隨著全球?qū)﹄妱踊?a target="_blank">智能化和便攜式設(shè)備需求的不斷增加，鋰離子電池作為主流能源來源，已成為各類消費電子產(chǎn)品和電動工具的核心。在這一發(fā)展過程中，鋰離子電池的保護電路正面臨著更高的要求。特別是在快充技術(shù)日益成熟的今天，如何實現(xiàn)高效的電池管理，確保電池在高負載條件下的安全性和穩(wěn)定性，成為設(shè)計者亟待解決的關(guān)鍵問題。

MOSFET作為電池管理系統(tǒng)的重要元件，其性能的提升直接影響到整個系統(tǒng)的功效和穩(wěn)定性。東芝一直致力于為鋰離子電池保護電路提供高性能的MOSFET解決方案，尤其在降低導(dǎo)通電阻方面，SSM14N956L代表了公司在這一領(lǐng)域的又一重要創(chuàng)新進展。

低導(dǎo)通電阻，提升功率效率

SSM14N956L是東芝MOSFET產(chǎn)品系列中的新成員，是一款專為移動設(shè)備鋰離子電池組設(shè)計的低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品，與此前發(fā)布的SSM10N954L和SSM6N951L類似，均采用了微工藝技術(shù)，但在此基礎(chǔ)上進一步降低了導(dǎo)通電阻。

SSM14N956L與SSM10N954L的主要規(guī)格對比

SSM14N956L的源極-漏極通道電阻的典型值為RSS(ON)＝1.1 mΩ（@VGS＝3.8 V），這一特性使其在高電流條件下能夠顯著降低功率損耗，在鋰電池保護電路中，低導(dǎo)通電阻能夠最大限度地減少電流通過MOSFET時的電壓降，從而提升整體系統(tǒng)的能效。

SSM14N956L的RSS(ON)與柵源電壓（VGS）關(guān)系的圖示

在快充應(yīng)用場景中，電流密度較高，對MOSFET的導(dǎo)通電阻要求更加嚴格。低導(dǎo)通電阻不僅有助于減小熱量產(chǎn)生，還能提高電池的充電效率。這對于提高充電速度、延長電池壽命以及提升設(shè)備安全性至關(guān)重要。

SSM14N956L的其他亮點解析

除低導(dǎo)通電阻外，SSM14N956L還具備低柵源漏電流，即使在較高的柵源電壓下，其漏電流依然保持在非常低的水平，IGSS最大值僅為±1 μA（@VGS＝±8 V）。在鋰電池保護電路中，MOSFET的柵源漏電流對待機功耗有著直接影響。較低的漏電流意味著在設(shè)備處于待機模式時，系統(tǒng)能耗更低，從而有效延長電池的使用時間。

SSM14N956L IGSS與VGS之間的關(guān)系

這一特性對于便攜式設(shè)備尤為重要，尤其是智能手機、平板電腦等需要長時間待機的應(yīng)用場景。隨著設(shè)備對低功耗技術(shù)要求的提高，SSM14N956L憑借其低柵源漏電流，為電池管理系統(tǒng)提供了更高效的能量管理方案。

超薄封裝設(shè)計，滿足小型化需求

現(xiàn)代移動設(shè)備不斷追求更小巧、更輕便的設(shè)計，因此電子元件的體積和厚度成為了產(chǎn)品設(shè)計中不可忽視的因素。

SSM14N956L采用的TCSPED-302701封裝，尺寸為2.74 mm×3.0 mm，厚度僅為0.085 mm（典型值）。這一超薄小型化封裝，不僅滿足了空間受限的設(shè)計需求，還能有效降低電路板上的布局復(fù)雜度。此外，這種封裝還支持更高的散熱效率，避免了過熱對系統(tǒng)穩(wěn)定性和電池性能的負面影響。

TCSPED-302701封裝和引腳布局

SSM14N956L采用的共漏極結(jié)構(gòu)，由于其較低的開關(guān)損耗和簡化的驅(qū)動需求，特別適合用于高效、可靠的電池保護電路設(shè)計。

應(yīng)用場景

自2023年5月發(fā)布以來，SSM14N956L已經(jīng)在市場中得到廣泛應(yīng)用，并取得了積極的市場反饋。SSM14N956L可廣泛應(yīng)用于家用電器、消費類電子產(chǎn)品以及辦公和個人設(shè)備中，特別是采用鋰離子電池的智能手機、平板電腦、充電寶、可穿戴設(shè)備、游戲控制器等。

總結(jié)

東芝SSM14N956L MOSFET優(yōu)異的性能和小型化封裝使其成為移動設(shè)備電池保護電路的理想選擇。未來，東芝將持續(xù)致力于MOSFET技術(shù)的研發(fā)與創(chuàng)新，不斷推出更高性能、更具競爭力的產(chǎn)品，以滿足市場日益增長的需求。

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