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長晶科技:國產(chǎn)半導(dǎo)體在新能源汽車領(lǐng)域的崛起與突破

南山電子 ? 來源:jf_90000562 ? 作者:jf_90000562 ? 2025-04-16 16:11 ? 次閱讀

新能源汽車的崛起,正以勢不可擋之勢重塑著傳統(tǒng)汽車產(chǎn)業(yè)的版圖。這不僅是一場能源利用方式的轉(zhuǎn)變,更是一場深度融合智能化、網(wǎng)聯(lián)化的全面革新。在這場技術(shù)革命中,半導(dǎo)體技術(shù)扮演著舉足輕重的角色,它是新能源汽車的核心組成部分,貫穿于電池管理、電機控制乃至智能駕駛的每一個關(guān)鍵環(huán)節(jié),從細(xì)微處的功率半導(dǎo)體器件,到掌控全局的微控制器,再到遍布全身的傳感器通信模塊,半導(dǎo)體技術(shù)無處不在,不可或缺。

在眾多半導(dǎo)體企業(yè)中,長晶科技以其卓越的創(chuàng)新能力和技術(shù)實力,正引領(lǐng)著功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的新潮流。作為國內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者,長晶科技正以前瞻性的戰(zhàn)略眼光和不懈的努力,積極擁抱這一歷史性機遇。公司深耕車規(guī)級功率器件的研發(fā)與量產(chǎn),通過持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)品迭代,成功打造了一款又一款高性能、高穩(wěn)定性的車規(guī)級芯片產(chǎn)品,這些產(chǎn)品不僅在性能上媲美國際先進水平,更在國產(chǎn)替代的征途上邁出了堅實的步伐。

目前,長晶科技的產(chǎn)品線已全面覆蓋二極管、三極管、IGBT單管/模塊、MOSFET以及第三代半導(dǎo)體等多個戰(zhàn)略領(lǐng)域。其中,IGBT作為新能源汽車的核心組件之一,長晶科技已構(gòu)建起從600V到1200V的完整產(chǎn)品線,彰顯了其在行業(yè)內(nèi)的深厚底蘊。尤為值得一提的是,長晶科技自主研發(fā)的FST3.0 IGBT系列產(chǎn)品,憑借卓越的高開關(guān)速度、低導(dǎo)通損耗等特性,不僅顯著提升了電動汽車的能源轉(zhuǎn)換效率,還有效延長了車輛的續(xù)航里程。同時,在充電樁這一新能源基礎(chǔ)設(shè)施的關(guān)鍵領(lǐng)域,長晶科技的IGBT產(chǎn)品同樣展現(xiàn)出非凡實力,為快速充電提供了堅實可靠的技術(shù)支撐。

除了IGBT產(chǎn)品外,長晶科技還積極拓展其他半導(dǎo)體器件領(lǐng)域。其第二代SGT MOSFET(30V/40V/60V)平臺的成功發(fā)布,標(biāo)志著公司在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一重大突破。相比上一代產(chǎn)品,新一代SGT MOSFET在性能上實現(xiàn)了超過25%的提升,為汽車電子、消費電子工業(yè)控制等多個行業(yè)的變革性發(fā)展注入了新的動力。同時,長晶科技全新一代DC-DC產(chǎn)品系列(100V/30V)的推出,也為新能源汽車電子提供了高品質(zhì)、可靠性強的電源解決方案。

長晶科技并未滿足于現(xiàn)有的成就,而是繼續(xù)加大在技術(shù)研發(fā)和市場拓展方面的投入力度。在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,長晶科技也取得了顯著進展。公司已經(jīng)具備部分第三代半導(dǎo)體(SiC肖特基二極管)的供應(yīng)能力,并正在積極布局GaN等新型半導(dǎo)體材料的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。這些新興技術(shù)的應(yīng)用將進一步提升長晶科技在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的競爭力。

目前,長晶科技已經(jīng)與眾多Tier 1、Tier 2整車廠建立了長期穩(wěn)定的合作關(guān)系,這不僅為公司的長遠(yuǎn)發(fā)展奠定了堅實基礎(chǔ),也進一步提升了其在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的影響力。公司積極與多家國際知名企業(yè)建立深度合作關(guān)系,通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新和市場拓展,逐步成長為具有國際競爭力的綜合型半導(dǎo)體企業(yè)。

展望未來,長晶科技將繼續(xù)秉持“創(chuàng)造世界一流的半導(dǎo)體品牌”的宏偉愿景,不斷加大研發(fā)投入,深化技術(shù)創(chuàng)新,致力于成為新能源汽車時代半導(dǎo)體技術(shù)的引領(lǐng)者。在全球新能源汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中,長晶科技正以穩(wěn)健的步伐和堅定的信心,向著更加輝煌的明天邁進。

審核編輯 黃宇

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