載設(shè)備提供抗硫化、耐插拔的存儲解決方案，降低運(yùn)維成本。

3.防硫化設(shè)計：破解工業(yè)環(huán)境腐蝕難題

針對含硫氣體導(dǎo)致的元器件失效問題，科美在內(nèi)存條表面增加納米級防硫化涂層，經(jīng)實驗室模擬測試，可在硫化物濃度50ppm環(huán)境下連續(xù)運(yùn)行1000小時無性能衰減，故障率降低80%。

4.30μ鍍金金手指：壽命與穩(wěn)定性雙提升

金手指鍍金厚度達(dá)30μ（行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)10-15μ），插拔壽命超5000次，接觸電阻波動控制在5%以內(nèi)，適配高振動、高濕度等邊緣計算場景。

5、全平臺兼容性：覆蓋國產(chǎn)與主流生態(tài)

產(chǎn)品已通過飛騰S5000C、龍芯3A5000等國產(chǎn)平臺認(rèn)證，并兼容AMD EPYC、Intel至強(qiáng)等X86架構(gòu)，同步適配麒麟、統(tǒng)信操作系統(tǒng)。適配黨政、金融國產(chǎn)化服務(wù)器，解決X86平臺與國產(chǎn)CPU混用場景的兼容難題。

當(dāng)前，國產(chǎn)服務(wù)器內(nèi)存市場仍高度依賴進(jìn)口模組，尤其在工業(yè)自動化、電力能源等領(lǐng)域，國產(chǎn)產(chǎn)品難以滿足寬溫、防硫化等定制化需求?？泼繢DR5 RDIMM內(nèi)存條產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著國產(chǎn)存儲從“可用”向“專用”邁進(jìn)了一大步，為國產(chǎn)“卡脖子”硬科技突破又立新功。

審核編輯 黃宇