中國上海，2022年6月7日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在其TCK42xG系列MOSFET柵極驅(qū)動IC產(chǎn)品中新增五款適用于可穿戴設(shè)備等移動電子設(shè)備的產(chǎn)品。該系列的新產(chǎn)品
2022-06-07 13:49:20
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導(dǎo)通電阻（RDSON）指的是在規(guī)定的測試條件下，使MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)時（工作在線性區(qū)），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下對電流通過的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:343811 
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具備低導(dǎo)通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發(fā)動機(jī)壓電噴射系統(tǒng)。
2012-08-15 11:25:083396 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導(dǎo)通電阻，有助于提升系統(tǒng)效率，還可讓設(shè)計人員在多個MOSFET并聯(lián)使用時減少產(chǎn)品的組件數(shù)量。
2013-01-22 13:27:211630 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動電路的器件，10 V條件下最大導(dǎo)通電阻降至4 m?，采用熱增強(qiáng)型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。
2019-10-05 07:04:006418 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出具有1.5?低導(dǎo)通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲（SPST）CMOS模擬開關(guān)
2019-03-08 15:06:392742 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，其作為小型化尖端光繼電器領(lǐng)域的業(yè)界領(lǐng)先企業(yè)，現(xiàn)推出了光繼電器新家族（共五款），均采用業(yè)界最小型［1］封裝S-VSONR4（2.0mm×1.45mm）。新產(chǎn)品適用于自動測試設(shè)備、存儲測試器、SoC／LSI測試器和探針卡等。即日開始供貨。
2019-06-11 18:11:44937 高功率快充在近幾年成為了充電市場的當(dāng)紅炸子雞。前段時間小米推出的新款氮化鎵快速充電器更是引爆了快充小型化的潮流。
2020-03-25 14:00:102586 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）推出非常適用于FA和機(jī)器人等工業(yè)設(shè)備以及空調(diào)等消費電子產(chǎn)品的共計24款Pch MOSFET*1/*2產(chǎn)品，其中包括支持24V輸入電壓的－40V
2020-12-26 10:31:422624 該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的硅（Si）MOSFET、IGBT產(chǎn)品相比，具有高耐壓、高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻特性，有利于降低功耗，精簡系統(tǒng)。
2020-10-20 15:18:002039 ---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導(dǎo)通電阻。產(chǎn)品于今日開始出貨。 ? ? 近年來，隨著社會對電動汽車需求的增長，產(chǎn)業(yè)對能滿足車載設(shè)備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGL?封裝，支持大電流、低導(dǎo)通電阻和高散熱。上
2023-02-06 10:01:471486 
]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 ? ? TPH9R00CQ5具有行業(yè)領(lǐng)先的[2]9.0mΩ（最大值）的低漏源導(dǎo)通電阻，與東芝現(xiàn)有
2023-03-30 13:37:141310 
X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 ? ? TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導(dǎo)通電阻，比東芝目前100V產(chǎn)品“
2023-07-03 14:48:141124 
”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 ? ? 類似上述的工業(yè)
2023-08-29 15:26:551734 
? 中國上海， 2023 年 11 月 7 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備
2023-11-09 15:19:572329 
是選擇小于1的電荷比QGD/QGS1。防止C dv/dt感應(yīng)導(dǎo)通的其他因素包括低驅(qū)動漏極阻抗(同步MOSFET Q2的導(dǎo)通電阻RDS(on) 及其封裝，在抑制C dv/dt導(dǎo)通方面具備同等的重要性
2019-05-13 14:11:31
系列為例，介紹trr的高速化帶來的優(yōu)勢。高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS FN系列PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導(dǎo)通電阻及低柵極總電荷量特征、且進(jìn)一步實現(xiàn)了
2018-11-28 14:27:08
mosfet的TO220封裝上的背后的鐵片接的是漏極嗎？為什么？
2015-10-25 20:56:23
了開關(guān)損耗，促進(jìn)了白色家電和工業(yè)設(shè)備等電機(jī)驅(qū)動器和變頻器應(yīng)用的低功耗化發(fā)展。R60xxMNx系列新品是以“不僅保持現(xiàn)有R60xxFNx系列的高速trr性能，還要進(jìn)一步降低導(dǎo)通電阻和Qg（柵極總電荷量）并
2018-12-04 10:23:36
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反相電壓放大（共發(fā)射極（共源極）電路），輸入電壓（電流）增加，輸出電壓下降。是因為管壓降低了，相當(dāng)于管子的電阻小了，電流大了
2012-07-09 17:45:33
中的寄生源電感。因此，采用SMD封裝的MOSFET也能實現(xiàn)快速開關(guān)，同時降低開關(guān)損耗。適用于4引腳器件的SMD封裝名為“ThinkPAK 8X8”。 III.分析升壓轉(zhuǎn)換器中采用最新推出的TO247
2018-10-08 15:19:33
用的電路板可以更加小型化，而且線路安裝設(shè)計也有了更大的靈活性。另外，由于采用了新開發(fā)的低導(dǎo)通電阻芯片，在使封裝小型化的同時實現(xiàn)了與現(xiàn)有SOP8 Dual產(chǎn)品同樣低的導(dǎo)通電阻。ROHM將要逐步大量生產(chǎn)封裝
2018-08-24 16:56:26
從半導(dǎo)體封裝到通信接口、電池和顯示技術(shù)，無不受到便攜式和小型化醫(yī)療電子設(shè)備需求的影響。芯片級封裝、裸片和撓性/折疊印刷電路板已經(jīng)極大地縮小了電子設(shè)備占用的總系統(tǒng)空間。將其同一些新的粘接和焊接流程技術(shù)
2019-05-17 07:00:02
Ω的器件。這器件與NTNS3A91PZ相反相成，后者是一款20V、單P溝道器件，VGS為±4.5V時RDS(on)為1.3Ω。 這兩款新MOSFET由于具有低導(dǎo)通阻抗、低閾值電壓及1.5V門極
2012-12-07 15:52:50
ASEMI 快恢復(fù)二極管MURF2040CT適用于多大頻率的電器？
2017-04-25 13:10:52
` ECEC在原有貼片石英晶振生產(chǎn)工藝的基礎(chǔ)上推出了超小型化，超薄型貼片封裝的石英晶體諧振器，sx-3225，詳細(xì)尺寸為：3.2*2.5*0.7mm typ，頻率范圍從
2011-07-14 14:38:34
超級結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導(dǎo)通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴(kuò)展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到
2018-12-05 10:00:15
不會影響其他參數(shù)的性能。例如，采用 LFPAK88銅夾片封裝的 Nexperia PSMNR90-50SLH 在 10 V 柵源電壓下具有 0.9 mΩ的最大導(dǎo)通電阻。且最大漏極電流額定值可達(dá) 410
2022-10-28 16:18:03
大，而MOSFET的導(dǎo)通電阻大，卻有著驅(qū)動電流小的優(yōu)點。IGBT正是結(jié)合了這兩者的優(yōu)點：不僅驅(qū)動電流小，導(dǎo)通電阻也很低?！ ?b class="flag-6" style="color: red">具有四個交替層（P-N-P-N）的IGBT由不具有再生作用的金屬氧化物半導(dǎo)體
2020-07-07 08:40:25
選。這些產(chǎn)品包括用于電信設(shè)備和服務(wù)器的高效交流/直流開關(guān)電源和直流/直流轉(zhuǎn)換器、D類放大器和電機(jī)控制驅(qū)動裝置等。器件概念1998年，采用600 V CoolMOS?技術(shù)的商用化產(chǎn)品被推出，適用于功率
2018-12-07 10:21:41
通電阻比普通產(chǎn)品低61%（雙極MOSFET的Pch部分比較），有助于進(jìn)一步降低各種設(shè)備的功耗。此外，通過將兩枚器件集成到一個封裝中，有助于通過減少安裝面積從而實現(xiàn)設(shè)備的小型化， 還有助于減少器件選型
2021-07-14 15:17:34
兩方面的損耗少與效率改善密切相關(guān)。另外，損耗少的話，發(fā)熱就會少，因此也與可使用的IC封裝種類和尺寸等息息相關(guān)。－ 這涉及到第二個課題小型化對吧。進(jìn)一步講，一般MOSFET的導(dǎo)通電阻很大程度地依賴于元件
2019-04-29 01:41:22
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開關(guān)速度、更高的電流密度以及更低的導(dǎo)通電阻，非常適用于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動汽車、家用電器等高功率應(yīng)用。但是，在實際應(yīng)用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
面積小（可實現(xiàn)小型封裝），而且體二極管的恢復(fù)損耗非常小?！ ≈饕獞?yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中?！ ?. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻 SiC的絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-04-09 04:58:00
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
與其他電子設(shè)備一樣，近年來對電機(jī)智能化、小型化、高效化的需求日益高漲。這是因為全球近50%的電力需求均使用電機(jī)驅(qū)動，滿足這些需求已成為當(dāng)務(wù)之急。BD9227F根據(jù)MCU生成的PWM信號來線性控制輸出
2018-12-04 10:18:22
推出了適用于大容量鋰電池的快充芯片hl7026。該系列芯片可實現(xiàn)5v 3a的快速充電，能夠滿足用戶對大容量鋰電池上實現(xiàn)快速高效的充電需求。HL7026是5V輸入全集成的開關(guān)模式充電器，芯片內(nèi)置了電壓
2020-08-19 15:44:42
時，在P-和柵極相鄰的區(qū)域，形成垂直的溝道，電流從漏極流向源極時，同樣的，電流垂直流過硅片內(nèi)部，可以看到，柵極的寬度遠(yuǎn)小于垂直導(dǎo)電的平面結(jié)構(gòu)，因此具有更小的單元的尺寸，導(dǎo)通電阻更小。常用的溝槽有U型
2016-10-10 10:58:30
為持續(xù)應(yīng)對便攜式產(chǎn)品業(yè)對分立元件封裝的進(jìn)一步小型化的需求，安森美半導(dǎo)體（ON SEMICONDUCTOR）推出封裝僅為1.4mm x 0.6mm x 0.5mm SOD-723的三種新型肖特基
2008-06-12 10:01:54
近年來各種電子產(chǎn)品向小型化和微型化發(fā)展，并以大爆炸的形式進(jìn)入人們的生活。其中供電電源的體積及重量占了整個產(chǎn)品的一大部分，電源變壓器、電源控制IC、MOS管、整流二極管、電解電容及瓷片電容等元器件
2018-10-10 16:49:11
小型化。然而，必須首先解決一個問題：SiC MOSFET反向操作期間，體二極管雙極性導(dǎo)通會造成導(dǎo)通電阻性能下降。將肖特基勢壘二極管嵌入MOSFET，使體二極管失活的器件結(jié)構(gòu)，但發(fā)現(xiàn)用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現(xiàn)更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
(Typ.)500mA-40℃～85℃應(yīng)用示例該產(chǎn)品效率高、體積小，適用于可穿戴式設(shè)備、移動設(shè)備、電池驅(qū)動的IoT設(shè)備（傳感器節(jié)點等）、小型工業(yè)設(shè)備（報警器、警報設(shè)備、電子貨架標(biāo)簽等）。同樣也適用于能量收集
2018-12-05 10:03:29
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-08 09:35:56
*3.2*1.0。不管是多么超薄的手機(jī)，都可以使用。這款一體成型電感不僅僅適用于手機(jī)，如今的攝像設(shè)備更是向小型化發(fā)展，一體成型電感更是適用于這些設(shè)備中。谷景電子專注于設(shè)計、研發(fā)、銷售高品質(zhì)貼片繞線電感，工字電感，環(huán)型電感以及相關(guān)安規(guī)器件電感，并提供完善的技術(shù)服務(wù)與專業(yè)的解決方案。`
2020-06-19 11:26:30
MOSFET系列 RUH4080M-B
RUH4080M-B是一款高性能的N溝道 MOSFET，采用先進(jìn)SGT（屏蔽柵極槽）技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適合用于高效電源管理和高速開關(guān)的應(yīng)用場
2024-10-14 09:40:16
防止兩個MOSFET管直通，通常串接一個0.5～1Ω小電阻用于限流，該電路適用于不要求隔離的中功率開關(guān)設(shè)備。這兩種電路特 點是結(jié)構(gòu)簡單?！ 」β?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET屬于電壓型控制器件，只要柵極和源極之間施加
2023-02-27 11:52:38
AN系列是以“漏極-源極間導(dǎo)通電阻RDS(on)和柵極總電荷量Qg比平面MOSFET大幅降低”為目的，最先開發(fā)的SJ-MOSFET。與平面MOSFET相比，RDS(on)降低了50%，Qg降低了40
2018-12-03 14:27:05
TI發(fā)布具備更低導(dǎo)通電阻的集成負(fù)載開關(guān)
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負(fù)載開關(guān)，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (RON) 比同類競爭產(chǎn)品低
2009-12-21 08:45:27623 TI 推出具備最低導(dǎo)通電阻的完全整合型負(fù)載開關(guān)
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:281185 采用PQFN封裝的MOSFET 適用于ORing和電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (R
2010-03-12 11:10:071571 導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負(fù)信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:475716 IR推出汽車專用MOSFET系列低導(dǎo)通電阻
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:321055 飛兆半導(dǎo)體推出了導(dǎo)通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導(dǎo)體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業(yè)界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391887 SCH2090ke是?SiC(碳化硅)的Planer型MOSFET。耐高壓、低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)、實現(xiàn)整機(jī)的小型化和節(jié)能化。
2011-11-20 15:49:561636 東芝公司（Toshiba Corporation）推出了一種低導(dǎo)通電阻功率MOSFET，該產(chǎn)品也成為其專為汽車應(yīng)用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產(chǎn)品“TK80A04K3L”還實現(xiàn)了低漏電電流和175℃的保證工作溫度。該產(chǎn)品不但非常適用于汽車應(yīng)用，還適用于電機(jī)驅(qū)動器和開關(guān)穩(wěn)壓器
2013-01-22 10:25:301152 瑞薩電子宣布推出新款低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品，包括經(jīng)過最佳化的μPA2766T1A，做為網(wǎng)路伺服器與儲存系統(tǒng)之電源供應(yīng)器內(nèi)的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:101310 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 一種超低比導(dǎo)通電阻的L型柵漏極LDMOS_石琴
2017-01-07 22:14:03
4 東芝電子元件推出新一款采用小型2.54SOP4封裝的新型光繼電器TLP3145，光繼電器關(guān)閉狀態(tài)輸出端電壓達(dá)200V，導(dǎo)通電流為0.4A。可應(yīng)用在工業(yè)設(shè)備、建筑自動化系統(tǒng)、半導(dǎo)體測試儀器。
2017-11-30 16:27:511671 
東京-- 東芝 電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已推出搭載高效靜電放電保護(hù)的雙 MOSFET “SSM6N813R”，該產(chǎn)品適用于需要耐高電壓和小尺寸的汽車應(yīng)用，包括 LED 前照燈驅(qū)動器IC
2018-04-15 11:07:021233 MOSFET的導(dǎo)通電阻
2018-08-14 00:12:0015153 東芝推出采用DIP4封裝的大電流光繼電器，具有低導(dǎo)通電阻和大額定導(dǎo)通電流，更易使用。
2018-09-29 15:35:355155 關(guān)鍵詞：MOSFET , FemtoFET 小信號 MOSFET 晶體管為移動設(shè)備節(jié)省電源，延長電池使用壽命 德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電阻
2018-10-13 11:03:01728 東芝公司（Toshiba）推出一款適用于移動設(shè)備的小型1.0 x 1.0mm無引線式封裝單閘邏輯集成電路（IC）。新產(chǎn)品TC7SZ32MX將于即日起出貨。除現(xiàn)有的小型1.0 x 1.0mm引線
2018-11-13 11:53:381134 安森美半導(dǎo)體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術(shù)碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻
2020-06-15 14:19:404976 特瑞仕半導(dǎo)體株式會社（日本東京都中央?yún)^(qū) 董事總經(jīng)理：芝宮 孝司 第一東京證券交易所:6616）開發(fā)了2種MOSFET新產(chǎn)品--XP22x系列（20V耐壓） 此次發(fā)售的產(chǎn)品是具有低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)
2020-09-03 10:28:202288 分立MOSFET數(shù)據(jù)手冊中最突出的規(guī)格之一是漏極 - 源極導(dǎo)通電阻，縮寫為R DS （on）。這個R DS （on）的想法看起來非常簡單：當(dāng)FET截止時，源極和漏極之間的電阻非常高 - 我們假設(shè)零電流流動。
2021-05-15 09:49:5614520 
、TK155E65Z和TK190E65Z產(chǎn)品，它們適用于數(shù)據(jù)中心、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備的開關(guān)電源。這四款產(chǎn)品進(jìn)一步完善了上一代產(chǎn)品在封裝、漏源導(dǎo)通電阻和柵漏電荷方面的設(shè)計。
2022-04-26 14:11:292040 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，現(xiàn)已開始出貨。
2022-09-01 15:37:531079 )(統(tǒng)稱“東芝”)已經(jīng)開發(fā)了一種碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。該晶體管將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成方格狀(方格狀嵌入式SBD)，以實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高可靠性。東芝
2022-12-12 18:01:531837 的半導(dǎo)體二極管。因為它們比一般的PN結(jié)二極管具有更低的正向電壓和更快的開關(guān)動作。因此，它們非常適用于提高效率和支持電源電路的小型化。
2023-02-02 17:19:241698 ”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導(dǎo)通電阻。產(chǎn)品于今日開始出貨。 ? 近年來，隨著社會對電動汽車需求的增長，產(chǎn)業(yè)對能滿足車載設(shè)備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGLTM封裝，支持大電流、低導(dǎo)通電阻和高散熱。上述產(chǎn)品未采用內(nèi)部接線柱[1]結(jié)構(gòu)，
2023-02-04 18:31:453724 ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:441157 
新產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06900 
列產(chǎn)品的參考資料，助力您快速了解產(chǎn)品各項信息。 點擊下載產(chǎn)品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場上更受歡迎
2023-05-17 13:35:021476 
共漏極N溝道MOSFET，用于鋰離子(Li-ion)電池組（例如移動設(shè)備電池組）的電池保護(hù)電路中。今天開始發(fā)貨。
2023-05-19 10:20:071666 ” 。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開關(guān)電路和熱插拔電路 [1] 等應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的 [2] 3.1mΩ最大漏極-源
2023-06-29 17:40:011395 
MOSFET的漏極導(dǎo)通特性是指在特定的電壓和電流條件下，MOSFET允許電流從漏極流過的性質(zhì)。
2023-08-09 14:41:5910911 
本公司將硬盤驅(qū)動器主軸電機(jī)研發(fā)過程中積累下來的FDB（液壓軸承）技術(shù)應(yīng)用于風(fēng)扇電機(jī)，致力于研發(fā)更加小型化、超薄化的風(fēng)扇電機(jī)。
2022-10-05 13:29:072145 
” 。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 類似上述的工業(yè)應(yīng)用通常使用DC
2023-08-31 17:40:071150 
?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導(dǎo)通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設(shè)備和電池組保護(hù)。產(chǎn)品發(fā)貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:221294 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。
2023-11-09 17:39:101320 管理應(yīng)用的 MRigidCSP? 封裝技術(shù)。AOS首顆應(yīng)用該新型封裝技術(shù)的12V 共漏極雙 N 溝道 MOSFET——AOCR33105E，實現(xiàn)在降低導(dǎo)通電阻的同時提高CSP產(chǎn)品的機(jī)械強(qiáng)度。這項新升級
2023-11-13 18:11:28890 
的工作效率。在這些應(yīng)用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應(yīng)用于各種電 路中，制造商要求進(jìn)一步降低功耗。另一方面，“導(dǎo)通電阻
2023-11-20 01:30:561060 產(chǎn)品推薦 | 適用于PD3.1標(biāo)準(zhǔn)的PRISEMI芯導(dǎo)科技MOSFET產(chǎn)品
2023-12-29 10:29:401000 近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達(dá)到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:571617 MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。MOSFET的導(dǎo)通電壓，也稱為閾值電壓（Vth），是MOSFET從截止?fàn)顟B(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)的電壓值。 MOSFET
2024-08-01 09:19:552997 仁懋電子（MOT）推出的MOT1793G是一款面向-100V低壓大電流場景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、18A大電流承載能力及PDFN小型化封裝，廣泛適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等高
2025-11-05 12:01:34245 
仁懋電子（MOT）推出的MOT4111T是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)逆變器
2025-11-05 15:28:39205 仁懋電子（MOT）推出的MOT9166T是一款面向200V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借6mΩ超低導(dǎo)通電阻、114A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)
2025-11-10 16:01:46413 仁懋電子（MOT）推出的MOT3145J是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、85A大電流承載能力及PDFN3X3-8L小型化封裝，適用于便攜設(shè)備、電池
2025-11-11 09:29:03207 仁懋電子（MOT）推出的MOT6511J是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、大電流承載能力及PDFN3X3-8L小型化封裝，適用于電機(jī)驅(qū)動（電動工具
2025-11-11 09:34:34187 仁懋電子（MOT）推出的MOT5130T是一款面向120V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借2.8mΩ超低導(dǎo)通電阻、211A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率
2025-11-14 12:03:12167 仁懋電子（MOT）推出的MOT8120T是一款面向80V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借1.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、280A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)
2025-11-18 15:58:04228 仁懋電子（MOT）推出的MOT4383T是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借0.8mΩ超低導(dǎo)通電阻、400A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率
2025-11-19 15:15:00184 仁懋電子（MOT）推出的MOT8113T是一款面向80V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借1.1mΩ超低導(dǎo)通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率
2025-11-19 15:21:04222 威兆半導(dǎo)體推出的VS6808DH是一款面向20V低壓場景的共漏極雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持2.0V邏輯電平控制，采用SOT23-6L封裝，適配小型化低壓雙路電源的負(fù)載開關(guān)、電源通路控制
2025-12-18 17:40:30144 
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